2. SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS
En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque
la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía
térmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay
tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.
La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la
derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la
izquierda.
3. Los elementos semiconductores por excelencia son el silicio y el germanio,
aunque existen otros elementos como el estaño, y compuestos como el
arseniuro de galio que se comportan como tales.
Tomemos como ejemplo el silicio en su modelo bidimensional:
4. Vemos como cada átomo de silicio se rodea de sus 4 vecinos próximos con lo
que comparte sus electrones de valencia.
A 0ºK todos los electrones hacen su papel de enlace y tienen energías
correspondientes a la banda de valencia. Esta banda estará completa,
mientras que la de conducción permanecerá vacía. Es cuando hablamos de
que el conductor es un aislante perfecto.
Ahora bien, si aumentamos la temperatura, aumentará por consiguiente la
energía cinética de vibración de los átomos de la red, y algunos electrones de
valencia pueden absorber de los átomos vecinos la energía suficiente para
liberarse del enlace y moverse a través del cristal como electrones libres. Su
energía pertenecerá a la banda de conducción, y cuanto más elevada sea la
temperatura más electrones de conducción habrá, aunque ya a temperatura
ambiente podemos decir que el semiconductor actúa como conductor.
Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una
posición vacante, y si aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, este
“hueco” puede ser ocupado por otro electrón de valencia, que deja a su vez
otro hueco. Este efecto es el de una carga +e moviéndose en dirección del
campo eléctrico. A este proceso le llamamos „generación térmica de pares
electrón-hueco‟.
5. Paralelamente a este proceso se da el de „recombinación‟.Algunos electrones
de la banda de conducción pueden perder energía(emitiéndola en forma de
fotones, por ejemplo), y pasar a la de valencia ocupando un nivel energético
que estaba libre, o sea , “ recombinándose” con un hueco. A temperatura
constante, se tendrá un equilibrio entre estos dos procesos, con el mismo
número de electrones en la banda de conducción que el de huecos en la de
valencia.
Este fenómeno de la conducción asociada a la formación de pares en el
semiconductor se denomina conducción intrínseca. Se cumple que
p = n = ni --> Donde p y n son las concentraciones de huecos y electrones
respectivamente, y ni es la concentración de portadores intrínsecos.
6. SEMICONDUCTORES
DOPADOS
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro
(también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades
eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un
conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
7. Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la
aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este
tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de
valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo.
8. Tipo P
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como
ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores,
ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como el
Aluminio, el Indio o el Galio.