Memoria virtual Ibzan Infante

2. TIPOS DE MEMORIA
Se clasifican según su modo de lectura:
• Lectura destructiva: Al leer el contenido de una posición de memoria , la información almacenada desaparece.
Este tipo de memoria precisa de una regeneración del contenido, después de efectuada una operación de lectura.
• Lectura no destructiva: Donde la operación de lectura no provoca la perdida de la información almacenada. Hay
que hacer constar que la casi totalidad de las memorias centrales modernas pertenecen a este grupo.
Según su modo de retener la información:
• Volátiles: Para que el contenido permanezca memorizado, es necesario un fuente de alimentación . Al
desconectarla, se pierde la información almacenada. Este se divide en:
 Memoria RAM (Random Access Memory). Esta memoria permite almacenar y leer la información que la CPU
necesita mientras está ejecutando un programa, Además, almacena los resultados de las operaciones efectuadas
por ella. Este almacenamiento es temporal, ya que la información se borra al apagar el ordenador. la memoria
RAM se instala en los zócalos que para ello posee la placa base. Y se sub-divide en:

3.  DRAM: acrónimo de "Dynamic Random Access Memory", o simplemente RAM ya que es la original, y por tanto la
más lenta. Usada hasta la época del 386, su velocidad de refresco típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste
que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, la más rápida es la de 70 ns.
Físicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.
 FPM (Fast Page Mode): a veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace
tanto que pocas veces se las diferencia. Algo más rápida, tanto por su estructura (el modo de Página Rápida) como
por ser de 70 ó 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estándar. Usada hasta con los primeros Pentium,
físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
 EDO o EDO-RAM: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos
mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Mientras que la memoria tipo FPM sólo podía acceder a un solo byte (una instrucción o valor) de información de
cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la caché interna del procesador para un
acceso más rápido por parte de éste. La estándar se encontraba con refrescos de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo
en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
 SDRAM: Sincronic-RAM. Es un tipo síncrono de memoria, que, lógicamente, se sincroniza con el procesador, es
decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los
tipos anteriores. Sólo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es la opción para ordenadores nuevos.

4.  SDRAM funciona de manera totalmente diferente a FPM o EDO. DRAM, FPM y EDO transmiten los datos
mediante señales de control, en la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj
externa.
 PC-100 DRAM: Este tipo de memoria, en principio con tecnología SDRAM, aunque también la habrá EDO. La
especificación para esta memoria se basa sobre todo en el uso no sólo de chips de memoria de alta calidad, sino
también en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso
este debe cumplir unas tolerancias mínimas de interferencia eléctrica; por último, los ciclos de memoria también
deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles confusiones, los módulos compatibles
con este estándar deben estar identificados así: PC100-abc-def.
 BEDO (Burst Extended Data Output): Fue diseñada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al
igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero
no de forma continuada, como la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los
tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria.
 RDRAM: (Direct Rambus DRAM). Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir ráfagas de 2ns y puede
alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con picos de 1,6 GB/s. Es el componente ideal para las tarjetas gráficas
AGP, evitando los cuellos de botella en la transferencia entre la tarjeta gráfica y la memoria de sistema durante el
acceso directo a memoria (DIME) para el almacenamiento de texturas gráficas.

5.  DDR SDRAM: (Double Data Rate SDRAM o SDRAM-II). Funciona a velocidades de 83, 100 y 125MHz, pudiendo
doblar estas velocidades en la transferencia de datos a memoria. En un futuro, esta velocidad puede incluso llegar a
triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se adaptaría a los nuevos procesadores. Este tipo de memoria tiene la ventaja
de ser una extensión de la memoria SDRAM, con lo que facilita su implementación por la mayoría de los
fabricantes.
 SLDRAM: Funcionará a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de
800MB/s, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que puede
ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta transferencia de datos.
 ESDRAM: Este tipo de memoria funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a
alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s.

