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   Semiconductor es un elemento que se comporta como un
    conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
    como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la
    radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que
    se encuentre.
   En los semiconductores intrínsecos, cuando se aumenta la temperatura la
    vibración de las partículas puede romper los enlaces covalentes y los electrones
    pueden adquirir suficiente energía como para escapar de los enlaces covalentes
    y convertirse en un electrónes libres, para abandonar la capa de valencia y
    situarse en la capa de conducción. Es decir, que térmicamente pueden
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   Recordamos que la corriente consiste en el movimiento de los electrones, y que
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    conducción. Debe requerirse poca energía para mover los electrones y esta
    condición se cumple en la capa de conducción. Por otro lado, si en la estructura
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    carga neta, es decir, corriente.
   El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros
    elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas.
    Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
    intrínseco     aparecen        dos      clases      de        semiconductores.
   Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice
    que es de tipo P.
   Un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes
    se dice que es de tipo N.
   http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d5699384
    0f26d07/01d56994e30f40632/index.html
   http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/se
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  • 1. Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
  • 2. En los semiconductores intrínsecos, cuando se aumenta la temperatura la vibración de las partículas puede romper los enlaces covalentes y los electrones pueden adquirir suficiente energía como para escapar de los enlaces covalentes y convertirse en un electrónes libres, para abandonar la capa de valencia y situarse en la capa de conducción. Es decir, que térmicamente pueden generarse electrones y las ausencias de electrones en la capa de valencia, denominados huecos.  Recordamos que la corriente consiste en el movimiento de los electrones, y que si éstos están fuertemente ligados al átomo no será posible que exista conducción. Debe requerirse poca energía para mover los electrones y esta condición se cumple en la capa de conducción. Por otro lado, si en la estructura cristalina de enlaces covalentes hay déficit de electrones, o exceso de huecos, los electrones con energía, aunque no sea suficiente para escapar a la capa de conducción, pueden pasar a otro enlace, dando lugar así a la circulación de carga neta, es decir, corriente.
  • 3. El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.
  • 4. Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.
  • 5. Un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.
  • 6. http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d5699384 0f26d07/01d56994e30f40632/index.html  http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/se micond/dopado.htm  http://www.pcpaudio.com/pcpfiles/doc_amplificadores/semicon ductores/semiconductores.html#intr