LA practica consisti ´o en dise ˜ nar a partir de los conocimientos adquiridos en clase, diferentes configuraciones de aplicaci ´on para el transistor de efecto de campo mosfet , b´asicamente como compuertas l ´ogicas, usadas habitualmente en la electr ´onica digital. los transistores de efecto de campo o Mosfet, vienen en 2 tipos diferentes de configuraciones internas, tipo N y tipo P, que dependen del tipo de dopaje usado para crear tanto el gate, source y el drain. usando estos transistores en diferentes configuraciones, se pueden obtener varias aplicaciones como compuertas l ´ogicas, partiendo desde la mas b´asica que es la compuerta inversora.

1. 1
PRACTICA 6: TRANSISTOR MOSFET
APLICACIONES
Luis Francisco Mejia Pachon. Jose Andrey Ramirez Useche.
Oscar Camilo Pulido Mart´ınez
Abstract—The following report presents the results of the analysis of the design applications for MOSFET transistors,
mainly it as logic gates and other as power sources, with the purpose of check their features such as Vds limit values,
characteristic curve Id / Vds checking their entry into the triode region.
´Indice de T´erminos— Transistor MOSFET, Vds, compuertas logicas, inversor digital, Vol, Voh, Vih, Vil.
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1 INTRODUCCI ´ON
LA practica consisti´o en dise˜nar a partir
de los conocimientos adquiridos en clase,
diferentes configuraciones de aplicaci´on para
el transistor de efecto de campo mosfet ,
b´asicamente como compuertas l´ogicas, usadas
habitualmente en la electr´onica digital.
los transistores de efecto de campo o Mosfet,
vienen en 2 tipos diferentes de configuraciones
internas, tipo N y tipo P, que dependen del
tipo de dopaje usado para crear tanto el gate,
source y el drain.
usando estos transistores en diferentes
configuraciones, se pueden obtener varias
aplicaciones como compuertas l´ogicas,
partiendo desde la mas b´asica que es la
compuerta inversora.
2 AN ´ALISIS DE RESULTADOS
El transistor Mosfet configurado con el modelo
S, es decir como un interruptor, frente a
las diferentes configuraciones dise˜nadas y
provadas, se comporto satisfactoriamente
frente a lo predicho, siendo probadas, las
configuraciones de las compuertas, and , or,
nand, nor, exor y por supuesto el inversor.
3 PREGUNTAS SUGERIDAS
¿C´omo se afectar´ıa el funcionamiento del
circuito al introducir resistencias en ´el? Pues
1/Analoga/informe 7 mosfet 1/1.jpg
Tabla 1: valores obtenidos de la configuracion
de inversor de 2 mosfet uno N y otro P, cada
uno en su encapsulado individual.
Figura 1. Circuito implementado para la medi-
cion de las variables electricas en el diodo,
cuando se cambia su temperatura.
la carga aumentar´ıa la corriente del circuito
pueda que haya una ca´ıda de tensi´on m´ınima
¿En el circuito recortador que usted dise˜no
puede presentarse el caso en el cual los dos
diodos conducen en un mismo instante de

2. 2
tiempo?. Si como se observa en la figura 7 en
el semiciclo positivo los dos diodos D2 y D3
est´an en conducci´on.
¿El aumento de frecuencia en la se˜nal de
entrada afecta el funcionamiento en los
circuitos anteriores? No hasta la frecuencia
m´axima de operaci´on del diodo, del generador
y del condensador. Las simulaciones no
variaron el resultado ni el practica aumentando
en varios intervalos la frecuencia esto se puede
asociar el bajo valor del condensador, pero
al apagar las fuentes se observaba un tiempo
considerable de descarga del condensador que
para el osciloscopio su recta se acercaba al eje
x despu´es del corriemiento.
Realice variaciones en los niveles de corte,
¿encuentra limitaciones para ello? Si solo los
desplazamientos funcionaron con tensiones
de la fuente DC negativas al cambiar la
polaridad a positiva estas se˜nales conservaron
su posici´on.
¿Qu´e dificultades encuentra en la realizaci´on
de las mediciones? No hubo complicaciones
en la medici´on a la excepci´on de frecuencias
demasiadas altas, solo se presentaron
dificultades con los desplazamientos en la
se˜nal a positiva.
¿Encuentra diferencias entre las mediciones
y los c´alculos de dise˜no/resultados de
simulaci´on? ¿A qu´e atribuye las diferencias si
las hay? Las diferencias fueron m´ınimas pero
con el desplazamiento de la se˜nal del sujetador
no funciono puesto que en las simulaciones si
estaban presente.
¿Qu´e sucede si invierte la disposici´on de los
diodos en los circuitos empleados para generar
las cuatro se˜nales a reproducir? Quedan en
polarizaci´on inversa y la se˜nal se perder´ıa o un
da˜no en los condensadores por polarizaci´on.
4 CONCLUSIONES
Tanto las simulaciones como la pr´actica
tuvo mucha relaci´on puesto que varias de
estas simulaciones se obtuvieron los resultados
esperados, a excepci´on del corrimiento positivo
que no funciono en la pr´actica.
El circuito recortador es muy ´util puesto que
muchas veces se necesita el ciclo ´util recortado
o atenuado de una se˜nal.
As´ı mismo el circuito multiplicador aunque la
corriente no es tan ´util, se puede manipular
la tensi´on para tener una deseada; pero este
circuito es muy ideal pues al conectar una
fuerte carga no ser´ıa de mucho uso pues la
tensi´on sufrir´ıa varios cambios.
Los desplazamientos nos podr´ıan dar un gran
uso en cuanto al ciclo ´util y valor DC de una
se˜nal.
La frecuencia no fue un factor importante
en esta pr´actica pues tanto en las simulaci´on
como en el montaje no se obtuvieron cambios
considerables.
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BIBLIOGRAF´IA
[1] Boylestad R. and Nashelsky L. Electr´onica y Teor´ıa de
Circuitos. Prentice Hall.
[2] Sedra y Smith, circuitos microelectr´onicos 5ta edici´on, cap.
3, p´ag., 153- 171
[3]