6. • No volátiles: La información persiste aun desconectando la fuente de alimentación de la unidad de memoria, esto es
el contenido memorizado sin consumo energético. A continuación se divide en:
 ROM (memoria de acceso inalterable), memoria de computadora en la cual se han grabado de antemano los datos .
Una vez que los datos se hayan escrito sobre un chip ROM, no pueden ser quitados y pueden ser leídos solamente.
Se sub-divide en:
 MEMORIA PROM (programmable Read –Only Memory) la memoria de solo lectura programable puede ser
escrita (programada) a traves de un dispositivo especial,un programador PROM. La escritura de la memoria PROM
tiene lugar fundiendo los fusibles necesarios por lo que la memoria PROM solo puede ser programada una vez.
 MEMORIA EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) la memoria de solo lectura programable y
borrable puede ser borrada mediante su exposición a la luz ultravioleta y luego se puede rescribir con un
programador EPROM. Una exposición repetida a la luz ultravioleta puede destruir eventualmente la memoria
EPROM pero generalmente es necesario muchas exposiciones antes de que la memoria EPROM se haga inutilizable.
 MEMORIA FLASH O EEPROM (Electrically Erasable Read-Only Memory) la memoria de solo lectura
programable y eléctricamente borrable , puede ser borrada eléctricamente y luego escrita sin sacarla del ordenador.
Esta forma de escritura es mas lenta que copiar en la memoria RAM o leer desde cualquier memoria ROM.

7. USOS PRINCIPALES DE LAS MEMORIAS
La memoria es el dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informáticos durante algún período de
tiempo. Esta proporciona una de las principales funciones de la computación moderna: el almacenamiento de
información y conocimiento.
La memoria RAM almacena la información necesaria que el sistema operativo requiere para ejecutar las
aplicaciones en sus sucesivos usos, ya que guarda las instrucciones durante una misma sesión para obtener un
acceso más rápido a los programas.

8. VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LAS MEMORIAS
Ventajas:
• Permite optimizar uso de memoria
• Mantiene más procesos en memoria principal
• Mantiene en disco partes del proceso poco usadas (rutinas de atención a errores poco frecuentes, funciones de uso
esporádico, datos no usados, …) .
• Permite que un proceso sea más grande que toda la memoria principal
• Se encarga el Sistema Operativo: evita al usuario la preocupación por programar con superposición.
• Con respecto a la performance del sistema: Se cuenta con una memoria virtualmente más extensa con la misma
memoria real. Se utiliza mucho más eficientemente la memoria real.
• Con respecto al desarrollo de aplicaciones: Al eliminar las restricciones de memoria permite diseñar los sistemas
más fácilmente, en menor tiempo y a menos costo. Hace más sencillo el mantenimiento y la ampliación de los
programas. Hace más justificable el diseño e implementación de algunas aplicaciones, cuyos requerimientos de
memora varíen bastante en su ejecución de acuerdo al volumen y complejidad de las transacciones. con respecto a la
operación del computador: Permite que un equipo de una memoria real menor pueda ser usado sin dificultad como
back-up en caso de necesidad. Hace innecesario efectuar ciertos procedimientos cuyo único propósito es un mejor
aprovechamiento de la memoria real. Simplifica las actividades de planificación

9. Desventajas:
• Sobrecarga por gestión compleja de memoria
• Costo asociado a la transformación de direcciones;
• Memoria adicional que requiere para almacenar las tablas que debe mantener el sistema operativo (memoria real de
la parte residente del sistema operativo)para indicar: la cantidad de memoria real implementada, las secciones que
están presente en la memoria real y sus direcciones de ubicación, y elementos de juicio para determinar qué
secciones se tratarán de dejar en memoria real y cuáles no, o que sección será desplazada cuando otra sección de
memoria virtual deba ser llevada a memoria real; pequeño desperdicio de memoria que se produce en la última
página de un programa (ya que rara vez el tamaño del programa es múltiplo del tamaño de las páginas); merma en el
rendimiento del computador si es incorrectamente utilizada; posible incremento del tiempo de ejecución de cada
programa como consecuencia de la paginación (operaciones de entrada/salida que demorarán la ejecución del
programa).
• Usando un dispositivo de mayor velocidad; estableciendo más dispositivos de paginación; reduciendo o eliminado
archivos del dispositivo de paginación; reduciendo la actividad del canal que corresponde al dispositivo de
paginación; o aumentando un poco la memoria real.

