Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos tienen pequeñas cantidades de portadores debido a la excitación térmica. El dopaje introduce impurezas que generan más portadores, creando semiconductores de tipo P con huecos mayoritarios o de tipo N con electrones mayoritarios. Esto aumenta la corriente eléctrica en el material.

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2.  Es un elemento que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores. Ejemplo: el
campo eléctrico o magnético, la presión, la radiaccion que le
incide, la temperatura del ambiente en el que se encuentre
Los cristales de semiconductores están formados por átomos
donde los vecinos mas cercanos están enlazados de manera
covalente ( mas o menos polar).

3. Semiconductores dopados
 Si aplicamos una tensión al cristal de silicio el positivo de la
pila intentara atraer los electrones y el negativo los huecos
favoreciendo así la aparición de una corriente a través del
circuito.

4. semiconductores intrínsecos
 En un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica
similar a la del carbón mediante enlaces covalentes entre sus átomos,
en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal
se encuentra a temperatura ambiental algunos electrones pueden
absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia . Las
energías requeridas a temperatura ambiente, son de 1,12 eV para el
silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce de modo que los
electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a
la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando
energía. A este fenómeno de singadera extrema se le denomina
recombinación. Sucede que a una determinada temperatura , las
velocidades de creación de pares e-h y de recombinación se igualan de
modo que la concentración de huecos ( cargas positivas ) se cumple
que .
ni = n = p
siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función
exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.

5. Los elementos y los huecos reciben el nombre de
portadores . En los semiconductores ambos tipos
de portada contribuyen el paso de la corriente
eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencia se producen dos corrientes eléctricas. Por
un lado la debida al movimiento de los electrones
libres de la banda de conducción y por otro la
debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia que tenderán a saltar a los
huecos próximos, originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la dirección
contraria al campo eléctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de
conducción .
Ejemplos de valores de ni a temperatura
ambiente (27ºc):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3ni(Ge) = 1.73 1013cm-3

6.  Semiconductores intrínsecos

7.  Ahora bien esta corriente que aparece es de muy pequeño
valor son pocos los electrones que podemos arrancar de los
enlaces entre los átomos de silicio Para aumentar el valor de
dicha corriente tenemos dos posibilidad:
_ Aplicar una tensión de valor superior
_Introducción previamente en el semiconductor electrones o
huecos desde el exterior.
La primera solución no es factible pues aun aumentando
mucho el valor de la tensión aplicada la corriente que aparece
no es de suficiente valor
La solución elegida es la segunda
_En este segundo caso se dice que el semi conductor esta
«Dopado»
_El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por
átomos de otros elementos . A estos últimos se les conoce con
el nombre de impurezas dependiendo del tipo de impureza
con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco
aparecen dos clases de semiconductores.
Semiconductor de tipo P y semiconductor de tipo N

8. Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que
permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos como ocurre el romperse una ligadura
Los átomos de este tipo se llaman aceptores ya que
«aceptan» o toman un electrón. Suelen ser de valencia de
tres, como el Aluminio el indio o el Galio
Nuevamente el átomo introducido es neutro por lo que no
modificara la neutralidad eléctrica del cristal debido a que
tiene tiene tres electrones en su ultima capa de valencia
aparecerá una ligadura rota que tendera a tomar electrones
de los átomos próximos generando finalmente mas huecos
que electrones por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en
el material tipo N

9. tipo P

10. Tipo N
 Se llama material tipo N al que posee átomos de
impureza que permiten la aparición de electrones
sin huecos asociados a los mismos. Los átomos
de este tipo se llaman donantes ya que «donan»
o entregan electrones. Suelen ser de valencia
cinco, como el Arsénico y el Fosforo. De esta
forma no se ha desbalanceado la neutralidad
eléctrica ya que el átomo introducido al semi
conductor es neutro, pero posee un electrón no
ligado a la diferencia de los átomos que
conforman a la estructura original. La cantidad de
portadores mayoritarios serán funciones directa
de la cantidad de átomos de impurezas
introducidas.

11. Tipo N

12.  http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
 https://www.google.com.pe/search?hl=es&biw=1360&bih=624&site=imghp&tbm=isch&s
a=1&q=semiconductores+intrinsecos&oq=semiconductores+intrinsecos&gs_l=img.3..0j0i
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p%253D2%3B555%3B555
 http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp
 http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)