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EscuEla supErior politécnica dE chimborazo

FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA

    ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
  IngenIería electrónIca, control y redes IndustrIales




Profesora:

Ing. verónica Mora

Tema:

ElEctrónica dEl Estado sólido


Integrantes:
-Pamela Hinojosa

-Felipe RodRíguez

-Luis Fernando Quishpi

-Andre Tello

-Jean Pierre Mera



Segundo SemeStre “b”

Riobamba, 2010- 2011
   SSI (Small Scale Integration)

SSI proviene del inglés Small Scale Integration que significa integración a
baja escala y hace referencia a los primeros circuitos integrados que se
desarrollaron los cuales cumplían funciones muy básicas, como puertas lógicas
y abarcan desde unos pocos transistores hasta una centena de ellos.

Los circuitos SSI fueron muy importantes en los primeros proyectos
aeroespaciales, y viceversa, ya que se utilizo en los programas espaciales
como el Apollo o el misil Minuteman los que necesitaban dispositivos digitales
ligeros. El primero motivó y guió el desarrollo de la tecnología de circuitos
integrados, mientras que el segundo hizo que se realizara una producción
masiva.

Estos programas compraron prácticamente la totalidad de los circuitos
integrados desde 1960 a 1963, y fueron los causantes de la fuerte demanda
que originó un descenso de los precios en la producción de 1000 dólares la
unidad (en dólares de 1960) hasta apenas 25 dólares la unidad (en dólares de
1963) y esto dio paso al desarrollo de nuevos circuitos integrados.

      MSI (Medium Scale Integration)

A finales de los 60 se introdujeron dispositivos que contenían cientos de
transistores cada chip, llamados MSI, Integración a Media Escala (Medium-
Scale Integration).

Económicamente eran circuitos atractivos porque mientras producirlos costaba
ligeramente más que los dispositivos SSI, permitieron fabricar sistemas
electrónicos más complejos utilizando placas impresas más pequeñas, menos
trabajo al ensamblarlos (ya que contenían menos componentes) y otras
ventajas para la producción.

      LSI (Large Scale Integration)

LSI (Large Scale Integration) en esta escala pertenecen todos aquellos
circuitos integrados que contienen más de 100 puertas lógicas (lo cual conlleva
unos 1000 componentes integrados individualmente), hasta las mil puertas.

Estos integrados realizan una función completa, como es el caso de las
operaciones esenciales de una calculadora o el almacenamiento de una gran
cantidad de bits.

 La aparición de los circuitos integrados a gran escala, dio paso a la
construcción del microprocesador . Los primeros funcionaban con 4 bits (1971)
e integraban unos 2.300 transistores; rápidamente se pasó a los de 8 bits
(1974) y se integraban hasta 8.000 transistores.
   VLSI (Very Large Scale Integration)

VLSI es la sigla en inglés de Very Large Scale Integration, integración en
escala muy grande.

La integración en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en
transistores en circuitos integrados comenzó en los años 1980, como parte de
las tecnologías de semiconductores y comunicación que se estaban
desarrollando.

Los primeros chip semiconductores contenían sólo un transistor cada uno. A
medida que la tecnología de fabricación fue avanzando, se agregaron más y
más transistores, y en consecuencia más y más funciones fueron integradas en
un mismo chip. El microprocesador es un dispositivo VLSI.

La primera generación de computadoras dependía de válvulas de vacío. Luego
vinieron los semiconductores discretos, seguidos de circuitos integrados. Los
primeros CIs contenían un pequeño número de dispositivos, como diodos,
transistores, resistencias y capacitores (aunque no inductores), haciendo
posible la fabricación de compuertas lógicas en un solo chip. La cuarta
generación (LSI) consistía de sistemas con al menos mil compuertas lógicas. El
sucesor natural del LSI fue VLSI (varias decenas de miles de compuertas en un
solo chip). Hoy en día, los microprocesadores tienen varios millones de
compuertas en el mismo chip.

Hacia pricipios de 2006 se están comercializando microprocesadores con
tecnología de hasta 65 nm, y se espera en un futuro cercano el advenimiento
de los 45 nm.

