1. SILICIO FRENTE A GERMANIO
En un átomo de silicio la distancia entre la banda de valencia y la banda de conducción
se denomina gap de energía.
Afortunadamente, el silicio tiene un mayor gap de energía; esto significa que la energía
térmica no produce muchos pares electrón-hueco a temperaturas normales.
CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGAS.
Se hablo brevemente de la corriente superficial de fugas en el Apartado 2-10. Recuerde
qué es una corriente inversa sobre la superficie del cristal. He aquí una explicación
simplificada de la existencia de una corriente superficial de fugas.
Como estos átomos no tienen vecinos, tiene sólo 6 electrones en la orbital de valencia,
lo que implica 2 huecos en cada átomo d la superficie.