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 Semiconductor intrínseco :
Se llama asi cuando el semiconductor esta en estado puro
, sin ningún átomo ni impureza dentro de su estructura
molecular , a temperatura pura se comporta como un
aislante ya que tiene pocos electrones libres y huecos
debidos a la energía térmica , existe en este tipo de
semiconductor flujo de electrones
 Si aplicamos la tension a un cristal de silicio ,
la pila intentara atraer los electrones y el
negativo los huecos favoreciendo asi la
aparicion de una corriente a traves del circuito
 Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues
son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los
átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos
posiblidades:
 Aplicar una tensión de valor superior
 Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el
exterior
 La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor
de la tensión aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor.
La solución elegida es la segunda.
 En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".
 El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de
otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de
impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al
semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de
semiconductores.
 Semiconductor tipo P
 Semiconductor tipo N
 -
http://www.profesormolina.com.ar/electronic
a/componentes/semicond/dopado.htm
 -
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semico
nductores)
 -
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semic
onductor/ke_semiconductor_4.htm

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  • 1.
  • 2.  Semiconductor intrínseco : Se llama asi cuando el semiconductor esta en estado puro , sin ningún átomo ni impureza dentro de su estructura molecular , a temperatura pura se comporta como un aislante ya que tiene pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica , existe en este tipo de semiconductor flujo de electrones
  • 3.
  • 4.
  • 5.  Si aplicamos la tension a un cristal de silicio , la pila intentara atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo asi la aparicion de una corriente a traves del circuito
  • 6.  Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posiblidades:  Aplicar una tensión de valor superior  Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior  La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la segunda.  En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".  El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.  Semiconductor tipo P  Semiconductor tipo N