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ELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS 2º Curso de Instalaciones Electromecánicas Mineras Tema 1: Componentes Electrónicos El transistor de efecto de campo Profesor:  Javier Ribas Bueno
Componentes electrónicos: El transistor de efecto de campo ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
[object Object],[object Object],[object Object],Transistores JFET Canal N Canal P G  - Puerta (GATE) D  - Drenador (DRAIN) S  - Surtidor o fuente (SOURCE)
Estructura interna de un JFET Canal N Canal P
Funcionamiento de un JFET de canal N (I) ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Funcionamiento de un JFET de canal N (II) Entre D y S se tiene una resistencia que varía en función de U SG
Funcionamiento de un JFET de canal N (III) ,[object Object],[object Object]
Características eléctricas de un JFET de canal N Característica real Característica linealizada
Características eléctricas de un JFET de canal P Curvas idénticas al de canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto
Resumen de las características de un JFET de unión: ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Funcionamiento en conmutación del JFET: Aplicando una onda cuadrada en los terminales U GS  se puede conseguir que el JFET actúe como un interruptor
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor) Canal N Canal P G  - Puerta (GATE) D  - Drenador (DRAIN) S  - Surtidor o fuente (SOURCE) Canal N Canal P MOSFET acumulación MOSFET deplexión
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I) Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con el surtidor S Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (II) ,[object Object],[object Object],Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
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  • 2.
  • 3.
  • 4. Estructura interna de un JFET Canal N Canal P
  • 5.
  • 6. Funcionamiento de un JFET de canal N (II) Entre D y S se tiene una resistencia que varía en función de U SG
  • 7.
  • 8. Características eléctricas de un JFET de canal N Característica real Característica linealizada
  • 9. Características eléctricas de un JFET de canal P Curvas idénticas al de canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto
  • 10.
  • 11. Funcionamiento en conmutación del JFET: Aplicando una onda cuadrada en los terminales U GS se puede conseguir que el JFET actúe como un interruptor
  • 12. Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor) Canal N Canal P G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN) S - Surtidor o fuente (SOURCE) Canal N Canal P MOSFET acumulación MOSFET deplexión
  • 13. Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I) Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con el surtidor S Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
  • 14.
  • 15.
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