1. UNION P-N
 Ingresa a la siguiente página web y explora los applets mostrados, luego redacta en un
documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos páginas por cada uno.
Utiliza imágenes en tu explicación.
• http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equili
brio_y_polarizada/Applet3.html
• http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley
/Applet4.html
• http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmut
aApplet.html
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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas visualizar estas
aplicaciones es necesario tener actualizada java en tu computador,
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2. Diodo de unión PN polarizado
La unión p-n está polarizada directamente cuando a la región p se le aplica un potencial mayor que
a la región n. Para ello, tal y como se ve, se debe conectar el polo positivo de la batería al
ánodo del diodo (zona p) y el polo negativo al cátodo (zona n).

3. En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:
• Los huecos de la región p y los electrones de la región n son empujados hacia la unión por
el campo eléctrico Epol a que da lugar la polarización. Por lo tanto, se reduce la anchura de
la zona de transición.
• El campo eléctrico de la polarización Epol se opone al de la unión Eu. Así, se reduce el
campo eléctrico de la unión y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que,
como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarización es VJ=Vo. Con la
polarización directa de la unión p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensión
directa aplicada a dicha unión.

4. La ley de Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de
alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera
Schottky.
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente.
Es un tipo de tiristor.

5. La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta impedancia (OFF)
y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensión
en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La impedancia del diodo desciende
bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensión,
hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B). Para volver al estado OFF, se
disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus
terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A).

6. Conmutación del diodo
 En este applet se simula la conmutación de un diodo, pudiendo cambiar la tensión
aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del
esquema de un circuito con dos fuentes de tensión (una positiva y otra negativa) y un
conmutador, un circuito de polarización (que incluye una resistencia) y un diodo de
unión.
 Este esquema se sitúa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre
tensiones haciendo "click" con el ratón en la zona entre las dos fuentes de tensión. Al
iniciar la aplicación aparecerá un mensaje y una flecha que señala la mencionada zona
sensible.

7. El usuario puede modificar todos los parámetros
del circuito presionando el botón del panel
superior con el texto "Parámetros circuito". Al
presionarlo aparecerá una ventana con tres
campos editables donde se pueden introducir los
valores numéricos deseados para la tensión
directa (VF), la tensión inversa (VR) y la
resistencia de polarización (R). Tras introducir
los nuevos valores es necesario pulsar el botón
"Aceptar" de la ventana de los parámetros del
circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro gráficas que
varían en el tiempo y donde se representan los
parámetros más importantes que controlan el
comportamiento del diodo.
La primera gráfica representa la tensión
seleccionada en el circuito; la segunda la
corriente que circula por el diodo; la tercera la
carga acumulada en las zonas neutras del diodo
(aplicando la aproximación de diodo asimétrico)
y la última gráfica es la tensión que cae en bornas
del diodo. Estas cuatro gráficas se van
actualizando en el tiempo y se irán desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.
En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales
para la carga del diodo, la tensión en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el
ánodo y al cátodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulación. Algunos de los parámetros
son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican
instantáneamente conforme evoluciona el tiempo.
También, a la derecha de las gráficas, se muestran los valores instantáneos para estas funciones
temporales.