MEMORIAS DE LA PC

1. Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como
memorias RAM de la sigla en inglés Random Access
Memory.
Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y
contienen un conjunto de variables de dirección que
permiten
seleccionar cualquier dirección de memoria de forma
directa e independiente de la posición en la que se
encuentre.

2.  Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la
información cuando no hay energía y se clasifican en
dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM
dinámica.
 Las Memorias Estáticas (SRAM) son más rápidas
porque no consumen ciclos de refresco, pero son más
caras. Se utilizan en las memorias caché y de vídeo.
 Las Memorias Dinámicas (DRAM) son más baratas
pero más lentas que las anteriores puesto que
consumen ciclos de refresco.

3.  Es donde el ordenador guarda los datos que está
utilizando en el momento presente. Se llama de acceso
aleatorio porque el procesador accede a la información
que está en la memoria en cualquier punto sin tener
que acceder a la información anterior y posterior. Es la
memoria que se actualiza constantemente mientras el
ordenador está en uso y que pierde sus datos cuando
el ordenador se apaga.

4. Es la memoria desde donde el procesador recibe las
instrucciones y guarda los resultados. Es el área de
trabajo para la mayor parte del software de un
computador.
 Existe una memoria intermedia entre el procesador y la
RAM, llamada cache, pero ésta sólo es una copia (de
acceso rápido) de la memoria principal (típicamente
discos duros) almacenada en los módulos de RAM.
 Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente
deben ser cargadas en memoria RAM. El procesador
entonces efectúa accesos a dicha memoria para cargar
instrucciones y enviar o recoger datos. Reducir el
tiempo necesario para acceder a la
memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema.

5.  La Kingston
 MARKVISION
 OTRAS MENOS RECONOCIDAS:
QUIOMONDA
KRETON
ELIXIR
NEC
BUFALO
VDATA
TREND

6.  FPM (Fast Page Mode):
A veces llamada DRAM, puesto que
evoluciona directamente de ella, y se usa
desde hace tanto que pocas veces se las
diferencia.
Algo más rápida, tanto por su estructura (el
modo de Página Rápida) como por ser de 70
ó 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM
normal o estándar. Usada hasta con los
primeros Pentium, físicamente aparece como
SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los
Pentium y algunos 486). en la misma fila
(página) sea mucho más rápido.

7.  EDO o EDO-RAM:
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM.
Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los
anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que
la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Mientras que la memoria tipo FPM sólo podía acceder a
un solo byte (una instrucción o valor) de información de
cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque
completo de memoria a la caché interna del procesador
para un acceso más rápido por parte de éste. La
estándar se encontraba con refrescos de 70, 60 ó 50
ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos,
aunque existe en forma de DIMMs de 168.

8.  DDR: (DOUBLE DATA RATE):
Estas transfieren al doble que las Dimm, y pues
inicialmente era soportada 1 Gb pero después
empezaron a soportar 2 Gb por mucho las board.
 Ddr2:
funciona al doble de las DDR, las board que las usaban
inicialmente soportaban solo 2 Gb, pero ahora con la
implementación De 64 bits, soporta hasta 4 Gb y 8 Gb.
 DDR3: Esta anda al triple de las DDR, lo malo es
que son muy caras, traen una latencia de memoria
mayor, latencia es lo que se demora en entrar
acceder y salir por ciclo

9.  SIMM( SINGLE IN MEMORY MODULE):
Están eran de las mas viejitas que hay, pues creo que
habían capacidades desde 2 Mb hasta 32 Mb, y si se
querían usar se tenían que poner en pares de a 2
iguales.

DIMM(DUAL IN MEMMORY MODULE):
Estas memorias son las que trabajan a ritmo doble, y
pues lo usual que llegaba una PC con esas memorias
era de 512 Mb. Hasta 1 Gb.

10.  PC-100 DRAM:
Este tipo de memoria, en principio con tecnología
SDRAM, aunque también la habrá EDO. La
especificación para esta memoria se basa sobre
todo en el uso no sólo de chips de memoria de alta
calidad, sino también en circuitos impresos de alta
calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4;
en cuanto al circuito impreso este debe cumplir
unas tolerancias mínimas de interferencia eléctrica;
por último, los ciclos de memoria también deben
cumplir unas especificaciones muy exigentes. De
cara a evitar posibles confusiones, los módulos
compatibles con este estándar deben estar
identificados así: PC100-abc-def.

11.  RDRAM (Direct Rambus DRAM):
Es un tipo de memoria de 64 bits que puede
producir ráfagas de 2ns y puede alcanzar tasas de
transferencia de 533MHz, con picos de 1,6 GB/s.
Pronto podrá verse en el mercado y es posible que
tu próximo equipo tenga instalado este tipo de
memoria.
Es el componente ideal para las tarjetas gráficas
AGP, evitando los cuellos de botella en la
transferencia entre la tarjeta gráfica y la memoria
de sistema durante el acceso directo a memoria
(DIME) para el almacenamiento de texturas
gráficas. Hoy en día la podemos encontrar en las
consolas NINTENDO 64.

