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Electrónica de Potencia
Introduccion
   1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
   conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
   potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control
   externo.

   2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
   Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of
   Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se
   debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
   dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a
   OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control

   3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
   bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo
   MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores
   bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores
   GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.
Diodo de Potencia
   Un diodo semiconductor es una estructura P-N que,
    dentro de sus límites de tensión y
   corriente, permite la circulación de corriente en un
    único sentido. Detalles de funcionamiento,
   generalmente despreciados para los diodos de señal,
    pueden ser significativos para
   componentes de mayor potencia, caracterizados por
    un área mayor (para permitir mayores
   corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones
    inversas más elevadas). La figura 2.1
   muestra la estructura interna de un diodo de potencia.
Tiristores
   El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una
   puerta”. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que
    trabajan en
   conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras
    en una
   secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados
    estables).
   La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción
    (“ON”)
   se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el
    estado
   “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña
    que un
   determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”),
    específica
   para cada tiristor.
TRIAC
   Es un tiristor bidireccional de tres
   terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa,
    y puede ser
   disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
   Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los
    dos sentidos
   de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos
    controlar el paso de
   corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los
    fabricantes de
   semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este
    inconveniente. El primer
   TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su
    funcionamiento, podemos
   decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor
    bidireccional). De
   esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de
    corriente. La figura 2.9
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Electrónica de potencia

  • 2. Introduccion  1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de  conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de  potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control  externo.  2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los  Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of  Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se  debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del  dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a  OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control  3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores  bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo  MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores  bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores  GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.
  • 3. Diodo de Potencia  Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y  corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de funcionamiento,  generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser significativos para  componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor (para permitir mayores  corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas más elevadas). La figura 2.1  muestra la estructura interna de un diodo de potencia.
  • 4. Tiristores  El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una  puerta”. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en  conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una  secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).  La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”)  se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el estado  “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un  determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica  para cada tiristor.
  • 5. TRIAC  Es un tiristor bidireccional de tres  terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser  disparado con tensiones de puerta de ambos signos.  Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos  de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de  corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de  semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer  TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su funcionamiento, podemos  decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De  esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente. La figura 2.9 