1. Catálogo de
semiconductores
Alumna: Rebeca Mena Flores
Sección: 5-9

2. Diodo Rectificador
Características
• Trabajan tanto en polarización inversa como en
directa.
• Diseñados especialmente para convertir CA en
CC.
• Se dividen en diodos de señal y diodos de
potencia.
precio
1N4004 ¢50
1N4007 ¢100

3. Diodo ZenerCaracterísticas
• si se le aplica
una corriente del ánodo al cátodo (polarización
directa) toma las características de un diodo
rectificador básico, pero si se le
suministra corriente de cátodo a ánodo (polarización
inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión
constante.
• se comporta como un diodo convencional en
condiciones de alta corriente porque cuando recibe
demasiada corriente se quema.
Precio
5,6V ¢250

4. Diodo túnel
Características
• Se denominan también diodos Esaki.
• Poseen una zona de agotamiento
extremadamente delgada.
• En la curvaV-I tiene una región de
resistencia negativa.
Precio
¢60 a ¢100

5. Diodo LED
características
• Hechos generalmente de arseniuro de galio
fosfatado (GaAsP).
• Emiten una luz continua o intermitente
cuando se polarizan directamente.
• Se utilizan principalmente como indicadores
y para la construcción de visualizadores.
• Bajo ciertas condiciones, pueden también
actuar como detectores de luz.
Precio
¢45 a ¢250

6. Fotodiodo
Características
• Diodo provisto de une ventana
transparente cuya corriente inversa
puede ser contralada regulando la
cantidad de luz que pasa por la ventana
e incide sobre la unión PN.
• Son muy utilizados como sensores de
luz en fotografía, sistemas de
iluminación, contadores de objetos,
sistemas de seguridad, receptores de
comunicaciones ópticas.
Precio
¢80 a ¢100

7. Transistores
Dispositivo electrónico semiconductor
utilizado para producir una señal de
salida en respuesta a otra señal de
entrada. cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.

8. BJT
Características
• Formado por dos uniones PN de
cristal semiconductor.
• Se usan en electrónica analógica
primordialmente.
• Esta formado por 3 regiones:
Base, colector, emisor.
• En su funcionamiento normal, la
unión base-emisor está polarizada
en directa, mientras que la base-
colector en inversa.
Precio
¢ 250

9. JFET (Junction Field Effect
Transistor)
Características
• Se basan en el campo eléctrico para
controlar a un semiconductor.
• Tiene 3 terminales llamadas:
Puerta, drenador y fuente.
• La puerta es la equivalente a la base en un
BJT.
• Los transistores de efecto de campo o FET
más conocidos son los JFET, MOSFET y
MISFET.
Precio
¢80 a ¢100

10. MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor FET)
Características
• Su nombre en realidad es transistor
de campo metal-óxido-
semiconductor.
• Es un dispositivo de cuatro
terminales llamados surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B).
• Existen dos tipos en función de su
estructura interna: los de
empobrecimiento y los de
enriquecimiento.
Precio
¢150 a ¢200

11. Tiristores
Dispositivo semiconductor que consta
de cuatro capas parecidas a las de un
diodo, es decir, con estructura pn.Tiene
tres uniones, una pn, otra np, y otra pn.
Así también tres terminales (ánodo,
cátodo, compuerta).

12. SCR
Características
• Esta formado por 3 uniones PN.
• Su conducción entre ánodo y cátodo es
controlada por la puerta.
• Es unidireccional en el caso de la corriente.
• Funciona como rectificador y amplificador.
• Es un interruptor casi ideal.
• Es un amplificador eficaz.
Precio
¢150 a ¢300

13. TRIAC
Características:
• Su nombre es: tríodo para corriente
alterna.
• La diferencia es que este es bidireccional.
• Su disparo se realiza aplicando una
corriente a la puerta.
• Funciona como interruptor estático o
electrónico.
• Los de baja potencia se utilizan como
atenuador de luz.
Precio
¢1300 de 4A

14. DIAC
Características:
• conduce cuando haya superado su tensión
de disparo.
• La mayoría de los DIAC tiene una tensión de
disparo de 30V.
• Posee dos terminales el ánodo y el cátodo.
• Su uso específico (primordialmente) es
disparar losTRIACS.
• Conduce en los dos sentidos de sus
terminales, o sea, bidireccional.
Precio
¢60 a ¢150

15. IGBT
Características:
• Su nombre es transistor bipolar de puerta
aislada.
• Posee las características del FET pero en alta
corriente y baja saturación del BJT.
• Usado en aplicaciones de alta y media
energía en fuentes conmutadas.
• Dispositivo de conmutación en sistemas de
alta tensión.
Precio
¢15 a ¢150