Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica es intermedia entre los metales y los aislantes. Pueden conducir electricidad mejor que los aislantes pero peor que los metales. El dopaje intencional de semiconductores puros con pequeñas cantidades de impurezas puede aumentar dramáticamente su conductividad eléctrica y hacerlos útiles para aplicaciones electrónicas como el silicio y el germanio.

1. Semiconductor
Material sólido o líquido capaz de conducir la electricidad mejor que un
aislante, pero peor que un metal.
La conductividad eléctrica, que es la capacidad de conducir la corriente eléctrica
cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades físicas más
importantes.
Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores.
Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos
conductores.
A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislante.
Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas (dopado) o en
presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de
forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Los
principales semiconductores utilizados en electrónica son el silicio, el germanio y
arseniuro de galio.

2. Semiconductor

3. Silicio: Átomo, Modelo
de enlace y estructura
crsitalina

5. Semiconductores Intrínsecos
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado
puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro
de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones
en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conducción.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y
varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos.

6. Semiconductores Intrínsecos
• Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí
funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose
desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia
estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se
estimule con el paso de una corriente eléctrica.
•

7. Semiconductores Intrínsecos
• Es un cristal de silicio o Germanio que forma una
estructura tetraédrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos,
en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando
el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a
la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a
temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y
el germanio respectivamente.
• Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo
que los electrones pueden caer, desde el estado energético
correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la
banda de valencia liberando energía. A este fenómeno se le
denomina recombinación. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de
recombinación se igualan, de modo que la concentración
global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo
"n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
•

8. Semiconductores Intrínsecos
•
Siendo ni la concentración intrínseca del
semiconductor, función exclusiva de la temperatura
y del tipo de elemento. Los electrones y los huecos
reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores
contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se
somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de
valencia, que tenderán a saltar a los huecos
próximos (2), originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la dirección
contraria al campo eléctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de
conducción.

10. Dopaje de Semiconductores
• En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al
proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin
de cambiar sus propiedades eléctricas.
• Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se
los conoce como extrínsecos.
• Un semiconductor altamente dopado que actúa más como
un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.

11. Dopaje de Semiconductores
• El número de átomos dopantes necesitados para crear
una diferencia en las capacidades conductoras de un
semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un
pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1
cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el
dopaje es bajo o ligero.
• Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden
de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el
dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se
representa con la nomenclatura N+ para material de
tipo N, o P+ para material de tipo P.

12. Tipo de Materiales Dopantes: Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas
que permiten la aparición de electrones sin huecos
asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se
llaman donantesya que "donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo.
De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad
eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es
neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los
átomos que conforman la estructura original, por lo que la
energía necesaria para separarlo del átomo será menor que
la necesitada para romper una ligadura en el cristal
de silicio (o del semiconductor original

13. Tipo de Materiales Dopantes: Tipo N
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que
los primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos
los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será
función directa de la cantidad de átomos de impurezas
introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo
(dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.

14. Tipo de Materiales Dopantes: Tipo P
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que
permiten la formación de huecos sin que aparezcan
electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse
una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores,
ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser
de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no
modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a
que solo tiene tres electrones en su última capa de valencia,
aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones
de los átomos próximos, generando finalmente más huecos
que electrones, por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios.

15. Tipo de Materiales Dopantes: Tipo P
Al igual que en el material tipo N, la cantidad de
portadores mayoritarios será función directa de la
cantidad de átomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el
Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrón
y, por tanto, es donado un hueco de electrón.

16. DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES
Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial
ELEKTRONIKA ETA TELEKOMUNIKAZIO SAILA
Industri Ingeniaritza Teknikorako Unibertsitate Eskola
ELECTRÓNICA BÁSICA
Curso de Electrónica Básica en Internet