3. DESARROLLO.
PARA COMENZARSE SOLICITARON LOSSIGUIENTES MATERIALES.
1 MULTITESTER CON CHICOTES.
1 FUENTE DE PODERSIMPLE CON CHICOTES.
1 PROTOBOARD.
2 TR 2N2222.
1 RESISTENCIA 3.3 KΩ.
1 RESISTENCIA 470 KΩ.
1 RESISTENCIA 150 KΩ.
IMAGEN 1. CIRCUITO A REALIZAR.
R.C = 3.3 KΩ
R.B = 470 KΩ
4. 1. Determinación de estado del T.R con el MTT en posición diodo, medir voltaje
de unión B.E (base – emisor) y BC (base colector).
- Teniendo en cuenta el valor normal fluctúa entre 500 <-> 800mV.
- Como se ve en las imágenes valor es el estimado ideal.
IMAGEN 2. MEDICION BASE EMISOR
IMAGEN 3. MEDICION BASE COLECTOR.
5. 2. Comprobación de resistencias.
-Como se nota en la imagen la resistencias medidas se encontraban en valores
optimos.
IMAGEN4. PROCESO DE COMPROBACION ESTADO DE RESISTENCIAS.
6. 3. Montaje de circuito.
En la imagen nos encontramos en el proceso , de montaje del circuito.
IMAGEN 5. ARMADO DE CIRCUITO.
7. IMAGEN 6.CIRCUITO TERMINADO.
4. Medición de voltaje en cada resistencia y registro de la misma. Calculo con ley de
OHM, corriente de base y colector.
5. Calculo de HFE y comparación con