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TIPOS DE MEMORIA RAM
VRAM: Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de
vídeo, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. VRAM
permite mejores rendimientos gráficos.
SIMM: Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo
SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los
antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de
bits.
DIMM: Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo
DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
DIP: Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de
memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.
RAM Disk: Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede
acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco
duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos
duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.
Memoria Caché ó RAM Caché : Un caché es un sistema especial de almacenamiento de
alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de
almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados
en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco.

SRAM: Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable
que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que
necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.
La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria caché.
DRAM Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser
constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa
un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser
energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas.
SDRAM: Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es
casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria
interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está
preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998.
También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite
leer y escribir datos a dos veces la velocidad bus.
FPM: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y
columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas
seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits)
dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien
es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast"
fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.
EDO: Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento
del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. EDO elimina los estados de espera
manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo. Esta memoria fue una
innovación en cuestión de transmisión de datos pudiendo alcanzar velocidades de hasta 45ns,
dejando satisfechos a los usuarios. La transmisión se efectuaba por bloques de memoria y no por
instrucción

BEDO: (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador
de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.
PB SRAM: Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que
proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las
operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubería' conceptual con
todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se
está ejecutando, la computadora está decodificando la siguiente instrucción.
En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de
coma flotante. La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8
nanosegundos.
RDRAM (Rambus
DRAM)
Esta memoria tiene una transferencia de datos de 64 bits que se pueden producir en ráfagas de
2ns, además puede alcanzar taza de tranferencia de 533 Mhz con picos de 1.6Gb/s. Muy pronto
alcanzará dominio en el mercado, ya que se estará utilizando en equipos con el nuevo procesador
Pentium 4®. Es ideal ya que evita los cuellos de botella entre la tarjeta gráfica AGP y la memoria
del sistema, hoy en día se pueden encontrar éste tipo de memorias en las consolas NINTENDO
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  • 2. FPM: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más. EDO: Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo. Esta memoria fue una innovación en cuestión de transmisión de datos pudiendo alcanzar velocidades de hasta 45ns, dejando satisfechos a los usuarios. La transmisión se efectuaba por bloques de memoria y no por instrucción BEDO: (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones. PB SRAM: Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubería' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutando, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante. La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.
  • 3. RDRAM (Rambus DRAM) Esta memoria tiene una transferencia de datos de 64 bits que se pueden producir en ráfagas de 2ns, además puede alcanzar taza de tranferencia de 533 Mhz con picos de 1.6Gb/s. Muy pronto alcanzará dominio en el mercado, ya que se estará utilizando en equipos con el nuevo procesador Pentium 4®. Es ideal ya que evita los cuellos de botella entre la tarjeta gráfica AGP y la memoria del sistema, hoy en día se pueden encontrar éste tipo de memorias en las consolas NINTENDO 64®.