1. INFORME N°6
OBJETIVO. - La polarización del bjtse realiza mediante tensión continua y consisteen
preparar el transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el
cual se le quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de
corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para
esa cantidad de corrienteIC, a esto sele llama obtener el punto de operación o punto
Q del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista
en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida
del circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la
ecuación de recta de carga.
FUNDAMENTO TEORICO. - Resumen Es encontrar el punto Q mediante la aplicación
de fuentes de tensión y resistencia, esto es hacer uso de las leyes de Kirchhoff y las
característicasdelos transistores.Estosconceptossedesarrollaronenclases teóricas.
2. LABORATORIO. –
L.1 Arme el circuito de la fig 1 y mida los voltajes en todos los componentes del
circuito, también mida las corrientes de base colector y emisor.
β= 370
IB=50µA VCE=8.54V
IC=1.75mA VBC=6.86V
RB=242KΩ VBE=0.63V
Rc=2.16KΩ
L.2 Aumente o disminuya RB para que el voltaje Vce sea igual a 6v (Vce = 6V)
Para hallar el voltaje requerido procedemos a reducir RB, se hace este
procedimiento gracias a diversas pruebas realizadas moviendo las resistencias para
buscar una proximidad más adecuada, hallando la resistencia más aproximada entre
las resistencias comerciales:
RB= 29kΩ → VCE=6.1V
FIG. 1
Polarización de emisor común
RB=240K
RC=2.2K
3. L.3 Armeel circuito de la figura 2 y mida Ib,Ic,Iey también Vce Vbe Vcb
β= 370
IB=370µA RB=420KΩ
IC=4.03mA VBC=9.35v
IE=4.05mA VBE=0.78v
Rc=1.97KΩ VCE=10.51v
RE=0.96KΩ
L.4 Varíela resistencia RB (aumente o disminuya) para lograr que el voltaje Vce sea
lo más aproximado a 10 V.
Para hallar el voltaje requerido procedemos a reducir RB, se hace este
procedimiento gracias a diversas pruebas realizadas moviendo las resistencias para
buscar una proximidad más adecuada, hallando la resistencia más aproximada entre
las resistencias comerciales:
RB= 350kΩ → VCE=9.9V
Configuración
Estabilizado en el emisor
RB=430K
RC=1K
RC=2K
4. L.5 Arme el circuito de la fig 3 y mida Ib, Ic, Iey también Vce, Vbe, Vcb
β= 370
IB=4.74µA R1=39KΩ
IC=1.08mA R2=3.89KΩ
IE=1.11mA VBC=8.03v
Rc=9.7KΩ VBE=0.63v
RE=0.96KΩ VCE=8.76v
R2=3.9KR1=39K
RC=10K RE=1K
Configuración
Divisor de tensión
5. Conclusiones
1° … en general en todas las configuraciones aplicadas a experimentación destaca la
de divisor de tensión gracias a su estabilidad a la hora de medir, ya que en las demás
configuraciones variaban las mediciones de maneras un poco notoria se esta se
mantenía estable al cambio del ambiente.
2°… en la figura 1 aplicado a L.1 y L.2 se necesita una gran variación de resistencia de
base (RB) para variar un poco la tensión en colector-emisor, también se pudo
observar quea pesar de su sencillez al armado y calculo no es estable al cambio y en
las mediciones se tardó un poco al definir una, ya que la variación era constante
dándonos resultados no fijos por encima de lo aceptable, sesolucionó fácilmente
determinando un promedio.
3°… en la figura 3 aplicado a L.2 y L.3 no se necesita una variación tan grande ya que
el voltaje requerido en L.3 es cercano al alcanzado con los parámetros dados, la
diferencia con la primera configuración es la estabilidad, su variación es menor,
aunque no tan diferente a la primera.
4°… en la última configuración no se hace una variación para buscar un voltaje
nuevo, en esta prueba se determina que a pesar del largo proceso de cálculo llegó a
ser la más estable, determinada con una prueba adicional no registrada hecha
simplemente para comprobar lo descrito en el libro, se puso un transistor similar de
beta desconocida y la variación de los parámetros fuemínima, determinando que
esta configuración depende muy poco de beta.