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  • 1. EscuEla supErior politécnica dE chimborazo FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA IngenIería electrónIca, control y redes IndustrIales Profesora: Ing. verónica Mora Tema: ElEctrónica dEl Estado sólido Integrantes: -Pamela Hinojosa -Felipe RodRíguez -Luis Fernando Quishpi -Andre Tello -Jean Pierre Mera Segundo SemeStre “b” Riobamba, 2010- 2011
  • 2. SSI (Small Scale Integration) SSI proviene del inglés Small Scale Integration que significa integración a baja escala y hace referencia a los primeros circuitos integrados que se desarrollaron los cuales cumplían funciones muy básicas, como puertas lógicas y abarcan desde unos pocos transistores hasta una centena de ellos. Los circuitos SSI fueron muy importantes en los primeros proyectos aeroespaciales, y viceversa, ya que se utilizo en los programas espaciales como el Apollo o el misil Minuteman los que necesitaban dispositivos digitales ligeros. El primero motivó y guió el desarrollo de la tecnología de circuitos integrados, mientras que el segundo hizo que se realizara una producción masiva. Estos programas compraron prácticamente la totalidad de los circuitos integrados desde 1960 a 1963, y fueron los causantes de la fuerte demanda que originó un descenso de los precios en la producción de 1000 dólares la unidad (en dólares de 1960) hasta apenas 25 dólares la unidad (en dólares de 1963) y esto dio paso al desarrollo de nuevos circuitos integrados.  MSI (Medium Scale Integration) A finales de los 60 se introdujeron dispositivos que contenían cientos de transistores cada chip, llamados MSI, Integración a Media Escala (Medium- Scale Integration). Económicamente eran circuitos atractivos porque mientras producirlos costaba ligeramente más que los dispositivos SSI, permitieron fabricar sistemas electrónicos más complejos utilizando placas impresas más pequeñas, menos trabajo al ensamblarlos (ya que contenían menos componentes) y otras ventajas para la producción.  LSI (Large Scale Integration) LSI (Large Scale Integration) en esta escala pertenecen todos aquellos circuitos integrados que contienen más de 100 puertas lógicas (lo cual conlleva unos 1000 componentes integrados individualmente), hasta las mil puertas. Estos integrados realizan una función completa, como es el caso de las operaciones esenciales de una calculadora o el almacenamiento de una gran cantidad de bits. La aparición de los circuitos integrados a gran escala, dio paso a la construcción del microprocesador . Los primeros funcionaban con 4 bits (1971) e integraban unos 2.300 transistores; rápidamente se pasó a los de 8 bits (1974) y se integraban hasta 8.000 transistores.
  • 3. VLSI (Very Large Scale Integration) VLSI es la sigla en inglés de Very Large Scale Integration, integración en escala muy grande. La integración en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en transistores en circuitos integrados comenzó en los años 1980, como parte de las tecnologías de semiconductores y comunicación que se estaban desarrollando. Los primeros chip semiconductores contenían sólo un transistor cada uno. A medida que la tecnología de fabricación fue avanzando, se agregaron más y más transistores, y en consecuencia más y más funciones fueron integradas en un mismo chip. El microprocesador es un dispositivo VLSI. La primera generación de computadoras dependía de válvulas de vacío. Luego vinieron los semiconductores discretos, seguidos de circuitos integrados. Los primeros CIs contenían un pequeño número de dispositivos, como diodos, transistores, resistencias y capacitores (aunque no inductores), haciendo posible la fabricación de compuertas lógicas en un solo chip. La cuarta generación (LSI) consistía de sistemas con al menos mil compuertas lógicas. El sucesor natural del LSI fue VLSI (varias decenas de miles de compuertas en un solo chip). Hoy en día, los microprocesadores tienen varios millones de compuertas en el mismo chip. Hacia pricipios de 2006 se están comercializando microprocesadores con tecnología de hasta 65 nm, y se espera en un futuro cercano el advenimiento de los 45 nm.