1. 1
Ariel Cedola
GEMyDE • Electrical Engineering Department • Faculty of Engineering • UNLP • 48 y 116 La Plata (1900) • Argentina
+54 221 4236696 ext 221 • ariel.cedola@ing.unlp.edu.ar • https://ar.linkedin.com/in/arielcedola
Complete list of publications – updated 8/2015
Papers in scientific journals
“Dependence of the quantum dot photocurrent on the carrier escape nature in InAs/GaAs quantum dot solar cells”, A.
Cedola, F. Cappelluti and M. Gioannini (submitted to Semiconductor Science and Technology, 2015).
“Impact of carrier dynamics on the photovoltaic performance of quantum dot solar cells”, M. Gioannini, A. Cedola and
F. Cappelluti, IET Optoelectronics Vol. 9, N. 2, pp. 69-74, doi: 10.1049/iet-opt.2014.0080 (2015).
“Computational analysis of the maximum power point for GaAs sub-cells in InGaP/GaAs/Ge triple-junction space solar
cells”, M. Cappelletti, A. Cedola, E. L. Peltzer y Blancá, Semiconductor Science and Technology, Vol. 29, N. 11, pp.
115025-1 – 115025-6 (2014).
“Study of Photocurrent Enhancement Dependence on Background Doping in Quantum Dot Solar Cells by Numerical
Simulations”, A. Cedola, M. Gioannini, F. Cappelluti, M. Cappelletti, E. L. Peltzer y Blancá, IEEE Latin America
Transactions, Vol. 12, N. 5, pp. 922-927 (2014).
“Simulation of Quantum Dot Solar Cells Including Carrier Intersubband Dynamics and Transport”, M. Gioannini, A.
Cedola, N. Di Santo, F. Bertazzi and F. Cappelluti, IEEE Journal of Photovoltaics, Vol. 3 N. 4, pp. 1271-1278 (2013).
"Numerical Analysis of Si and GaAs Solar Cells Exposed to Space Radiation", M.A. Cappelletti, G. Casas, A. Cedola y
E.L. Peltzer y Blancá. IEEE Latin American Trans. Vol. 11, N. 1, pp. 268-273 (2013).
“Theoretical study of the maximum power point of n-type and p-type crystalline silicon space solar cells”, M.A.
Cappelletti, G. Casas, A. Cedola y E.L. Peltzer y Blancá. Semiconductor Science and Technology, Institute of Physics
(IOP), Vol. 28, 045010. doi:10.1088/0268-1242/28/4/045010 (2013).
“An Iterative Method Applied to Optimize the Design of PIN Photodiodes for Enhanced Radiation Tolerance and
Maximum Light Response”, A. Cedola, M.A. Cappelletti, G. Casas y E.L. Peltzer y Blancá. Nuclear Instruments and
Methods in Physics Research Section A, Vol. 629, Issue 1, 11 February 2011, pp. 392-395, ISSN 0168-9002, doi:
10.1016/j.nima.2010.10.044 (2011).
“Theoretical study of neutron effects on PIN photodiodes with deep-trap levels”, M.A. Cappelletti, A. Cedola y E.L.
Peltzer y Blancá. Semiconductor Science and Technology, Institute of Physics (IOP), Vol. 24, 105023.
doi:10.1088/0268-1242/24/10/105023 (2009).
“Simulation of silicon PIN photodiodes for use in space-radiation environments”, M.A. Cappelletti, A. Cedola y E.L.
Peltzer y Blancá. Semiconductor Science and Technology, Institute of Physics (IOP), Vol. 23, 025007. doi:
10.1088/0268-1242/23/2/025007 (2008).
Papers in conference proceedings
“Study of the Electrical Performance of n-GaAs subcells in InGaP/GaAs/Ge 3J Solar Cells under 1 MeV Electron
Irradiation using Computer Simulation”, Cappelletti M. A., Casas G. A., Cedola A. and Peltzer y Blancá E. L., Proc.
14th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices - NUSOD 2014, pp. 163-164, ISBN:
978-1-4799-3681-6, 1-4 Sept. 2014, Palma de Mallorca, España.