10. EVOLUCIÓN DE LOS TIPOS DE MEMORIA
• RAM :
 Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y
1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y
principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material
ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de
memoria muy pequeña.
 En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de
Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de
1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito,
lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético.
 En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las
memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia
MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines,1 mientras sus competidores las fabricaban en el empaque
DIP de 22 pines. A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de
banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se
realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
 FPM RAM (Fast Page Mode RAM) Fueron muy utilizadas en los 486 y los primeros Pentium, contaba con dos
velocidades de acceso: 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas.

11.  EDO-RAM (Extended Data Output RAM) Fue lanzada en 1995. Sus tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponían una
mejora sobre su antecesora la FPM. Con una velocidad máxima de 66 Mhz, la EDO también es capaz de enviar
direcciones contiguas pero consigue además eliminar estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta
que comienza el próximo ciclo de lectura.
 BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM,
fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de
manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado.
 RIMM, (Rambus Inline Memory Module o Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de
memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años
1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de
memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años. A pesar de que su rendimiento era muy
superior a la tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, no tuvo gran aceptación en el mercado de
PC debido a su alto coste.
 DRAM (Dynamic RAM) fueron las utilizadas en los primeros módulos (tanto en los SIMM como en los primeros
DIMM). Es un tipo de memoria más barata que la SDRAM, pero también bastante más lenta, por lo que con el paso del
tiempo ha dejado de utilizarse. Esta memoria es del tipo asíncronas, es decir, que iban a diferente velocidad que el
sistema, y sus tiempos de refresco eran bastante altos (del orden de entre 80ns y 70ns), llegando en sus últimas
versiones, las memorias EDO-RAM a unos tiempos de refresco de entre 40ns y 30ns.
 SDRAM: Las memorias SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) son las utilizadas actualmente. Son un tipo de
memorias síncronas, es decir, que van a la misma velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso que en los tipos
más recientes de DDR3 son inferiores a los 10ns, llegando a los 5ns en los más rápidos.
• ROM: Las memorias ROM han evolucionado gradualmente desde memorias fijas de sólo lectura hasta convertirse
en memorias que pueden programarse y reprogramarse. ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Memoria flash.

12.  PROM: Inventada en 1956 permitía a los usuarios modificarla, sólo una vez con la aplicación de pulsos de alto
voltaje.
 En 1971 se desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su
contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta.
 Más tarde en 1983 se inventó la EEPROM, resolviendo el conflicto número 4 de la lista ya que se podía
reprogramar el contenido.
 En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar
y reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún
daño.
• CACHE:
La memoria cache nació cuando se descubrió que las memorias ya no eran capaces de acompañar a la velocidad del
procesador, haciendo que muchas veces este último se quedara "esperando" por los datos que debía entregar la memoria
RAM para poder concluir sus tareas, perdiendo mucho rendimiento. Si en la época del 386, año 1991, la velocidad de
las memorias ya era un factor limitante, imagina este problema hoy, con los procesadores que tenemos actualmente.
Para solucionar este problema, se comenzó a usar la memoria cache, un tipo ultra-rápido de memoria que sirve para
almacenar los datos que son más frecuentemente utilizados por el procesador, evitando, la mayoría de las veces, tener
que recurrir a la comparativamente lenta memoria RAM. Sin la memoria cache, la performance del sistema estaría
limitada a la velocidad de la memoria, pudiendo caer hasta un 95%!.
• SD:
 El formato SD nació en el año 1999 cuando las compañías SanDisk, Matsushita y Toshiba acordaron crear un nuevo
formato que substituyese al MultiMediaCard añadiéndole la posibilidad de soportar sistemas manejo de derechos de
autor.

