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SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR
 Es un elemento que se comporta como
un conductor o como aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo
eléctrico o magnético, la presión, la radiación que
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se encuentre.
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor
puro. Un cristal de silicio es un semiconductor
intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de
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Flujo de electrones libres
 La figura muestra parte un cristal de silicio entre
dos placas metálicas cargadas. Supóngase que la
energía térmica ha producido un electrón libre y un
hueco. El electrón libre se halla en una órbita
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 Flujo de huecos
Observe el hueco a la izquierda de la figura. Este hueco
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moviéndose hacia un hueco. Cuando el electrón de
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otro electrón de valencia. De esta forma, los electrones
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SEMICONDUCTORES DOPADOS
 Una forma de aumentar la conductividad de un
semiconductor es mediante el dopado. El dopado
supone que deliberadamente se añaden átomos de
impurezas a un cristal intrínseco para modificar su
conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado
se llama semiconductor extrínseco.
 Fuente:
 http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.html
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  • 2. SEMICONDUCTOR  Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
  • 3. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta más o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos producidos por excitación térmica.
  • 4. Flujo de electrones libres  La figura muestra parte un cristal de silicio entre dos placas metálicas cargadas. Supóngase que la energía térmica ha producido un electrón libre y un hueco. El electrón libre se halla en una órbita grande en el extremo derecho del cristal. Debido a la placa cargada negativamente, el electrón libre es repelido hacia la izquierda. Este electrón puede pasar de una órbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva.
  • 5.  Flujo de huecos Observe el hueco a la izquierda de la figura. Este hueco atrae el electrón de valencia del punto A, lo que provoca que el electrón de valencia se mueva hacia el hueco. Esta acción no es la misma que la recombinación, en la cual un electrón libre cae en un hueco. En vez de un electrón libre, se tiene un electrón de valencia moviéndose hacia un hueco. Cuando el electrón de valencia en el punto A se mueve hacia la izquierda, crea un nuevo hueco en el punto A. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco en el punto A puede atraer y capturar otro electrón de valencia. De esta forma, los electrones de valencia pueden desplazarse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas. Esto quiere decir que el hueco se puede mover en el sentido opuesto a lo largo de la trayectoria A-B-C-D-E-F.
  • 6.
  • 7. SEMICONDUCTORES DOPADOS  Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrínseco.
  • 8.
  • 9.
  • 10.
  • 11.  Fuente:  http://hyperphysics.phy- astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.html  http://www.monografias.com/trabajos6/fise/fise.sht ml#intri