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INGENIERIA DE SISTEMAS
Física Electrónica
Carlos Alberto Jaramillo Llamoja
Semiconductores Intrensecos
• Son elementos, como el germanio y
el silicio, que a bajas temperaturas
son aislantes. Pero a medida que se
eleva la temperatura o bien por la
adicción de determinadas
impurezas resulta posible su
conducción. Su importancia en
electrónica es inmensa en la
fabricación de transistores, circuitos
integrados, etc...
• Los semiconductores tienen
valencia 4, esto es 4 electrones en
órbita exterior ó de valencia. Los
conductores tienen 1 electrón de
valencia, los semiconductores 4 y
los aislantes 8 electrones de
valencia.
Como vemos los semiconductores se caracterizan
por tener una parte interna con carga + 4 y 4
electrones de valencia.
• Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una
posición vacante, y si aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, este
“hueco” puede ser ocupado por otro electrón de valencia, que deja a su vez
otro hueco. Este efecto es el de una carga +e moviéndose en dirección del
campo eléctrico. A este proceso le llamamos ‘generación térmica de pares
electrón-hueco’.
Paralelamente a este proceso se da el
de ‘recombinación’
Este fenómeno de la conducción asociada a la formación de pares en el
semiconductor se denomina conducción intrínseca. Se cumple que
p = n = ni --> Donde p y n son las concentraciones de huecos y electrones
respectivamente, y ni es la concentración de portadores intrínsecos.
CRISTAL DE SILICIO
• Al combinarse los átomos de
Silicio para formar un sólido, lo
hacen formando una estructura
ordenada llamada cristal. Esto se
debe a los "Enlaces Covalentes",
que son las uniones entre átomos
que se hacen compartiendo
electrones adyacentes de tal
forma que se crea un equilibrio de
fuerzas que mantiene unidos los
átomos de Silicio.
• Vamos a representar un cristal de
silicio de la siguiente forma:
• Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia
• La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones
que quedan ( aunque sean compartidos ) con cada átomo, gracias a esta
característica los enlaces covalentes son de una gran solidez.
• Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar
fuertemente unidos en los átomos.
• El aumento de la temperatura hace que los átomos en un cristal de silicio
vibren dentro de él, a mayor temperatura mayor será la vibración. Con lo
que un electrón se puede liberar de su órbita, lo que deja un hueco, que a
su vez atraerá otro electrón, etc...
A 0 ºK, todos los electrones son ligados. A 300 ºK o más, aparecen electrones libres.
Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo
entre la creación y desaparición de un electrón libre se denomina "tiempo de
vida".
Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es
una generación de pares electrón libre-hueco.
Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos la dirección de la
corriente como contraria a la dirección de los electrones libres.
Semiconductores Extrínsecos
Los semiconductores extrínsecos se caracterizan, porque tienen un pequeño
porcentaje de impurezas, respecto a los intrínsecos; esto es, posee elementos
trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento está
dopado.
Dependiendo de si está dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes, se
diferencian dos tipos:
• Semiconductor tipo N
• Semiconductor tipo P
Semiconductores tipo N
• Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
• Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres
dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo
hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del
cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y
se recombina con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan
hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia el
positivo de la batería.
Semiconductores tipo P
• Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son
los minoritarios.
• Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al
extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del
circuito externo.
En el circuito hay también un flujo de portadores
minoritarios. Los electrones libres dentro del
semiconductor circulan de derecha a izquierda.
Como hay muy pocos portadores minoritarios,
su efecto es casi despreciable en este circuito.

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  • 1. INGENIERIA DE SISTEMAS Física Electrónica Carlos Alberto Jaramillo Llamoja
  • 2. Semiconductores Intrensecos • Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas resulta posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la fabricación de transistores, circuitos integrados, etc... • Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de valencia. Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los aislantes 8 electrones de valencia. Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con carga + 4 y 4 electrones de valencia.
  • 3. • Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una posición vacante, y si aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, este “hueco” puede ser ocupado por otro electrón de valencia, que deja a su vez otro hueco. Este efecto es el de una carga +e moviéndose en dirección del campo eléctrico. A este proceso le llamamos ‘generación térmica de pares electrón-hueco’. Paralelamente a este proceso se da el de ‘recombinación’ Este fenómeno de la conducción asociada a la formación de pares en el semiconductor se denomina conducción intrínseca. Se cumple que p = n = ni --> Donde p y n son las concentraciones de huecos y electrones respectivamente, y ni es la concentración de portadores intrínsecos.
  • 4. CRISTAL DE SILICIO • Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre átomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los átomos de Silicio. • Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma: • Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia
  • 5. • La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan ( aunque sean compartidos ) con cada átomo, gracias a esta característica los enlaces covalentes son de una gran solidez. • Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en los átomos. • El aumento de la temperatura hace que los átomos en un cristal de silicio vibren dentro de él, a mayor temperatura mayor será la vibración. Con lo que un electrón se puede liberar de su órbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraerá otro electrón, etc...
  • 6. A 0 ºK, todos los electrones son ligados. A 300 ºK o más, aparecen electrones libres. Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre la creación y desaparición de un electrón libre se denomina "tiempo de vida". Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generación de pares electrón libre-hueco. Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos la dirección de la corriente como contraria a la dirección de los electrones libres.
  • 7. Semiconductores Extrínsecos Los semiconductores extrínsecos se caracterizan, porque tienen un pequeño porcentaje de impurezas, respecto a los intrínsecos; esto es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento está dopado. Dependiendo de si está dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes, se diferencian dos tipos: • Semiconductor tipo N • Semiconductor tipo P
  • 8. Semiconductores tipo N • Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". • Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.
  • 9. Semiconductores tipo P • Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. • Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo. En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.