12.  DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o SDRAM-II):
Funciona a velocidades de 83, 100 y 125MHz, pudiendo
doblar estas velocidades en la transferencia de datos a
memoria. En un futuro, esta velocidad puede incluso
llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se
adaptaría a los nuevos procesadores. Este tipo de
memoria tiene la ventaja de ser una extensión de la
memoria SDRAM, con lo que facilita su implementación
por la mayoría de los fabricantes.

13. Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito
impreso que tienen soldados integrados de memoria
DRAM por una o ambas caras. La implementación
DRAM se basa en una topología de Circuito eléctrico
que permite alcanzar densidades altas de memoria por
cantidad de transistores, logrando integrados de cientos
o miles de Kilobits. Además de DRAM, los módulos
poseen un integrado que permiten la identificación del
mismos ante el computador por medio del protocolo de
comunicación SPD.

14. La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de
utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al
establecimiento de estándares de la industria como los
JEDEC.
 Módulos SIMM: Formato usado en computadores
antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
 Módulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se
caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
 Módulos SO-DIMM: Usado en computadores portátiles.
Formato miniaturizado de DIMM.

15.  El ordenador empieza a dar pitidos:
 El ordenador no arranca
 El ordenador arranca PERO la cantidad de
memoria nueva no aparece, sigue detectando la
cantidad antes de la actualización:
Es muy probable que el tipo de memoria no sea
del todo correcto y debamos cambiarla, hay que
verificar que hemos colocado la memoria correcta
para el sistema.

16.  TARJETA MADRE:

19.  VENTAJAS:
 Genera video al equipo.
 Dependiendo del procesador y la
capacidad de la memoria RAM puedes
obtener un equipo con una estabilidad
adecuada en rendimiento.
 DESVENTAJAS:

20.  Uno de los cuidados que debemos tener en cuenta al
manipular una memoria RAM es descargarnos
estáticamente pues la estática puede influir en los
errores frecuentes de una memoria RAM.
 También debemos manipular cuidadosa mente la RAM
cogiéndola por las dos extremidades de los lados con
los dedos índices.
 También debemos utilizar como herramienta una
manilla antiestática que evita que la memoria RAM
sufra algunas alteración por la estática.

23.  Si ya sabemos qué memoria vamos a poner y la
tenemos en mano, sólo nos queda el proceso físico de
su inserción; también podemos seguir estos pasos si
únicamente queremos ver la memoria que ya hay
puesta.
 Materiales necesarios: Un simple destornillador de
estrella.
Lo primero que debemos hacer es apagar el ordenador
y abrir la torre, esto es una operación muy sencilla y
que se debe repetir cada vez que queramos manipular
un componente de su interior, no sólo la memoria.
Quitamos los tornillos que sujetan las tapas o la
carcasa y las retiramos.

24.  ¡Precaución!: Antes de manipular el interior de la torre,
debemos tocar cualquier superficie metálica para
descargar nuestra electricidad estática que sería fatal
para cualquier componente interno.
 Ahora tenemos que identificar la ubicación de la
memoria, si miramos en la placa interna veremos una
zona similar a esta:

25.  La denominación “de Acceso aleatorio” surgió para diferenciarlas de las memoria de acceso
secuencial, debido a que en los comienzos de la computación, las memorias principales (o
primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o
masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se
hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero
actualmente la denominación no es precisa.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada
entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados
a finales de los años 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban reles y
líneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vacío para implementar las funciones
de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de
silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se
presentó una memoria DRAM de 1 Kilobite, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que
fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las
memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM
actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenia un desempeño mayor que la
memoria de núcleos.

26.  En 1973 se presentó una innovación que permitió otra
miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias
DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria.
MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de
16 pines,[2] mientras sus competidores las fabricaban en el
empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento[3] se
convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que
logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los
integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se
soldaban directamente a las placas base o se instalaban en
zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito
impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM
sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se
idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP,
aprovechando las ventajas de la construcción modular.
El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines
metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del
impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de
hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma
distribución de pines.

27. A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los
procesadores y el aumento en el ancho de banda
requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM
con el esquema original MOSTEK, de manera que se
realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento
como:
 FPM (Fast Page Mode):
 EDO o EDO-RAM:
 DDR: (DOUBLE DATA RATE):
 DDR2:
 DDR3:

28.  La Memoria de sólo lectura (normalmente conocida
por su acrónimo, Read Only Memory) es una clase de
medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y
otros dispositivos electrónicos. Los datos almacenados
en la ROM no se pueden modificar -al menos no de
manera rápida o fácil- y se utiliza principalmente para
contener el firmware (programa que está
estrechamente ligado a hardware específico, y es poco
probable que requiera actualizaciones frecuentes) u
otro contenido vital para el funcionamiento del
dispositivo.

