2. 1. DEFINICIÓN.
2. CLASIFICACIÓN.
3. MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN.

3. 1. DEFINICIÓN.
Electrónic
a.
 Estudio y aplicación del comportamiento
de los electrones en diversos medios
materiales
y vacío, sometidos a la acción de campos
Eléctricos y Magnéticos.
 Se suelen usar tensiones e intensidades
relativamente más pequeñas que en
Electricidad.

4. 2.1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS PASIVOS.
2.2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS.
“NO SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO
DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA”
“SÍ SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO
DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA”
2. CLASIFICACIÓN.

5.  RESISTENCIAS.
 CONDENSADORES.
 BOBINAS.
 OTROS: Usados como sensores u
osciladores.
 COMPONENTES DEPENDIENTES DE LA
TEMPERATURA O LA LUZ.
 NTC. Coeficiente negativo de
Temperatura.
 PTC. Coeficiente positivo de Temperatura.
 LDR. Resistencia dependiente de la Luz.
 COMPONENTES PIEZOELÉCTRICOS:
2. 1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PASIVOS.

6. (Son esencialmente los SEMICONDUCTORES).
 DIODOS.
 TRANSISTORES.
 RECTIFICADOR.
 ZENER.
 LED.
 NPN.
 PNP.
2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ACTIVOS.

7.  CIRCUITOS INTEGRADOS.
2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ACTIVOS.
 LINEALES.
 REGULADORES.
 OPERACIONALES.
SEÑAL ANALÓGICA
 NO LINEALES.
SEÑAL DIGITAL
 PUERTAS LÓGICAS.
 COMBINACIONALES.
 MEMORIAS.
 MICROPROCESADORES.
 MICROCONTROLADORES.

8. 3. MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN.
Componentes a
tratar:
 Resistencias.
 Condensadores.
 Bobinas.
 Diodos.
 Transistores.
 Circuitos Integrados.

9. 3.1. RESISTENCIAS ELÉCTRICAS.
 Su valor depende de los siguientes
parámetros:
„ Material.
„ Longitud.
„ Sección.
 Componente que ofrece una oposición al
paso de la corriente eléctrica, ya sea
corriente alterna o continua.
 Símbolo:
R
L
R =  
S
  Coeficiente de Resistividad.
L  Longitud.
S  Sección.

10. 3.1. RESISTENCIAS ELÉCTRICAS.
(Continuación)
1.0Ohm_5%
R
V1
12 V
V
R= ——
I
Relación entre la
d.d.p y la
Intensidad.
 Magnitud de medida: OHMIO.
 Según la Ley de Ohm, representa:
Múltiplos:
Ohmio. 
Kilo Ohmio K 
Mega Ohmio M 

11. SERIE.
PARALELO.
MIXTO.
3.1.1. ASOCIACIONES de RESISTENCIAS.
R1 R2 RE
R1
R2
RE
R2
R3
R4R1
R1 x R2
Re = 
R1 + R2
Re = R1 + R2
Re = Hay que
analizar el
circuito y aplicar
relaciones
serie/paralelo
particulares.

12. ELECTROCYBER S.A

13. 3.1.2. CÓDIGO DE COLORES.
COLOR NOMBRE VALOR
NEGRO 0
MARRÓN 1
ROJO 2
NARANJA 3
AMARILLO 4
VERDE 5
AZUL 6
VIOLETA 7
GRIS 8
BLANCO 9
NADA  20%
PLATA  10%
ORO  5%
R = a b 10c
PRIMERA CIFRA SIGNIFICATIVA (a).
SEGUNDA CIFRA SIGNIFICATIVA (b).
FACTOR DE MULTIPLICACIÓN (C).
TOLERANCIA EN % (X).
En este caso R = 6.500
  5%

14. 3.1.3. CLASIFICACIÓN DE LAS RESISTENCIAS.
 Fijas
 Variables
„ Metálicas.
„ Carbón.
„ Ajustables.
„ Potenciómetros
 Lineales
Respuesta
Lineal. R=Cte.
 No Lineales
Respuesta no
Lineal. R  Cte.
 Dependientes de la
Temperatura
 Dependientes de la Luz.
 Dependientes de la Tensión.
NTC y PTC
LDR
VDR

15. „ Dispositivos utilizados para el almacenamiento de
cargas eléctricas.
„ Comportamiento diferente según el tipo de corriente
Alterna o Continua.
„ Constituido por dos placas conductoras o armaduras y
entre ellas un aislante o dieléctrico. Para un
condensador plano:
3.2. CONDENSADORES.
S
C =  
d
  Permitividad del Medio Dieléctrico.
S  Superficie de las Armaduras.
d  Separación entre Armaduras.

