2. Cuando el silicio se encuentra formado por átomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se
encuentra en estado puro o más usualmente que es un semiconductor intrínseco .
Una barra de silicio puro está formada por un conjunto de átomos en lazados unos con otros según una
determinada estructura geométrica que se conoce como red cristalina.
Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos electrones de los órbitas externas
dejarán de estar enlazados y podrán moverse. Lógicamente si un electrón se desprende del átomo, este ya no
está completo, decimos que está cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha
aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrón.

3. El átomo siempre tendrá la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro
caso, intentará atraer un electrón de otro átomo para rellenar el hueco que tiene.
Toda inyección de energía exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor
de silicio.
Aparición y desaparición de huecos en los diversos átomos del semiconductor.
Queda así claro que el único movimiento real existente dentro de un semiconductores el de electrones. Lo que
sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor,
parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos,
es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, sólo parece que lo hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas positivas),
pues nos resulta más cómodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales.

4. El proceso inverso, es decir, la pérdida de energía de un electrón de la banda de conducción pasando a la de valencia,
se puede considerar como la aniquilación de un par electrón-hueco y se denomina recombinación de pares. La
recombinación es un mecanismo de tipo estadístico y por lo tanto dependerá del número de electrones libres y del
número de huecos. Generación y recombinación son mecanismos antagónicos y la densidad de electrones, n, y de
huecos, p, en situación de equilibrio se establecerán cuando las tasas degeneración y recomendación sean iguales.
Llamaremos nj al número de pares en un semiconductor intrínseco, naturalmente dependerá de la temperatura, T, y en
este caso se verificará:
n = p = nj (T)

5. Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el negativo los
huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que podemos
arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos
posiblidades:

6. -Aplicar una tensión de valor superior
-Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la corriente que
aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les
conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor
puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N