29.  En su sentido más estricto, se refiere sólo a máscara ROM -
en inglés MROM- (el más antiguo tipo de estado sólido ROM):
Que se fabrica con los datos almacenados de forma
permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser
modificado. Sin embargo, las ROM más modernas,
como EPROM y Flash EEPROM se pueden borrar y
volver a programar varias veces, aún siendo descritos
como "memoria de sólo lectura (ROM), porque el
proceso de reprogramación en general es poco
frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se
permite la escritura en lugares aleatorios de la
memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los
dispositivos reprogramables son más flexibles y
económicos, por dicha razón, las máscaras ROM no se
suelen encontrar en hardware producido a partir de
2007.

30.  La escritura se realiza una sola vez.
 La información queda grabado aunque se le retire la
energía eléctrica.
 La capacidad de memoria ROM en un ordenador: se
encuentra entre 8K a 16K, un número suficientemente
grande para que este justificado asombrarse ante la
cantidad de información necesaria para llenar tal
cantidad de posiciones.

31. De un modo similar a la memoria RAM,
los chips ROM contienen una hilera de
filas y columnas, aunque la manera en
que interactúan es bastante diferente.
Mientras que RAM usualmente utiliza
transistores para dar paso a un
capacitador en cada intersección, ROM
usa un diodo para conectar las líneas si
el valor es igual a 1. Por el contrario, si el
valor es 0, las líneas no se conectan en
absoluto.

32.  MEMORIA PROM:
La memoria PROM (programmable Read
Only Memory) consiste en que el fabricante
entrega la memoria "vacía"; es decir el
programador pondrá en ellas los datos que
considera de interés para su trabajo. Una
vez grabada, es como si fuese una ROM
normal (tienen las mismas características
que aquellas que poseen las ROM).

33.  MEMORIAEPROM:
Las memorias EPROM (Erasable Programmable Read Only
Memory, o Memoria Programable y Borrable de Sólo
Lectura), son memorias PROM que se pueden eliminar.
Estos chips disponen de un panel de vidrio que deja entrar
los rayos ultra-violeta. Cuando el chip es sometido a rayos
ultra-violeta de una determinada longitud de onda, se
reconstituyen los fusibles, lo que implica que todos los bits
de memoria vuelven a 1. Por esta razón, este tipo de PROM
se denomina borrable.
 MEMORIA EEPROM:
(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, o
Memoria Programable de Sólo Lectura Borrable
Eléctricamente) también son memorias PROM borrables,
pero a diferencia de éstas, se pueden borrar mediante una
sencilla corriente eléctrica, es decir, incluso si se encuentran
en posición en el ordenador.

34.  MEMORIASDE ACCESOSECUENCIAL:
Se caracterizan por su tiempo de acceso, dependiendo
de la posición a que se quiera acceder respecto a un
punto de referencia inicial: Registro de desplazamiento
Dispositivos acopladores por carga o CCD (Charge
Soupled Device).

35.  Corto circuito
 Mala programación
 Fallo de energía

38. En las máscaras ROM los datos están codificados en
el mismo circuito, así que sólo se pueden programar
durante la fabricación. Esto acarrea serias
desventajas:
 Sólo es económico comprarlas en grandes
cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones
para producirlas según sus necesidades.
 El producto entre completar el diseño de la máscara y
recibir el resultado final es muy largo.
 Son inútiles para I+D por el hecho de que durante el
desarrollo se ha de producir más de una.
 Si un producto tiene un error en la máscara, la única
manera de arreglarlo es cambiando físicamente la
ROM.

39.  El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la
misma antigüedad que la propia tecnología
semiconductora. Las puertas lógicas combinacionales
pueden usarse en conjunto para indexar una dirección
de memoria de n bits en valores de m bits de tamaño
(una tabla de consultas). Con la invención de los
circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. La
máscara ROM consistía en una cuadrícula de líneas
formadas por una palabra y líneas formadas por un bit
seleccionadas respectivamente a partir de cambios en
el transistor. De esta manera podían representar una
tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagación
deductible.

