Modelos del diodo
Símbolo del diodo
Conexión para la
polarización en directa
Conexión para la
polarización en inversa
Aproximación del diodo
El modelo ideal de un diodo
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂
𝑉𝐹 = 0𝑣
𝐼𝐹 =
𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛
𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟
𝐼𝑅 = 0𝐴
𝑉𝑅 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛
Ejemplos
1- Utilice el diodo ideal para
calcular la tensión y la corriente
en la carga de la figura
2- Calcular la tensión y la
corriente en la carga en el
circuito mostrado de la figura
utilizando un diodo ideal
El modelo práctico de un diodo
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂
𝑉𝐹 = 0.7𝑉
𝒔𝒖𝒔𝒕𝒊𝒕𝒖𝒚𝒆𝒏𝒅𝒐 𝒚 𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒏𝒅𝒐 𝒑𝒂𝒓𝒂 𝑰𝑭
𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 − 𝑉𝐹 − 𝑉𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟
= 0
𝑉𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟
= 𝐼𝐹𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟
𝑨𝒑𝒍𝒊𝒄𝒂𝒎𝒐𝒔 𝒍𝒂 𝒍𝒆𝒚 𝒅𝒆 𝒗𝒐𝒍𝒕𝒂𝒈𝒆 𝒅𝒆 𝒌𝒊𝒓𝒄𝒉𝒉𝒐𝒇𝒇
𝐼𝐹 =
𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 − 𝑉𝐹
𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
𝐼𝑅 = 0𝐴
𝑉𝑅 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛
Ejemplos
1- Utilizando el modelo práctico halle la
tensión de la carga, corriente y la potencia
del diodo en el circuito si el diodo es de
silicio
2- Calcule la tensión en la
carga, corriente en la carga y la
potencia en el diodo en el
circuito utilizando el modelo
práctico si el diodo es de
arseniuro de galio
El modelo completo de un diodo
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂
𝑉𝐹 = 0.7𝑉 + 𝐼𝐹𝑟′𝑑
𝐼𝐹 =
𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 − 0.7𝑉
𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 + 𝑟′𝑑
Ejemplos
1- El 1N4001 tiene una
resistencia interna 023 Ω ¿cual es
la tensión y la corriente en la
carga y la potencia del diodo?
Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características generales
de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuación, conocida como
ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa:
𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 𝒆
𝑽𝑫
𝒏𝑽𝑻 − 𝟏 (A)
𝑽𝑻 =
𝒌𝑻
𝒒
(V)
Como demostrar la curva característica
IS : La corriente de saturación inversa
VD : Es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo
n : Es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación
y construcción física; varia entre 1 y 2 según la diversidad de factores
T = Es la temperatura absoluta en Kelvin
273 + la temperatura en °C.
K = Es la constante de Boltzmann = 1.38x10-23 J/K
q = Es la magnitud de la carga del electrón 1.6x10-19C
10−16
a − 10−9
𝐴 según la
tecnología
Valor teórico n=1 Valor practico n de 1 a 2
VT : Voltaje térmico
Ejemplos
1- El diodo del circuito del gráfico
tiene un valor de I0 = 10−15 A y de VT
= 26 mV a 25℃.
a) Si Vi = 5 V y un potencial de 0.2 V,
obtenga numéricamente el valor de
Vo a 25℃.
Encapsulados típicos del diodo
Prueba de un diodo
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎
𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏
𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂
SEMICONDUCTORES parte2.pdf

SEMICONDUCTORES parte2.pdf

  • 1.
    Modelos del diodo Símbolodel diodo Conexión para la polarización en directa Conexión para la polarización en inversa
  • 2.
    Aproximación del diodo Elmodelo ideal de un diodo 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂 𝑉𝐹 = 0𝑣 𝐼𝐹 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟 𝐼𝑅 = 0𝐴 𝑉𝑅 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛
  • 3.
    Ejemplos 1- Utilice eldiodo ideal para calcular la tensión y la corriente en la carga de la figura 2- Calcular la tensión y la corriente en la carga en el circuito mostrado de la figura utilizando un diodo ideal
  • 4.
    El modelo prácticode un diodo 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂 𝑉𝐹 = 0.7𝑉 𝒔𝒖𝒔𝒕𝒊𝒕𝒖𝒚𝒆𝒏𝒅𝒐 𝒚 𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒏𝒅𝒐 𝒑𝒂𝒓𝒂 𝑰𝑭 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 − 𝑉𝐹 − 𝑉𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟 = 0 𝑉𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟 = 𝐼𝐹𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟 𝑨𝒑𝒍𝒊𝒄𝒂𝒎𝒐𝒔 𝒍𝒂 𝒍𝒆𝒚 𝒅𝒆 𝒗𝒐𝒍𝒕𝒂𝒈𝒆 𝒅𝒆 𝒌𝒊𝒓𝒄𝒉𝒉𝒐𝒇𝒇 𝐼𝐹 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 − 𝑉𝐹 𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 𝐼𝑅 = 0𝐴 𝑉𝑅 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛
  • 5.
    Ejemplos 1- Utilizando elmodelo práctico halle la tensión de la carga, corriente y la potencia del diodo en el circuito si el diodo es de silicio 2- Calcule la tensión en la carga, corriente en la carga y la potencia en el diodo en el circuito utilizando el modelo práctico si el diodo es de arseniuro de galio
  • 6.
    El modelo completode un diodo 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂 𝑉𝐹 = 0.7𝑉 + 𝐼𝐹𝑟′𝑑 𝐼𝐹 = 𝑉𝑃𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 − 0.7𝑉 𝑅𝐿𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 + 𝑟′𝑑
  • 7.
    Ejemplos 1- El 1N4001tiene una resistencia interna 023 Ω ¿cual es la tensión y la corriente en la carga y la potencia del diodo?
  • 8.
    Se puede demostrarpor medio de la física de estado sólido que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa: 𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 𝒆 𝑽𝑫 𝒏𝑽𝑻 − 𝟏 (A) 𝑽𝑻 = 𝒌𝑻 𝒒 (V) Como demostrar la curva característica IS : La corriente de saturación inversa VD : Es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo n : Es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y construcción física; varia entre 1 y 2 según la diversidad de factores T = Es la temperatura absoluta en Kelvin 273 + la temperatura en °C. K = Es la constante de Boltzmann = 1.38x10-23 J/K q = Es la magnitud de la carga del electrón 1.6x10-19C 10−16 a − 10−9 𝐴 según la tecnología Valor teórico n=1 Valor practico n de 1 a 2 VT : Voltaje térmico
  • 9.
    Ejemplos 1- El diododel circuito del gráfico tiene un valor de I0 = 10−15 A y de VT = 26 mV a 25℃. a) Si Vi = 5 V y un potencial de 0.2 V, obtenga numéricamente el valor de Vo a 25℃.
  • 10.
  • 11.
    Prueba de undiodo 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝑡𝑎 𝑷𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝒆𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