16. 3.2. CONDENSADORES.
(Continuación)
„ Magnitud de medida: FARADIO (Unidad de Capacidad
Eléctrica).
„ “Sometidas las Armaduras de un CONDENSADOR a
una diferencia de potencial de 1 Voltio, estas
adquieren una carga de 1 Culombio”
Q
C = 
V
C  Capacidad.
Q  Carga 1 Culombio = 1 Ampere/Segundo.
V  d.d.p. entre Armaduras.

17. 3.2. CONDENSADORES.
(Continuación)
„ miliFaradio  mF. 10-3 F.  0,001F.
„ microFaradio  F.  10-6 F.  0,000001F.
„ nanoFaradio  nF.  10-9 F.  0,000000001F.
„ picoFaradio  pF.  10-12 F.  0,000000000001F.
 El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan
Submúltiplos:
 TIPOS DE CONDENSADORES:
• NO POLARIZADOS:
• SI POLARIZADOS:
• Independiente del sentido de la corriente.
• Dependientes del sentido de la corriente.
• “Electrolíticos y Tántalo”.
• “Cerámicos, Poliéster, Mica, etc”.

18.  SERIE.
 PARALELO.
 MIXTO.
3.2.1. ASOCIACIONES de CONDENSADORES.
C1 C2 CE
C1
C2
CE
C1 x C2
Ce = 
C1 + C2
Ce = C1 + C2
C2
C3
C1 C4
Re = Hay que
analizar el circuito y
aplicar relaciones
serie/paralelo
particulares.

19. • Componente formado por una serie de espiras arrolladas.
• Almacenan energía en forma de campo magnético.
• Se oponen a los cambios bruscos de corriente.
– A bajas frecuencias tienen una baja resistencia o inductancia.
– A altas frecuencias tienen una alta resistencia o inductancia.
• Unidad de medida el Henrio (H).
• Su valor depende de:
– Número de espiras. A mayor número de vueltas mayor inductancia.
– Diámetro de las espiras. A mayor diámetro mayor inductancia.
– Longitud del hilo y naturaleza.
– Tipo de material del núcleo. Aire, ferrita, etc.
• Se aplican como filtros de corriente alterna y transformadores.
3.3. INDUCTANCIAS O BOBINAS.

20. SERIE.
PARALELO.
MIXTO.
3.3.1. ASOCIACIONES de BOBINAS.
L1 x L2
Le = 
L1 + L2
Le = L1 + L2
Le = Hay que analizar
el circuito y aplicar
relaciones
serie/paralelo
particulares.
L1 L2 Le
L1
L2
Le
L1 L4
L2
L3

21. 3.4. DIODO.
 Componente formado por la unión de dos materiales semiconductores,
uno tipo N y otro tipo P.
 Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento.
 Germanio  Z = 0,3 Voltios.
 Silicio  Z = 0,6 Voltios.
La zona P se llama Ánodo (A).
La zona N se llama Cátodo (K).

22. 3.4.1. POLARIZACIÓN DIODO.
 Un diodo puede funcionar de dos maneras:
 POLARIZACIÓN DIRECTA.
 Cuando la corriente que circula por este sigue la ruta de la flecha,
es decir del ÁNODO al CÁTODO.
 Se comporta como un CONTACTO CERRADO, con una caída de
tensión de 0,7 Voltios.
 POLARIZACIÓN INVERSA.
 Cuando la corriente DESEA CIRCULAR en sentido opuesto a la flecha,
es decir del CÁTODO al ÁNODO.
 Se comporta como un CONTACTO ABIERTO, existiendo una tensión
máxima o de ruptura.

