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Por Alexis López Espinoza
Semiconductores intrínsecos
• Entres los principales elementos usados
para su elaboración, se encuentran el Silicio
y el Germanio, pero también el Estaño.
• No poseen impurezas.
• La corriente total resultante es igual a cero.
• Esto se debe a que existe la misma cantidad
de electrones libres que de huecos, los
cuales son dejados por los primeros al
desplazarse.
Semiconductores intrínsecos
• Cuando la temperatura es de cero grados
Kelvin (cero absoluto), el semiconductor se
comporta como aislante puesto que no hay
conductividad ya que los electrones
permanecen en la banda de valencia.
• Cuando la temperatura aumenta, estos se
excitan al punto que algunos electrones se
desplacen hacia la banda de conducción,
generando huecos y permitiendo así la
conductividad, dejando así de ser un aislante.
Semiconductores extrínsecos
•También llamados ‘dopados’.
•Poseen impurezas las cuales determinan
qué tipo de semiconductor extrínseco será;
si P o N.
•Los trivalentes, son de tipo P.
•Lo pentavalentes, son de tipo N.
Semiconductores extrínsecos tipo N
• Se caracterizan por tener un electrón sobrante.
• Esto se debe a que al ser pentavalente, posee
cinco electrones en la última capa, por lo que
al formarse el enlace covalente entre los cuatro
primeros, el quinto sobra y queda libre.
• Para este tipo de semiconductores, las
impurezas son dopadoras.
• La conductividad es superior a la del tipo P.
Semiconductores extrínsecos tipo P
• Se caracterizan por faltarles un electrón en la
última capa para formar el enlace covalente, lo
cual quiere decir que se genera un hueco.
• Al haber un hueco, los demás electrones pueden
tomarlo, generándose huecos por cada
desplazamiento.
• En este tipo de semiconductores, las impurezas
son aceptoras.
Fuentes
• http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas
/Pagina4.htm
• http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html
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Semiconductores

  • 1. Por Alexis López Espinoza
  • 2. Semiconductores intrínsecos • Entres los principales elementos usados para su elaboración, se encuentran el Silicio y el Germanio, pero también el Estaño. • No poseen impurezas. • La corriente total resultante es igual a cero. • Esto se debe a que existe la misma cantidad de electrones libres que de huecos, los cuales son dejados por los primeros al desplazarse.
  • 3. Semiconductores intrínsecos • Cuando la temperatura es de cero grados Kelvin (cero absoluto), el semiconductor se comporta como aislante puesto que no hay conductividad ya que los electrones permanecen en la banda de valencia. • Cuando la temperatura aumenta, estos se excitan al punto que algunos electrones se desplacen hacia la banda de conducción, generando huecos y permitiendo así la conductividad, dejando así de ser un aislante.
  • 4. Semiconductores extrínsecos •También llamados ‘dopados’. •Poseen impurezas las cuales determinan qué tipo de semiconductor extrínseco será; si P o N. •Los trivalentes, son de tipo P. •Lo pentavalentes, son de tipo N.
  • 5. Semiconductores extrínsecos tipo N • Se caracterizan por tener un electrón sobrante. • Esto se debe a que al ser pentavalente, posee cinco electrones en la última capa, por lo que al formarse el enlace covalente entre los cuatro primeros, el quinto sobra y queda libre. • Para este tipo de semiconductores, las impurezas son dopadoras. • La conductividad es superior a la del tipo P.
  • 6. Semiconductores extrínsecos tipo P • Se caracterizan por faltarles un electrón en la última capa para formar el enlace covalente, lo cual quiere decir que se genera un hueco. • Al haber un hueco, los demás electrones pueden tomarlo, generándose huecos por cada desplazamiento. • En este tipo de semiconductores, las impurezas son aceptoras.