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UniversidadNacionalde Ingeniería Facultad de Electrotecnia y Computación
Tema
2.1. Características de las memorias ROM.
Objetivos
 Programar una memoria EEPROM con una tabla de datos.
 Comprobarel funcionamiento d
eunamemoriaEEPROM(Programación)yelprocesodelectura.
Introducción
LasmemoriasEEPROMsonmemoriasquepermitenescribirdatosbinariosdentrodeellasyalmacenarlosen
forma permanente durante varios años sin tener alimentación eléctrica.
El proceso de escritura de dichos datos sobre la memoria sigue un procedimiento especial de señalización
electrónica yse hace enuna formamáslenta queelprocesodelectura,esporello que aesteprocesode
escritura se le denomina programación de la memoria o quemado de la memoria (burning).
Elprocesodeprogramaciónsehacedeformaesporádicaadiferenciadelprocesodelecturaqueserealizade
formacontinuaymuyrápida,esporelloqueaestasmemoriasselesdenominadesololecturayaqueesla
función predominante.
Paralaprogramación deestasmemoriasserequiereeditarsubufferenunprogramaespecializado asociado
con el dispositivo programador que se va a utilizar para grabarla.
Estas memorias tienen 4 buses de señales que se requieren para efectuar tanto el proceso de grabado como
eldelectura,estossonelbusdedireccionesatravésdelcualseinsertaunvalorqueidentificaaunadelas
localidades internas, el bus de datos a través del cual se hace la escritura y la lectura del dato binario
almacenadoen la localidad correspondiente,elbus decontrol quecontienelasseñalesnecesarias para
realizar las operaciones de programación y/o lectura, así como la habilitación de la salida de los datos y
finalmenteelbusdealimentacionesqueproporcionalaenergíanecesariaparasufuncionamiento.
Figura 2.1
Laboratorio de Sistemas Digitales
Práctica 2 Memorias ROM
UniversidadNacionalde Ingeniería Facultad de Electrotecnia y Computación
En esta práctica seinsertará una tabla de valores correspondientes a un valor binario de8 bits quecrece de 0
a255 ydecrecede255a 0 yporlotantoenladirección 0seinsertará el dato00H,enladirección 1eldato
01H y asíconsecutivamente hasta la dirección 255dondese almacenará el dato FFHa partir deese punto los
datos deben decrecer y en la dirección 256 se insertará el valor FEH, en la 257 el valor FDH y así
consecutivamentehastallegaraladirección511quetendráelvalorde00H.Conlocualseutilizarán512
localidades de lamemoria.
Estos datos almacenados pueden ser visualizados en forma aleatoria proporcionando un valor binario en el
bus de direcciones y obteniendo el dato en el bus de datos. O como lo haremos en esta práctica,
visualizaremos los datos en forma secuencial proporcionando la dirección correspondiente a través de un
contadorde9bitsquenospermitahacerunrecorridoporlas512localidadesydespuésrepetirelciclo.
ElconteoseharáatravésdeuncontadorCMOS4040elcualproporcionaráunconteode0a511yseaplicará
al bus de direcciones de la memoria AT27C256.
Actividades Previas
1. Generar la tabla de 512 valores.
2. Conel programa Max Loader for Windows editarel buffer dela memoria, insertar los 512 valoresy
generar el archivo tabla.bin.
Figura 2.2
3. ProgramarlamemoriaAT27C256conelarchivotabla.binyel programadoruniversalSUPERPRO.
4. Defina las conexiones necesarias entre el contador 4040 y la memoria AT27C256 para poder obtener
la información almacenada en las 512 localidades de la memoria, considere que el circuito de conteo
debe inicializarse al llegar a 512.
5. Simule e imprima el circuito diseñado.
UniversidadNacionalde Ingeniería Facultad de Electrotecnia y Computación
Material
1 Circuito contador binario 4040
1 Memoria EEPROM AT27C256
Circuito de leds para visualizar
Equipo
1 Fuente de CD
1 Generador de Funciones
1 Multímetro
1 Programador Universal SuperPro
Desarrollo
1. Implemente el circuito diseñado en las actividades previas.
2. Introduzca una señal de reloj de 1 Hz o menos para poder verificar los datos del bus de datos.
3. Compruebequelosdatosdelatablasepresentandeformacorrectaincrementandoelvalorbinarioy
después decrementandolo, puede incrementar la velocidad del reloj para observar el efecto de forma
más adecuada.
4. ModifiquelatablayelcircuitoparaquelamemoriapresenteelcódigoGrayen4bitsenformaascendente
y se repita la tabla en forma continua.
Cuestionario
1. DescribalascaracterísticasdelasmemoriasMROM,PROM,EPROM,EEPROMyFLASHROM.
2. Investigue los tiempos necesarios para realizar la programación de una localidad de memoria EPROM
2716 en comparación con una memoria AT27C256.