40.  Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas
deficiencias, así pues se creó la memoria de sólo
lectura programable (PROM). Inventada en 1956
permitía a los usuarios modificarla, sólo una vez con la
aplicación de pulsos de alto voltaje. Eliminó los
problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que el usuario
podía pedir gran cantidad de PROMs vacías y
programarlas con el contenido necesario elegido por los
diseñadores. En 1971 se desarrolló la memoria de sólo
lectura programable y borrable (EPROM) que permitía
reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a
fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el
punto 3 de la anterior lista. Más tarde en 1983 se
inventó la EEPROM, resolviendo el conflicto número 4
de la lista ya que se podía reprogramar el contenido

41.  mientras proveyese un mecanismo para recibir
contenido externo (por ejemplo, a través de un
cable serial). En medio de la década de 1980
Toshiba inventó la memoria flash, una forma de
EEPROM que permitía eliminar y reprogramar
contenido en una misma operación mediante
pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún
daño. El producto más reciente es la memoria
NAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los
diseñadores rompieron explícitamente con el
pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo
de los discos duros y no de la antigua ROM. En
2007, NAND ha avanzado bastante en su meta,
ofreciendo un rendimiento comparable al de los
discos duros, una mejor tolerancia a los choques
físicos y una miniaturización extrema (como por
ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria
MicroSD).

42.  Es un tipo especial de memoria, que permite a la CPU
acceder a las direcciones y datos que se encuentran
contenidos en ésta de manera mucho más rápida que
su acceso a la memoria principal (de 3 a 5 veces más
rápido).
El "cerebro" del sistema de memoria caché es el
controlador de memoria caché. Cuando un controlador
de memoria caché recupera una instrucción de la
memoria principal, también guarda en la memoria
caché las próximas instrucciones. Esto se hace debido
a que existe una alta probabilidad de que las
instrucciones adyacentes también sean necesarias.

43. Esto aumenta la probabilidad de que la CPU encuentre
las instrucciones que necesita en la memoria caché,
permitiendo así que el ordenador funcione con mayor
rapidez.
 OBJETIVO:
 Mantener el tiempo de acceso promedio a la memoria
pequeño.
 Reducir el ancho de banda entre memoria principal y
procesador.

44.  MEMORIA CACHÉ O RAM CACHÉ:
Un caché es un sistema especial de
almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto
un área reservada de la memoria principal como un
dispositivo de almacenamiento de alta velocidad
independiente.
 Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria caché y caché
de disco. Una memoria cache, llamada también a
veces almacenamiento caché o RAM caché, es
una parte de memoria RAM estática de alta
velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM
dinámica (DRAM) usada como memoria principal.
La memoria cache es efectiva dado que los
programas acceden una y otra vez a los mismos
datos o instrucciones. Guardando esta información
en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta
DRAM.

45.  Cuando se encuentra un dato en la caché, se dice que
se ha producido un acierto, siendo un caché juzgado
por su tasa de aciertos (hit rate). Los sistemas de
memoria caché usan una tecnología conocida por
caché inteligente en la cual el sistema puede reconocer
cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las
estrategias para determinar qué información debe de
ser puesta en el cache constituyen uno de los
problemas más interesantes en la ciencia de las
computadoras. Algunas memorias cache están
construidas en la arquitectura de los
microprocesadores. Por ejemplo, el procesador
Pentium II tiene una caché L2 de 512 Kbytes.
La caché de disco trabaja sobre los mismos principios
que la memoria caché, pero en lugar de usar SRAM de
alta velocidad, usa la convencional memoria principal.
Los datos más recientes del disco duro a los que se ha
accedido (así como los sectores adyacentes) se
almacenan en un buffer de memoria.

46.  Los diferentes tipos de caché se organizan por niveles, formando
una jerarquía. En general se cumple que, a mayor cercanía a la
CPU, se presenta mayor velocidad de acceso y menor capacidad de
almacenamiento.
Nivel 1 (L1): Conocido como caché interno, es el nivel más
cercano a la CPU (está en el mismo núcleo) con lo que el
acceso se produce a la velocidad de trabajo del procesador(la
máxima velocidad). Presenta un tamaño muy reducido, en
Intel (4 a 32 KB), en VIA/Cyrix (1 a 64 KB), en AMD (8 a 128
KB).
 Nivel 2 (L2):Conocido como caché externo, inicialmente se
instalaba en la placa base (en el exterior de la CPU). A partir
de los procesadores Pentium4 vienen incorporado en el
procesador (no precisamente en el núcleo). El nivel L2
apareció con el procesador Pentium Pro, es una memoriamás
lenta que L1.

47. Pero de mayor capacidad. Los tamaños típicos de
la memoria caché L2 oscilan en la actualidad entre
256 KB y 4 MB.
Nivel 3 (L3):Se encuentra en algunas placas base,
procesadores y tarjetas de interfaz. El procesador
de Intel Itanium trae contenida en su cartucho al
nivel L3 que soporta un tamaño hasta de 4 MB, y
el Itanium 2 tolera hasta 6 MB de caché L3.
Nivel 4 (L4): Se encuentra ubicado en los
periféricos y en algunos procesadores como el
Itanium.

48. El siguiente diagrama
suministra una
representación
simplificada de los
elementos que
componen el
procesador (la
distribución física de
los elementos es
diferente a la
disposición).