“Estudios Teóricos del Incremento de la Fotocorriente en Celdas Solares de Puntos Cuánticos con Diferentes Niveles
de Dopado mediante Simulaciones Numéricas”, A. Cedola. M. Gioannini, F. Cappelluti, M. Cappelletti, E. L. Peltzer y
Blancá, Proc. 2014 IEEE Biennial Congress of Argentina ARGENCON 2014, p. 884, ISBN: 978-1-4799-4269-5, 11-13
Junio 2014, Bariloche, Argentina.
“Design and implementation of a measurement unit for laser testing of semiconductor memories”, I. Garda, A. Cedola,
M. A. Cappelletti, F. San Juan y E. L. Peltzer y Blancá, Proc. of the 2013 Argentine School of Micro-Nanoelectronics
Technology and Applications EAMTA 2013, pp. 96-101, ISBN: 978-987-1907-44-1, 15-16 August 2013, Buenos Aires,
Argentina.

2. 2
“Modelización numérica para el estudio de celdas solares basadas en nanoestructuras semiconductoras”, Cedola A.,
Cappelletti M. A., Casas G. A. y Peltzer y Blancá E. L., Libro de resúmenes extendidos de las Segundas Jornadas de
Investigación y Transferencia, Facultad de Ingeniería, UNLP, 21-23 de Mayo de 2013, La Plata, Argentina, pp. 522-
527, ISBN: 978-950-34-0946-6.
“Detailed Drift Diffusion Model for the Analysis and Design of Quantum Dot Solar Cells”, A. Cedola, M.A. Cappelletti,
M. Gioannini, F. Cappelluti , F. Bertazzi, M. Goano, in FOTONICA 2012, 14° Convegno Nazionale delle Tecnologie
Fotoniche, Firenze, 15-17 Mayo 2012 – ISBN 9788887237146.
“Estudios sobre dispositivos electrónicos y materiales”, E. L. Peltzer y Blancá, M. A. Cappelletti, A. Cedola y R. P.
Napán Maldonado, Libro de resúmenes extendidos de las Primeras Jornadas de Investigación y Transferencia,
Facultad de Ingeniería, UNLP, 12-14 Abril 2011, La Plata, Argentina, pp. 226-233, ISBN: 978-950-34-0717-2.
“A computerized method for carrier lifetime measurement in PN junctions at high and low-level injection”, S. Montero,
A. Cedola, M.A. Cappelletti y Eitel L. Peltzer y Blancá. Proc. of Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology
and Applications (EAMTA), 2010 , pp.87-93, ISBN: 978-1-4244-6747-1, 7-8 October 2010, Montevideo, Uruguay.
“A method for improving the radiation tolerance of PIN photodiodes by optimization of n− layer thickness and light
wavelength”, A. Cedola, M.A. Cappelletti y E.L. Peltzer y Blancá. Proc. of LATW 2010, Pages: 1-4. doi:
10.1109/LATW.2010.5550341. ISBN 978-1-4244-7786-9. 2010 11th Latin American Test Workshop (LATW’10), 28-31
March 2010, Punta del Este, Uruguay.
“Study of Radiation Effects on PIN Photodiodes with Deep-Trap Levels using Computer Modeling”, M.A. Cappelletti,
A. Cedola, S. Barón, G. Casas, E.L. Peltzer y Blancá. Proc. of LATW 2009, Pages: 1-6. doi:
10.1109/LATW.2009.4813803. ISBN: 978-1-4244-4207-2, 10th IEEE Latin American Test Workshop (LATW´09),
Buzios, Brasil.
“Computational Analysis of Dark Current in Proton Irradiated PIN Photodiodes”, M.A. Cappelletti, A. Cedola y E.L.
Peltzer y Blancá, Proc. of IWCE (2007), 247-248, IWCE-12 IEEE International Workshop on Computational
Electronics, Amherst, Massachussets, USA.
“Optimization of PIN Photodiodes Parameters for Enhanced Proton Radiation Tolerance Based on Numerical
Simulations”, M.A. Cappelletti, A. Cedola y E.L. Peltzer y Blancá. IEEE International Semiconductor Device Research
Symposium (2007) ISBN: 978-1-4244-1892-3, Maryland, USA.