23. 3.4.2. RECTIFICADORES.
APLICACIÓN DE LOS DIODOS COMO RECTIFICADORES.
 Conversión de una corriente alterna C.A. en corriente continua C.C.
 Según su configuración pueden ser de media onda o de onda completa.
 Media Onda. ( Un Diodo) Onda Completa. (Puente Diodos)

24. 3.5. TRANSISTOR.
 Formado por la unión de tres materiales semiconductores. Según la
combinación N y P hay dos tipos de transistores. Denominándose sus
terminales como Base (B), Emisor (E) y Colector (C).
TRANSISTOR NPN.
TRANSISTOR PNP.
 La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de
transferencia, elemento que se comporta como una “resistencia variable”
que depende de una señal eléctrica de control .

25. 3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS
 Operacionales.
 Reguladores y
Estabilizadores.
 Lineales
Manejan
señales
ANALÓGICAS.
 No Lineales  Puertas lógicas.
 Combinacionales, etc.
Manejan
señales
DIGITALES.

26. 3.6.1. C.I. LINEALES.
 LOS OPERACIONALES
 Denominados así porque se pueden realizar varias operaciones
aritméticas y de cálculo sobre voltajes analógicos.
Su función básica es amplificar la diferencia entre dos voltajes de entrada.

27. 3.6.2. C.I. NO LINEALES. PUERTAS LÓGICAS.
 Los circuitos integrados con puertas lógicas, se clasifican en dos familias:
 CIRCUITOS TTL (Transistor – Transistor – Logic).
 CIRCUITOS CMOS (Metal – Óxido).
T.T.L. CMOS
Tensión Alimentación +5 V. +3 a 15 V.
Temperatura de trabajo 0ºC a 70ºC -40ºC a +85ºC
Valor Nivel Alto De 2 a 5 V. 70% V. Alim.
Valor Nivel Bajo De 0 a 0,8 V. 30% V. Alim.
Tiempo Propagación por Puerta a +5V. 10 nS. 35 nS.
Margen Ruido Típico 0,4 V. ~ 40% V. Alim.

28. 3.6.3. PUERTAS LÓGICAS T.T.L.
 Los más comunes utilizados son:
 INVERSORES  AND  NAND
 EXOR OR  NOR

29. 3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES.
 Los circuitos integrados combinacionales, se forman a partir de la
combinación de varias puertas lógicas. Los más destacables son:
 REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO.
 CIRCUITOS FLIP – FLOP O BÁSCULAS. Aplicables a Marcha / Paro.
 OSCILADORES. GENERADORES DE ONDA. TEMPORIZADORES.
 CIRCUITOS CONTADORES (Decimales o Binarios).
 CONVERSORES DE CÓDIGO. (De Binario a BCD, 7 Segmentos, etc.)
 CONVERSORES DE SEÑAL. (A / D – D / A).

30. 3.6.5. MEMORIAS.
 Las memorias comprenden una serie de circuitos integrados, que tienen
como objetivo almacenar datos. Se clasifican según los tipos:
 ROM
 Memoria de solo lectura. Grabadas en fábrica.
 RAM
 Memoria de lectura y escritura.
 EPROM
 Memoria con contenido ROM + RAM.
Se borran mediante Luz Ultravioleta a través de una ventana .
 EEPROM
 Memoria con contenido ROM + RAM.
Se borran eléctricamente. Reprogramables ~ 106 veces.

31. 3.6.6. MICROPROCESADORES.
 Los microprocesadores se caracterizan por tener una Unidad Cental de
Proceso (UCP) y una Unidad Lógico Aritmética (ALU).
 UCP
 La Unidad de Control interpreta unas instrucciones desde un BUS
de Direcciones y las ejecuta desde un BUS de Datos.
 ALU
 Encargada de realizar procesos matemáticos, como sumar Bytes,
rotarlos, desplazarlos, etc.
 Los microprocesadores están constituidos
por millares de transistores en un chip y
realizan una determinada función de los
computadores electrónicos digitales.
 Chip con 100 millones de transistores.

32. 3.6.7. MICROCONTROLADORES.
 Los microcontroladores se caracterizan por tener en su interior el
Microprocesador y la Memoria.
 Son, los más habituales, reprogramables electricamente (EEPROM).
 Es un computador completo, de limitadas prestaciones, que está contenido
en un chip, y que se destina a gobernar una sola tarea.
PERIFÉRICOS
PERIFÉRICOS