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República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular Para la Educación
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA TERRITORIAL “LUDOVICO
SILVA”
NÚCLEO PUNTA DE MATA
Prof. :
Ing.:
Mariangela
Pollonais .
Bachilleres:
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Rectificación de potencia
En las aplicaciones de la electrónica de
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  • 1. República Bolivariana de Venezuela Ministerio del Poder Popular Para la Educación UNIVERSIDAD POLITÉCNICA TERRITORIAL “LUDOVICO SILVA” NÚCLEO PUNTA DE MATA Prof. : Ing.: Mariangela Pollonais . Bachilleres: Arcia Eydelin. Blanco Yaritcia . Martínez Leomarys. Santil Dorys.
  • 2. Rectificación de potencia En las aplicaciones de la electrónica de potencia es el acondicionamiento de señales. Pues bien, los rectificadores se encargaran de transformar una tensión alterna de entrada en una continua de salida. Ejemplo: tiristor
  • 3. Diodos de potencia El diodo de potencia es uno de los dispositivos mas importantes de los circuitos de potencias, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. Curva característica
  • 4. Construcción de los diodos de potencia 1) Preparación de una oblea de silicio muy puro. 2) Crecimiento de oxido sobre áreas seleccionadas de la superficie del semiconductor. 3) Crecimiento de una capa epitaxial en la oblea de silicio. 4) Fotolitografía. 5) Difusión. 6) Implantación iónica. 7) Formación metálica.
  • 5. Encapsulado de los diodos de potencia 1.- DO35, 2.- DO-41, 3.- SOD-57, 4.- TO- 3, 5.- TO-48, 6.- SOD-23,7.- KBL, 8.- WOW..
  • 6. Estáticas: Parámetros de bloqueo: Parámetros de conducción: Modelos estáticos del diodo: : Características estáticas y dinámicas
  • 7.
  • 8. Transistor de potencia Construcción del transistor Mesa Bometaxial Epi-base Epitaxial planar Difusión triple
  • 10. Transistor de corte y saturación
  • 11. Protección en la conmutación Los semiconductores presentan unos limites muy estrictos en cuanto a valores máximos en tensión corriente y potencia soportados, que si son superados podrían provocar la destrucción del dispositivo.