“Modeling Irradiation-Induced Charging-Annealing Dynamics In Metal-Oxide-Semiconductor Devices”, A. Faigón, A.
Cedola, E. G. Redin, G. Kruszenski, J. Lopez, M. Maestri, J. Lipovetzky, A. Docters. Recent Advances in
Multidisciplinary Applied Physics: Proc. of the 1st International Meeting on Applied Physics, APHYS 2003, pp. 841-
847, A. Méndez-Vilas, Ed., ISBN 008 0446485, Elsevier (2005).
"Two hole traps numerical modeling of radiation effects in MOS devices", A. Cedola and E. Redin, Proc. of Radiation
Effects on Components and Systems RADECS 2004, pp. 347-350, ISBN 84-930056-1-4, Madrid, Spain (2004).
“Estudio de dispositivos semiconductores expuestos a la radiación espacial”, G. Domingo Yagüez, D. N. Villarraza, M.
A. Cappelletti, A. Cedola, E. L. Peltzer y Blancá, ANALES AFA Asociación Física Argentina, vol. 15, pp. 202-206,
ISBN 0327-358X (2004).
Edited books
E.L. Peltzer y Blancá, M.A. Cappelletti, A. Cedola y G. Casas, “Proceedings of the 1st International Workshop on
Semiconductor Devices Modeling and Electronic Materials (SDMEM 2010) and IEEE EDS Mini-Colloquium”, UNLP
(2011) ISBN 978-950-34-0794-3.
Contributions in conferences
“Study of Excitonic Carrier Dynamics in Quantum Dot Solar Cells by Numerical Simulations”, A. Cedola, F. Cappelluti
and M. Gioannini (accepted at 1
st
International Forum on Research and Technologies for Society and Industry, IEEE,
Torino, Italy, 2015).
“Sensor de Imagen CMOS con Detección de Color Sensible a la Polarización”, Cedola Ariel, Osio Jorge, Escobar
Mauro, Cappelletti Marcelo, Peltzer y Blancá Eitel, Rapallini José, Carbonetto Sebastián y Lipovetzky José, Terceras
Jornadas de Investigación y Transferencia, Facultad de Ingeniería, UNLP, 20-22 de Abril de 2015, La Plata,
Argentina.

3. 3
“Estudio de Materiales Fotosensibles e Hidruros. Su Aplicación a Dispositivos Electrónicos y Reservorios de
Hidrógeno”, R.P. Napán Maldonado, M. Cappelletti, A. Cedola y E.L.Peltzer y Blancá, Terceras Jornadas de
Investigación y Transferencia, Facultad de Ingeniería, UNLP, 20-22 de Abril de 2015, La Plata, Argentina.
“Sensor de Imagen CMOS con Detección de Color Sensible a la Polarización” Rapallini J., Osio J., Escobar M.,
Cedola A., Cappelletti M., Peltzer Y Blancá E., Carbonetto S. and J. Lipovetzky, XXI Workshop IBERCHIP, 24-27
Febrero 2015, Montevideo, Uruguay.
SEMI South America Semiconductor Strategy Summit, 19-20 Nov. 2014, Buenos Aires, Argentina. Asistencia.
Invitado por la empresa Unitec Blue.
“Simulación numérica del efecto no aditivo de la fotocorriente aportada por los puntos cuánticos en celdas solares de
banda intermedia”, A. Cedola, Primeras Jornadas de Tesistas de la Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional de
La Plata, 9 Oct. 2014, La Plata, Argentina.
“Study of the Electrical Performance of n-GaAs subcells in InGaP/GaAs/Ge 3J Solar Cells under 1 MeV Electron
Irradiation using Computer Simulation”, Cappelletti M. A., Casas G. A., Cedola A. and Peltzer y Blancá E. L., 14th
International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices - NUSOD 2014, 1-4 Sept. 2014, Palma
de Mallorca, España.
