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La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory) se utiliza como memoria
de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se
cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se
denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición de memoria
con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para
acceder a la información de la manera más rápida posible. Durante el encendido del
computador, la rutina POST verifica que los módulos de memoria RAM estén conectados de
manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los módulos, la mayoría de
tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal.
Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test básico sobre la memoria RAM
indicando fallos mayores en la misma a expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para
describir a los módulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores.
Esta memoria es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias
Flash, caché SRAM los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también
poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los
módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de
circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros dispositivos
como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente sobre la placa principal.
TSOP proviene de "Thin Small Out-line Package", lo que traducido significa conjunto de bajo
perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM RAM de celdas construidas a base
de capacitores), los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos
especiales de la tarjeta principal "Motherboard" Estos chips en conjunto iban sumando las
cantidades de memoria RAM del equipo.
Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM "Single
In line Memory Module", ya que las terminales se integraron a una placa plástica y se hizo mas
resistente a los dobleces.
SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de
memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de
ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria de un solo lado de la
tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta
principal Motherboard.
Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line Package").
Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line
Memory Module").
RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de
memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de
datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de
memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir,
también están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos
integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas
dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). También
se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente
independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de
datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y
además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de
celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos
lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de
la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que
cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar
DIMM
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de
datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el
uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo
DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de
memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web,
240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales
(Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que
cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar
DIMM.
.

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  • 3. Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM "Single In line Memory Module", ya que las terminales se integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los dobleces. SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal Motherboard. Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line Package"). Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module"). RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM
  • 4. DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. .