13.  SDHC: Lanzado en el año 2006, la especificación Secure Digital High Capacity permitía crear tarjetas de hasta
32GB de capacidad y venían preformateadas en el sistema de ficheros FAT32 (creado por Microsoft). Los lectores
compatibles con SDHC también eran capaces de leer y escribir tarjetas de memoria SDSC, pero no al revés, es decir,
un lector de tarjetas o cámara más antigua del 2006 no podía leer tarjetas SDHC.
 SDXC: En el año 2009 sale el formato Secure Digital eXtended Capacity, que soporta un máximo teórico de 2TB
(pero todavía no he visto ninguna tarjeta de esta capacidad, tiempo al tiempo). La especificación de este formato
obliga a que las tarjetas sean formateadas en el sistema de ficheros exFAT de Microsoft.
• Memory Stick:
es un formato de tarjeta de memoria, comercializado por Sony, en octubre de 1998. El Memory Stick original estaba
disponible con capacidades de hasta 128 MiB, y una versión más pequeña, la Memory Stick Select, que permite tener
dos núcleos de 128 MiB en una misma tarjeta. La Memory Stick Pro tiene un máximo de memoria de 32 GiB de
acuerdo con Sony, con tamaños que van hasta los 8 GiB disponibles para 2006 y para 2008 los de 16 GiB.
• SSD:
SSD basados en RAM :
 En 1978, Texas memory presentó una unidad de estado sólido de 16 KB basado en RAM para los equipos de las
petroleras.
 En 1979 StorageTek desarrolló el primer tipo de unidad de estado sólido moderna.
 En Septiembre de 1986, Santa Clara Systems presentó el BATRAM, que constaba de 4 MB ampliables a 20
MB usando módulos de memoria; dicha unidad contenía una pila recargable para conservar los datos una vez no
estaba en funcionamiento...

14. SSD basados en flash:
 En 1995, M-Systems presentó unidades de estado sólido basadas en flash. Desde entonces, los SSD se han
utilizado exitosamente como alternativas a los discos duros por la industria militar y aeroespacial, así como en
otros menesteres análogos.
 BiTMICRO en 1999, hizo gala de una serie de presentaciones y anuncios de unidades de estado sólido
basados en flash de 18 GB en formato de 3,5 pulgadas.
 Fusion-io en 2007 anunció unidades de estado sólido con interfaz PCI Express capaz de realizar 100000
operaciones de Entrada/Salida en formato de tarjeta de expansión con capacidades de hasta 320 GB.
 En el CeBIT 2009, OCZ ha lucido un SSD basado en flash de 1 TB con interfaz PCI Express x8 capaz de
alcanzar una velocidad máxima de escritura de 654 MB/s y una velocidad máxima de lectura a 712 MB/s.
 En diciembre de 2009, Micron Technology anunció el primer SSD del mundo, utilizando la interfaz SATA III

15. CONCLUSIÓN
Desde el inicio las memorias digitales han sido de gran importancia ya que aporta mejoras en el día a día de las
personas; gracias a la calidad y rapidez de tales dispositivos de almacenamientos. Con el paso del tiempo se puede
percibir como ha evolucionado el sistema de las mismas, con la simple finalidad de guardar información de forma
segura. Sin estás memorias es imposible el funcionamiento de algunos artefactos tales como, las computadoras,
Cámaras, Video Grabadoras, Reproductores, Teléfonos móviles, etc.

16. BIBLIOGRAFÍA
Mora. E. (s.f). Las memorias de un computador – Monografias. Recuperado de
http://www.monografias.com/trabajos16/memorias/memorias.shtml
Cruz, T. Barrientos, A. Suarez, M. Tipos de memoria (s.f). Recuperado de
https://es.slideshare.net/reginasp85/tipos-de-memoria-497006
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http://castillosa.blogspot.com/2015/01/ventajas-y-desventajas.html
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https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio
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https://es.wikipedia.org/wiki/Unidad_de_estado_sólido
InformaticaHoy (s.f). La memoria cache. Recuperado de
http://www.informatica-hoy.com.ar/aprender-informatica/La-memoria-cache.php