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Características de las memorias ROM y programación de EEPROM

  • 1. UniversidadNacionalde Ingeniería Facultad de Electrotecnia y Computación Tema 2.1. Características de las memorias ROM. Objetivos  Programar una memoria EEPROM con una tabla de datos.  Comprobarel funcionamiento d eunamemoriaEEPROM(Programación)yelprocesodelectura. Introducción LasmemoriasEEPROMsonmemoriasquepermitenescribirdatosbinariosdentrodeellasyalmacenarlosen forma permanente durante varios años sin tener alimentación eléctrica. El proceso de escritura de dichos datos sobre la memoria sigue un procedimiento especial de señalización electrónica yse hace enuna formamáslenta queelprocesodelectura,esporello que aesteprocesode escritura se le denomina programación de la memoria o quemado de la memoria (burning). Elprocesodeprogramaciónsehacedeformaesporádicaadiferenciadelprocesodelecturaqueserealizade formacontinuaymuyrápida,esporelloqueaestasmemoriasselesdenominadesololecturayaqueesla función predominante. Paralaprogramación deestasmemoriasserequiereeditarsubufferenunprogramaespecializado asociado con el dispositivo programador que se va a utilizar para grabarla. Estas memorias tienen 4 buses de señales que se requieren para efectuar tanto el proceso de grabado como eldelectura,estossonelbusdedireccionesatravésdelcualseinsertaunvalorqueidentificaaunadelas localidades internas, el bus de datos a través del cual se hace la escritura y la lectura del dato binario almacenadoen la localidad correspondiente,elbus decontrol quecontienelasseñalesnecesarias para realizar las operaciones de programación y/o lectura, así como la habilitación de la salida de los datos y finalmenteelbusdealimentacionesqueproporcionalaenergíanecesariaparasufuncionamiento. Figura 2.1 Laboratorio de Sistemas Digitales Práctica 2 Memorias ROM
  • 2. UniversidadNacionalde Ingeniería Facultad de Electrotecnia y Computación En esta práctica seinsertará una tabla de valores correspondientes a un valor binario de8 bits quecrece de 0 a255 ydecrecede255a 0 yporlotantoenladirección 0seinsertará el dato00H,enladirección 1eldato 01H y asíconsecutivamente hasta la dirección 255dondese almacenará el dato FFHa partir deese punto los datos deben decrecer y en la dirección 256 se insertará el valor FEH, en la 257 el valor FDH y así consecutivamentehastallegaraladirección511quetendráelvalorde00H.Conlocualseutilizarán512 localidades de lamemoria. Estos datos almacenados pueden ser visualizados en forma aleatoria proporcionando un valor binario en el bus de direcciones y obteniendo el dato en el bus de datos. O como lo haremos en esta práctica, visualizaremos los datos en forma secuencial proporcionando la dirección correspondiente a través de un contadorde9bitsquenospermitahacerunrecorridoporlas512localidadesydespuésrepetirelciclo. ElconteoseharáatravésdeuncontadorCMOS4040elcualproporcionaráunconteode0a511yseaplicará al bus de direcciones de la memoria AT27C256. Actividades Previas 1. Generar la tabla de 512 valores. 2. Conel programa Max Loader for Windows editarel buffer dela memoria, insertar los 512 valoresy generar el archivo tabla.bin. Figura 2.2 3. ProgramarlamemoriaAT27C256conelarchivotabla.binyel programadoruniversalSUPERPRO. 4. Defina las conexiones necesarias entre el contador 4040 y la memoria AT27C256 para poder obtener la información almacenada en las 512 localidades de la memoria, considere que el circuito de conteo debe inicializarse al llegar a 512. 5. Simule e imprima el circuito diseñado.
  • 3. UniversidadNacionalde Ingeniería Facultad de Electrotecnia y Computación Material 1 Circuito contador binario 4040 1 Memoria EEPROM AT27C256 Circuito de leds para visualizar Equipo 1 Fuente de CD 1 Generador de Funciones 1 Multímetro 1 Programador Universal SuperPro Desarrollo 1. Implemente el circuito diseñado en las actividades previas. 2. Introduzca una señal de reloj de 1 Hz o menos para poder verificar los datos del bus de datos. 3. Compruebequelosdatosdelatablasepresentandeformacorrectaincrementandoelvalorbinarioy después decrementandolo, puede incrementar la velocidad del reloj para observar el efecto de forma más adecuada. 4. ModifiquelatablayelcircuitoparaquelamemoriapresenteelcódigoGrayen4bitsenformaascendente y se repita la tabla en forma continua. Cuestionario 1. DescribalascaracterísticasdelasmemoriasMROM,PROM,EPROM,EEPROMyFLASHROM. 2. Investigue los tiempos necesarios para realizar la programación de una localidad de memoria EPROM 2716 en comparación con una memoria AT27C256.