TRANSISTORES

2. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»).
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre
otros.

3. • Fue el primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J.
Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve"
en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

5. • Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o tríodo, Al
principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los
denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la
corriente entre la fuente y la pérdida (colector) se controla usando un campo
eléctrico (salida y pérdida (colector) menores). Por último, apareció el
semiconductor metal-óxido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron un
diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente
integrados (IC). Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con la
denominada tecnología CMOS (semiconductor metal-óxido complementario).
La tecnología CMOS es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de
canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca
corriente en un funcionamiento sin carga.

7. • La frecuencia de corte de un transistor está determinada
principalmente por las dimensiones de su base. Pero por
medios mecánicos es imposible formar una base de muy
pequeñas dimensiones. Para obtener transistores que
trabajen en elevadas frecuencias se recurre a la
tecnología de unión difusa
• Para la fabricación de transistores de unión difusa se
parte de un transistor de unión. Una extremidad de la
barra se funde en forma de gota y de manera que pueda
recristalizarse de nuevo. Durante el enfriamiento el
germanio de base se difunde entre la parte difundida y la
parte solidificada; este proceso motiva una considerable
disminución del espesor de la base.
• El control del espesor de la base se realiza por medio de
las variaciones de temperatura y el tiempo de difusión, con
lo cual se obtienen bases con muy pocas micras de
espesor.
• El transistor de unión difusa tiene propiedades similares al
transistor de unión, pero presenta una respuesta más
elevada para la alta frecuencia.

9. • Transistor de unión obtenido por el proceso de crecimiento en pastilla de
semiconductor y procesos fotolitográficos utilizados para definir las
regiones de emisor y de base durante el crecimiento.
Se subdividen en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y
sobrecapa.

10. • El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.