La barrera de potencial de un diodo depende de la temperatura en la unión pn, ya que un aumento en la temperatura crea más electrones y huecos libres en las regiones dopadas, reduciendo la barrera de potencial. Específicamente, la barrera de potencial de un diodo de silicio disminuye 2mV por cada aumento de 1 grado Celsius en la temperatura de la unión. Además, la zona de deplexión dentro de un diodo modifica su anchura cuando cambia la tensión inversa aplicada.