2. DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo
de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa
principalmente en los módulos de memoria RAM y
en otros dispositivos, como memoria principal del
sistema. Se denomina dinámica, ya que para
mantener almacenado un dato, se requiere revisar el
mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo
de refresco.

3. Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que
todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad
se fabrican integrados con millones de posiciones y
velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no
hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la
información. Inventada a finales de los sesenta, es una
de las memorias más usadas en la actualidad.

4. Funcionamiento
La celda de memoria es la unidad
básica de cualquier memoria, capaz
de almacenar un Bit en los sistemas
digitales. La construcción de la celda
define el funcionamiento de la
misma, en el caso de la DRAM
moderna, consiste en un transistor de
efecto de campo y un condensador. El
principio de funcionamiento básico, es
sencillo: una carga se almacena en el
condensador significando un 1 y sin
carga un 0. El transistor funciona
como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador.

5. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de
hecho muchas memorias anteriores a la época de los
semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-
condensador.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma
de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de
las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen
millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de
silicio formando áreas que son visibles a simple vista.

6. Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de
memoria, más datos se pueden tener en ella y más aplicaciones
pueden estar funcionando simultáneamente, y por supuesto a
mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los
programas no necesitan buscar los datos continuamente en el
disco duro, el cual es muchísimo más lento.

7. La memoria RAM dinámica puede ser de diferentes tipos de acuerdo con su
tecnología de fabricación: FPM, EDO, SDRAM, BEDO y más recientemente
RDRAM.
FPM (Fast Page Mode)
Su nombre procede del modo en que
transfiere los datos, llamado
paginamiento rápido. Es la memoria
normal, y era el tipo de memoria más
popular hasta hace aproximadamente
dos años. Era el tipo de memoria
normal en los ordenadores 386, 486 y
los primeros Pentium y llego a alcanzar
velocidades de hasta 60 nanosegundos
(ns). Se presentaba en módulos SIMM
(Single In-line Memory Modulo)de 30
contactos (16 bits) para los 386 y 486 y
en módulos de 72 contactos (32 bits)
para las últimas placas 486 y las placas
para Pentium.

8. EDO (Extended Data Output)
A diferencia de la memoria FPM
que sólo podía acceder a un solo
byte (una instrucción o valor) de
información de cada vez, la
memoria EDO permite mover un
bloque completo de memoria a la
caché interna del procesador
para un acceso más rápido.
Permite alcanzar velocidades de
hasta 45 ns, suficiente para los
ordenadores Pentium, Pentium
Pro, y los primeros Pentium II que
demandan mayor velocidad de
proceso. Su compatibilidad es
muy alta y su precio muy bajo, lo
que la ha convertido en la opción
más popular aún hoy en día. Se
presenta en módulos SIMMde 72
contactos (32 bits) y módulos
DIMM (Dual In-line Memory
Modules)de 168 contactos (64
bits)

9. SDRAM (Synchronous DRAM)
Es un tipo síncrono de memoria, que, lógicamente, se sincroniza
con el procesador, es decir, el procesador puede obtener
información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera. La
memoria EDO está pensada para funcionar a una velocidad
máxima de BUS de 66 Mhz (la máxima velocidad de bus de los
procesador de Intel y el doble de la del BUS PCI), llegando a
alcanzar 75MHz y 83 MHz en los módulos de 45 y 50ns, aunque
con cierta inestabilidad.

10. BEDO (Burst Extended Data Output)
Fue diseñada originalmente para soportar mayores
velocidades de BUS. Al igual que la memoria
SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al
procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma
continuada, como la anterior, sino a ráfagas
(bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo
totalmente, los tiempos de espera del procesador para
escribir o leer datos de memoria.

11. RDRAM (Direct Rambus
DRAM)
Es un tipo de memoria de 64
bits que puede producir
ráfagas de 2ns y puede
alcanzar tasas de
transferencia de 533 MHz, con
picos de 1,6 GB/s. Es el
complemento ideal para las
tarjetas gráficas AGP. El
problema de este tipo de
memoria es que los
fabricantes, a diferencia de la
DDR RAM y la SLDRAM que
son arquitecturas
abiertas, deben pagar
derechos a Intel.

12. Memoria SDR 512 Pc 133 $ 69 99 6
cuotas de $ 1411
$ 144 96
6 cuotas de $ 29 23
$ 62 30
6 cuotas de $ 12 56

13. Dual Channel es una
tecnología para
memorias que
incrementa el
rendimiento de estas al
permitir el acceso
simultáneo a dos
módulos distintos de
memoria. Esto se
consigue mediante un
segundo controlador de
memoria en el
NorthBrigde.

14. Uno de los casos en los que más se nota este incremento en el rendimiento
es cuando tenemos una tarjeta gráfica integrada en placa base que utilice la
memoria RAM como memoria de vídeo. Con la tecnología Dual Channel la
gráfica puede acceder a un módulo de memoria mientras el sistema accede
al otro, pero en general vamos a notar un incremento en el rendimiento en
todas aquellas aplicaciones que hagan un alto uso de la memoria.
Para que la memoria pueda funcionar en Dual Channel, la placa base
debe soportarlo y además debemos tener dos módulos de memoria
exactamente iguales (Frecuencia, Latencias y Fabricante). Si los
módulos no son exactamente iguales no funcionará el Dual channel, e
incluso se pueden dañar los módulos de memoria.