“Estudios Teóricos del Incremento de la Fotocorriente en Celdas Solares de Puntos Cuánticos con Diferentes Niveles
de Dopado mediante Simulaciones Numéricas”, A. Cedola, M. Gioannini, F. Cappelluti, M. Cappelletti, E. L. Peltzer y
Blancá, IEEE Biennial Congress of Argentina ARGENCON 2014, 11-13 Junio 2014, Bariloche, Argentina.
“Investigation on the Photovoltaic Performance of Quantum Dot Solar Cells through Self-Consistent Modeling of
Transport and Quantum Dot Carrier Dynamics”, F. Cappelluti, A. Cedola, M. Gioannini, Semiconductor and Integrated
Optoelectronics Conference, SIOE 2014, April 29th – May 1st 2014, Cardiff University, Cardiff, Reino Unido.
“Design and implementation of a measurement unit for laser testing of semiconductor memories”, I. Garda, A. Cedola,
M. A. Cappelletti, F. San Juan y E. L. Peltzer y Blancá, Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and
Applications, EAMTA 2013, 15-16 Agosto 2013, Buenos Aires, Argentina.
“Modelización numérica para el estudio de celdas solares basadas en nanoestructuras semiconductoras”, Cedola A.,
Cappelletti M. A., Casas G. A. y Peltzer y Blancá E. L., Segundas Jornadas de Investigación y Transferencia,
Facultad de Ingeniería, UNLP, 21-23 de Mayo de 2013, La Plata, Argentina.
“Simulation of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells including Inter-Subband Carrier Dynamics”, M. Gioannini, A.
Cedola, N. Di Santo, F. Bertazzi y F. Cappelluti, Semiconductor and Integrated Optoelectronics Conference, SIOE’13,
9-11 Abril 2013, Cardiff University, Cardiff, Wales, UK.
“Unidad de Investigación, Desarrollo, Extensión y Transferencia – Grupo de Estudio de Materiales y Dispositivos
Electrónicos (GEMyDE)”, E. L. Peltzer y Blancá, M. A. Cappelletti, R. Napán Maldonado, A. Cedola y G. Casas,
Seminario Académico Post Río+20 y Cambio Climático, 1 Noviembre 2012, Ensenada, Argentina.
“Nuevos conceptos en dispositivos fotovoltaicos. Modelización numérica para el análisis y diseño de InAs/GaAs
QDSCs”, A. Cedola, M. A. Cappelletti, E. L. Peltzer y Blancá y M. Gioannini, NANOCORDOBA 2012, 1-3 Octubre
2012, Villa Carlos Paz, Córdoba, Argentina.
“Medición de corrientes oscuras y fotocorrientes en receptores ópticos”, Ferreyra J., Cappelletti M., Cedola A. y
Peltzer y Blancá E. L., 97ª Reunión Nacional de Física, AFA 2012, 25-28 Septiembre 2012, Villa Carlos Paz,
Córdoba, Argentina.
“Desarrollo de un Código Computacional para el Análisis de Celdas Solares de Si y GaAs expuestas a Radiación
Espacial”, M. A. Cappelletti, G. Casas, A. Cedola y E. L. Peltzer y Blancá, IEEE ARGENCON 2012, 13-15 de Junio de
2012, Córdoba, Argentina.
"Detailed Drift Diffusion Model for the Analysis and Design of Quantum Dot Solar Cells", A. Cedola, M. A. Cappelletti,
M. Gioannini, F. Cappelluti, F. Bertazzi y M. Goano, 14th Italian National Conference of Photonic Technologies, 15-17
Mayo 2012, Florencia, Italia.
"Enhanced radiation hardness of Si-PIN solar cells exposed to 10 MeV proton irradiation", M. A. Cappelletti, G. A.
Casas, A. Cedola y E. L. Peltzer y Blancá, Workshop on New Materials for Renewable Energy, 17-21 Octubre 2011,
International Centre for Theoretical Physics (ICTP), Trieste, Italia.

4. 4
“Estudios sobre dispositivos electrónicos y materiales”, E. L. Peltzer y Blancá, M. A. Cappelletti, A. Cedola y R. P.
Napán Maldonado, Primeras Jornadas de Investigación y Transferencia. Facultad de Ingeniería, UNLP, 12-14 Abril
2011, La Plata, Argentina.
