El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo sus símbolos y características principales. Presenta transistores comunes PNP y NPN, multiemisores NPN, de efecto de campo como de canal N y P, y de efecto de campo de tipo enriquecimiento y empobrecimiento en N y P.

2. TRANSISTORES SIMBOLO CARACTERISTICA
DISEÑOS
• Permitiendo mayor corriente y
Común PNP velocidades de operación.
Común NPN
• Pequeña corriente circulando
NPN desde la base permite que una
con unión en corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
la cápsula
Multiemisor
NPN
• Son sensibles a la radiación
con conexión electromagnética
a base
NPN • Como un transistor normal con la
corriente de base (IB) (modo
sin conexión común).
a base • Como fototransistor.

3. TRANSISTORES SIMBOLO DISEÑOS CARACTERISTICA
• Tiene una resistencia de entrada
extremadamente alta (casi
Canal N 100MΩ).
• No tiene un voltaje de unión
cuando
Canal P se utiliza como conmutador
(interruptor).
• Es inmune a la radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar
una mayor estabilidad térmica.
Tipo
Empobrecimiento • Dispositivo de cuatro terminales
N surtidor (S),
drenador (D),
Tipo compuerta (G)
Empobrecimiento sustrato (B).
P • Consumo en modo estático muy bajo.
• Tamaño muy inferior al transistor
Tipo bipolar.
Enriquecimiento • Gran capacidad de integración
N • La velocidad de conmutación es muy
alta, siendo del orden de los
Tipo nanosegundos.
Enriquecimiento
P