El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

1. INFORME DE PRACTICAS DE LABORATORIO, PROGRAMA INGENIERIA ELECTRONICA, UNIVERSIDAD DE PAMPLONA ©2017 IEEE
Caracterización del transistor de Unión Bipolar
1st
Angel Camilo Tapias
Contreras
Ingeneria Electronica
Universidad de Pamplona
Pamplona, Colombia
camilo.tapias020@gmail.com
2nd
Leidy Carolina Villamizar
Rivera
Ingenieria Electronicca
Universidad de Pamplona
Pamplona, Colombia
leidycavigue@gmail.com
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En este laboratorio vamos a realizar diversas practicas con un
transistor (NPN) 2N2222 para determinar voltaje colector-emisor,
corriente colector, comparando estos valores con los valores teóricos
referidos a los circuitos montados.
Palabras clave: Transistor, corriente, voltaje, resistencia.
I. INTRODUCCION
Los transistores BJT son dispositivos electrónicos que se
caracterizan por su corriente de salida la cual es dependiente
de la tensión de entrada, existen diversas formas que nos
permiten saber que tipo de transistor es (PNP)(NPN) para esto
cada fabricante crea un datasheet que nos enseña las
características del componente y sus pines (base, colector,
emisor)
Para la siguiente práctica vamos a realizar una serie de
montajes con el fin de observar lo aprendido en clase y
observar mucho mejor el uso del transistor BJT, se trabajará
con un transistor 2N2222a el cual lo trabajaremos en su estado
activa el cual tendrá una ganancia de corriente que no superará
el valor según su datasheet y aplicando los respectivos
montajes vamos hallar por ejemplo su corriente de colector o
de base, su voltaje y demás cosas que pida la práctica.
II. DISEÑO METODOLOGICO
Implementar el circuito de la figura 1, variar el valor de VIN
desde 0V hasta 10V con una variación de 0,5V y en cada uno
de los cambios medir la corriente de base, corriente de
colector, y el voltaje colector emisor.
En la figura 2 se muestra un circuito de polarización de base,
se desea una tensión colector emisor de 5V y una corriente de
colector de 10mA, determine los valores de resistencia de base
y de colector.
Montar el circuito en la protoboard y comparar los datos de
corriente y voltajes obtenidos con los medidos en el circuito.
Teniendo en cuenta el circuito de la figura 3, determine el
valor de la resistencia de base necesaria para asegurar la
saturación del transistor 2SD401A teniendo en cuenta el valor
nominal de corriente y voltaje del motor.
Montar el circuito de la figura 3 y medir los valores de voltaje
colector emisor, corriente de base y corriente de colector
cuando el voltaje de base es 0V y 3V comparar los datos
obtenidos teóricamente con los medidos directamente en el
circuito.
OBJETIVOS
Reconocer las características principales de un transistor.
Identificar las relaciones entre las corrientes de base,
colector y emisor del transistor.
Conocer las diferencias entre los circuitos de polarización
del transistor y de esta forma ver las posibles aplicaciones
MATERIALES
Transistor 2N2222.
Resistencia de diferentes valores entre 100Ω y 5kΩ.
Resistencia de diferentes valores entre 50kΩ y 100kΩ.
Resistencia de 680Ω y 10Ω a 5W.
Diodo 1N4004.
Cable para puentear en protoboard.

2. Protoboard.
EQUIPOS
Fuente de voltaje variable.
Multímetro.
Motor de DC con voltaje nominal ≥ 5V y corriente nominal
≤ 0.7mA
A. Equations
Ic= Ib*β (1)
Ib=Ic/β (2)
Ib= Vbb-Vbe/Rb (3)
Rb=Vbb-Vbe/Ib (4)
Vce=Rc*Ic (5)
III. MEDICIONES Y ANALISIS DE RESULTADOS
Figures and Tables

3. TEORICO EXPERIEMENTAL
CORRIENTE DE
COLECTOR
10(MA) 19(MA)
VOLTAJE
COLECTOR-
EMISOR
5(V) 5(V)
VOLTAJE DE BASE 306KΩ 306KΩ
GANANCIA DE
CORRIENTE
333
RESISTENCIA DE
COLECTOR
500Ω 500Ω
Vm = 0[v] Vm = 5[v]
Vc = 5[v] Vc = 5[v]
Ve = 0[v] Ve = 0[]
Ic= 0[mA] Ic= 129[mA]
Ib = 0[mA] Ib = 777,10[µA]
Vce = 5[v] Vce = 4.5[v]
Rb = 3[KΩ] Rb = 3[KΩ]
CONCLUSIONES
Se identifico el transistor como elemento
semiconductor cuyo funcionamiento depende del tipo
de configuración de polarización en el que se
conecte.
Se observo que el transistor al estar en su zona activa
funciona correctamente como interruptor.
Se pudo comprobar los estados del transistor
mediante los montajes realizados.
REFERENCIAS
[1] Rober L. Boylestad & Louis Nashelsky. Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos 8 Edición.
[2] Albert Malvino & David J. Bates. Principios de electrónica 7 Edición.
[3] M. M. Cirovic. Electrónica Fundamental: Dispositivos, Circuitos y
Sistemas.
[4] Florencio J. Cembranos. Electrónica General.
[5] J. R. Cogdell. Fundamentos de Electrónica.