"A computerized method for carrier lifetime measurement in PN junctions at high and low-level injection", S. Montero,
A. Cedola, M. A. Cappelletti y E. L. Peltzer y Blancá, Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and
Applications, EAMTA 2010, 7-8 Octubre 2010, Montevideo, Uruguay.
“A Method for Improving the Radiation Tolerance of PIN Photodiodes by Optimization of n- Layer Thickness and Light
Wavelength”, A. Cedola, M. A. Cappelletti y E. L. Peltzer y Blancá, 11th IEEE Latin American Test Workshop,
LATW´10, 28-31 Marzo 2010, Punta del Este, Uruguay.
“Simulación de celdas solares de silicio mediante el código computacional SEMI-2D”, M. A. Cappelletti, G. Casas, A.
Cedola y E. L. Peltzer y Blancá, 95a Reunión Nacional de Física, AFA 2010, 28 Septiembre – 1 Octubre 2010,
Malargüe, Mendoza, Argentina.
“Enhanced radiation tolerance of Si detectors by addition of gold impurities: A simulation study”, A. Cedola, M. A.
Cappelletti y E. L. Peltzer y Blancá, 11th European Symposium on Semiconductor Detectors, 7-11 de Junio de 2009,
Wildbad Kreuth, Max-Planck Institut, Alemania.
“Análisis de un dispositivo optoelectrónico por medio de simulaciones numéricas”, S. Barón, M. A. Cappelletti, A.
Cedola y E. L. Peltzer y Blancá, XV Workshop de IBERCHIP, 25-27 Marzo 2009, Buenos Aires, Argentina.
“Study of Radiation Effects on PIN Photodiodes with Deep-Trap Levels using Computer Modeling”, M. A. Cappelletti,
A. Cedola, S. Barón, G. Casas and E.L. Peltzer y Blancá, 10th IEEE Latin American Test Workshop, LATW´09, 2-5
Marzo 2009, Buzios, Brasil.
“Investigation of Deep-Level Effects on Dark Current of Proton Irradiated Silicon PIN Photodiodes” A. Cedola, M. A.
Cappelletti and E. L. Peltzer y Blancá, Seventh International Conference on Advanced Semiconductor Devices and
Microsystems, ASDAM 2008, 12–16 Octubre 2008, Smolenice, Slovakia.
“Modelización de fotodiodos con diferentes niveles de trampas profundas” M. A. Cappelletti, A. Cedola, S. Montero y
E. L. Peltzer y Blancá Blancá, 93a Reunión Nacional de Física, AFA 2008, 15-19 Septiembre 2008, Buenos Aires,
Argentina.
“Medición de tiempos de vida en dispositivos semiconductores: Comparación de los métodos OCVD y RR”, S.
Montero, A. Cedola, M. A. Cappelletti y E. L. Peltzer y Blancá, 93a Reunión Nacional de Física Argentina, AFA 2008,
15-19 Septiembre 2008, Buenos Aires, Argentina.
“Theoretical Spectral Response in Proton Irradiated PIN Photodiodes”, A. Cedola, M. A. Cappelletti and E. L. Peltzer y
Blancá, 9th IEEE Latin American Test Workshop, LATW´08, 18-20 Febrero 2008, Puebla, México.
“Computational Analysis of Dark Current in Proton Irradiated PIN Photodiodes”, M. A. Cappelletti, A. Cedola y E. L.
Peltzer y Blancá, International Workshop on Computational Electronics, IWCE-12, 8-10 Octubre 2007, Amherst,
Massachussets, USA.
“Optimization of PIN Photodiodes Parameters for Enhanced Proton Radiation Tolerance Based on Numerical
Simulations”, M. A. Cappelletti, A. Cedola y E. L. Peltzer y Blancá, International Semiconductor Device Research
Symposium, ISDRS 2007, 12-14 Diciembre 2007, Maryland, USA.
“Modelo numérico para la optimización de fotodiodos bajo radiación espacial”, M. A. Cappelletti, A. Cedola y E. L.
