1. FACULTAD DE SISTEMAS, ELÉCTRONICA E INDUSTRIAL
NIVELACIÓN ELECTRÓNICA – MATUTINO
PROYECTO DE AULA
NOMBRE:
SEBASTIAN FLORES
PARALELO:
NIVELACIÓN ELECTRÓNICA – MATUTINO
DOCENTE:
MARCO SANCHEZ
Parte 3

2. LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA
La temperatura de la unión es la temperatura dentro del diodo, exactamente en la
unión pn. Cuando el diodo está conduciendo, la temperatura de la unión es más alta
que la temperatura ambiente.
La barrera de potencial depende de la temperatura en la unión. Un incremento en la
temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos n las regiones dopadas.
La barrera de potencial de un diodo de silicio decrece 2mV por cada incremento de
1 grado Celsius
DIODO CON POLARIZACIÓN INVERSA
En principio, sabemos que la zona de deplexión modifica su anchura cuando la
tensión inversa cambia.