1. LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA
La temperatura de la unión es la temperatura dentro del diodo, exactamente en la unión
pn. Cuando el diodo está conduciendo, la temperatura de la unión es más alta que la
temperatura ambiente.
La barrera de potencial depende de la temperatura en la unión. Un incremento en la
temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos n las regiones dopadas.
La barrera de potencial de un diodo de silicio decrece 2mV por cada incremento de 1
grado Celsius
DIODO CON POLARIZACIÓN INVERSA
En principio, sabemos que la zona de deplexión modifica su anchura cuando la tensión
inversa cambia.