Peltzer y Blancá, First International Workshop on Dependable Circuit Design, DECIDE 2007, 6-7 Diciembre 2007,
Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI), Buenos Aires, Argentina.
“Análisis numérico de la corriente oscura de fotodiodos expuestos a radiación solar”, M.A. Cappelletti, A. Cedola y
E.L. Peltzer y Blancá, 92ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina, AFA 2007, 24-27 Septiembre 2007,
Salta, Argentina.
“Análisis de la Respuesta Espectral y de la Corriente Oscura de Fotodiodos sometidos a Radiación Espacial”, M.A.
Cappelletti, A. Cedola y E.L.Peltzer y Blancá, XV Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Asociación de
Universidades Grupo Montevideo (AUGM), 24-26 Octubre 2007, Universidad Nacional de Asunción, San Lorenzo,
Paraguay.

5. 5
“Comportamiento de Fotodiodos PIN de Silicio bajo Radiación Espacial”, M.A. Cappelletti, A. Cedola y E.L.Peltzer y
Blancá, Primer Encuentro de Jóvenes Investigadores en Ciencia y Tecnología de Materiales, 28-29 Septiembre 2006,
Instituto de Tecnología Jorge Sabato, Centro Atómico Constituyentes, San Martín, Buenos Aires, Argentina.
“Parámetros Opticos de Fotodiodos PIN bajo Radiación Espacial”, M. A. Cappelletti, A. Cedola y E. L. Peltzer y
Blancá, 91ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina, AFA 2006, 25-29 Septiembre 2006, Villa de Merlo,
San Luis, Argentina.
"Two hole traps numerical modeling of radiation effects in MOS devices", A. Cedola and E. Redin, Radiation Effects
on Components and Systems, RADECS 2004, 22-24 Septiembre 2004, Madrid, España.
"Técnica de borrado eléctrico para la reutilización de dosímetros MOS", J. Lipovetzky, E. G. Redin, M. Maestri, A.
Cedola y A. Faigón, 89º Reunión de la Asociacion de Fisica Argentina, AFA 2004, 20-23 Septiembre 2004, Bahía
Blanca, Argentina.
"Modelización numérica del atrapamiento de carga positiva en la capa de óxido de transistores MIS sometidos a
radiación", A. Cedola y A. Faigón, 89º Reunión de la Asociacion de Fisica Argentina, AFA 2004, 20-23 Septiembre
2004, Bahía Blanca, Argentina.
“Modeling Irradiation-Induced Charging-Annealing Dynamics in Metal-Oxide-Semiconductor Devices”, A. Faigón, A.
Cedola, E. G. Redin, G. Kruszenski, J. Lopez, M. Maestri, J. Lipovetzky y A. Docters, 1st International Meeting on
Applied Physics, APHYS 2003, 15-18 Octubre 2003, Badajoz, España.
"Transitorios de captura y liberación de carga en estructuras metal-óxido-semiconductor sometidas a radiación
ionizante", Cedola A., López J., Redin G., Maestri M. y Faigón A., 88ª Reunión Nacional de la Asociación Física
Argentina, AFA 2003, 22-25 Septiembre 2003, Bariloche, Argentina.
“Efectos del cambio de polarización en la carga y descarga de óxidos en estructuras MOS sometidas a radiación
ionizante”, A. Cedola, J. López, G. Redin, G. Gainza y A. Faigón, 11º Jornadas de Jovenes Investigadores de la
Asociación de Universidades Grupo Montevideo (AUGM), 10-12 Setiembre 2003, La Plata, Argentina.
"Simulación de dispositivos semiconductores: Aceleración de la convergencia en el análisis numérico de capacitores
MOS con campos eléctricos elevados", A. Cedola y A. Faigón, 87ª Reunión Nacional de la Asociación Física
Argentina, AFA 2002, 16-19 Septiembre 2002, Huerta Grande, Córdoba, Argentina.
"Desarrollo de un dosímetro basado en estructuras semiconductoras", J. López, A. Cedola, G. Kruczenski y A.
Faigón, 87ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina, AFA 2002, 16-19 Septiembre 2002, Huerta Grande,
Córdoba, Argentina.