practica memoria s ram

1. UNIVERSIDAD CATÓLICA ANDRÉS BELLO FACULTAD DE
INGENIERÍA ESCUELA DE INFORMÁTICA
CÁTEDRA ARQUITECTURA DEL COMPUTADOR
Prof. Cante Mata, Biagio Domeníco
PRÁCTICA 6: Memoria (SRAM).
NCR 25378
Berrios Moreno, Moisés Alejandro CI 27.187.203
Toro Yépez Daniel Josué CI 25.482.284
9 de junio de 2021

2. 1. OBJETIVOS:
1.- Estudiar las características básicas de las memorias SRAM.
2.- Construir una memoria SRAM con el uso de la memoria 6116 y comprobar su correcto
funcionamiento.
2. MATERIALES
1 Protoboard.
1 Fuente de poder
1 Multímetro Digital
1 6116
1 74LS241
8 Diodos LED
12 Resistencia de 150Ω, ¼ W
2 Mini dip de 8 interruptores
3 Resistencias de 1K
3 Pulsadores
Desarrollo.
A todo dispositivo que sirva para almacenar información se le asigna el nombre de
memoria, en una memoria debe existir la posibilidad de poder extraer la información que
fue previamente almacenada.
En un sistema la información se almacena en forma de datos y de instrucciones, de
tal manera que la memoria debe estar en condiciones de recibir palabras que son datos y
palabras que son instrucciones, en cualquier momento, o poder ceder dicha información
cuando así se requiera, para realizar esta función se necesita un sistema de control para la
transferencia de información, que se encuentra dentro de la memoria.
La memoria está constituida por localidades con casilleros individuales para cada bit
de información, (BIT significa BInary digIT), cada localidad corresponde a una dirección
determinada, la estructura de una memoria es similar al barrio de una ciudad, en el que
cada casa corresponde a su número.
Una vez que dicha información haya sido incluida dentro de la memoria de un
sistema, cada información, ya sea dato o instrucción puede alcanzarse únicamente a través
de su dirección.
La memoria está caracterizada por tres propiedades fundamentales;
1.- Capacidad de memoria
2.- Tiempo de acceso
3.-Costo por bits.
El IDT6116SA / LA es una RAM estática de alta velocidad de 16,384 bits organizado
como 2K x 8. Se fabrica utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento y alta
confiabilidad de IDT. Se dispone de tiempos de acceso de hasta 15 ns. El circuito
también ofrece un modo de espera de energía reducida. Cuando CS pasa a ALTO,
el circuito pasará automáticamente y permanecerá en modo de espera modo de
potencia, siempre que CS permanezca ALTO. Esta capacidad proporciona
importantes ahorros de energía y refrigeración a nivel del sistema. La versión de bajo
consumo (LA) también ofrece datos de respaldo de batería capacidad de retención

3. donde el circuito normalmente consume solo 1µW a 4µW funcionando con una
batería de 2V.
Todas las entradas y salidas del IDT6116SA / LA son compatibles con TTL. Se
utilizan circuitos asíncronos totalmente estáticos, que no requieren relojes ni
actualización para su funcionamiento.
El IDT6116SA / LA está empaquetado en 24 pines de 600 y 300 mil DIP de plástico
o cerámica y un SOIC de ala de gaviota de 24-lead J-bend SOJ que proporciona
altas densidades de empaque a nivel de placa. El producto de grado militar se fabrica
de acuerdo con la última versión de MIL-STD-883, Clase B, lo que la hace ideal
adecuado para aplicaciones militares de temperatura que exigen el más alto nivel de
rendimiento y confiabilidad
3. CAPACIDAD DE LA MEMORIA
La capacidad de la memoria o capacidad de almacenamiento viene definida por el
número de bits de almacenamiento existente y el número de la longitud de palabras, la
capacidad de la memoria se indica en Kbytes, en un sistema la capacidad puede ampliarse
indefinidamente, sin que tengan que cambiarse las unidades de E/S ni la CPU, las etapas
de ampliación pueden ser;
1,024 Kbytes
2,048 Kbytes
4,096 Kbytes
8,192 Kbytes
16,384 Kbytes
32,768 Kbytes
65,536 Kbytes
131,072 Kbytes
262,144 Kbytes
4. TIEMPOS DE ACCESO
El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una información
almacenada; el tiempo de acceso es una característica importante para determinar la
velocidad de resolución de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir
el tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la memoria se
alcanzan más rápidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se
habla entonces del tiempo de acceso promedio.
5. COSTOS POR BIT
Los costos por bit comprenden los gastos de adquisición de una memoria referidos
únicamente a un solo bit, si al adquirir una memoria se establece un límite de gastos que
no ha de ser sobrepasado, puede apreciarse que cuando más grande se elija la capacidad
de la memoria, mayor será el tiempo de acceso, en cambio sí se requiere una capacidad
mínima los costos disminuirán a medida que aumentan los tiempos de acceso.

4. 6. LA MEMORIA RAM 6116
El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory
(RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria
estática de alta velocidad, está fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de
alimentación de +5.0 Volts y está dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
7. CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116
 Organización de la memoria: 2048 X 8
 Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nanoseg.
 Baja potencia en estado inactivo: 10 µW
 Baja potencia en estado activo: 160 mW
 RAM completamente estática: No requiere reloj para su funcionamiento
 Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados
 Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados.
 Potencia de disipación: 1 Watts
 Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología
TTL Es directamente compatible con las memorias de 16K estándar, tipo
RAM 6132
Figura 1 figura de distribución de pin de una memoria SRAM 6116 y tabla de
verdad de dicho dispositivo.
DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES
 A0-A10: Líneas de direcciones
 E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
 CS Habilitador de la pastilla
 OE Habilitador de salidas
 WE Habilitador para la escritura
 Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
 GND Terminal de tierra 0.0 Volts

5. OPERACIÓN DE LECTURA
Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la
aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel
bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM
6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las líneas de E/S y/o la
pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente. (CS)' posee la
función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistema con
microprocesadores para la selección del dispositivo. La terminal (OE)' habilita las salidas, o
las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser habilitada cada vez que el
microprocesador requiera leer la memoria.
OPERACIÓN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicación de un nivel bajo
en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM
6116 se habiliten para aceptar la información, en estas condiciones la terminal (OE)' posee
la opción de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar así la operación de escritura.
Realice el siguiente montaje que se muestra en la figura 2:
Figura 2 Circuito de memoria 6116 , con 2 multiswicht de 8 , dos LED de 10 para visualizar
la dirección y el dato 6 paquetes de resistencia de 8,7 de 150 𝛺y una de 1K 𝛺 y una batería
de 5 voltios.

6. Para comprobar el correcto funcionamiento de la memoria
SRAM, deberá de almacenar una serie de datos en la
memoria y luego hacer el proceso de lectura para verificar
su contenido.
Para almacenar una dato, primero debe colocar la
dirección en los minidip que manejan las entradas (A0, A1,
A2, A3), luego escriba el dato en los minidip que están
conectados al buffer, habilite el buffer de entrada (nunca
habilite el buffer de entrada al mismo tiempo que la señal
de leer dato de la memoria, ya que puede ocasionar danos).
El diagrama de señales seria el siguiente :
Para el proceso de lectura es más sencillo, ya que
basta con colocar la dirección de memoria y habilitar la
señal de leer dato, como se muestra en la figura :
8. RESULTADOS
Para probar la memoria, se graba la siguiente información en la misma: Se coloca el dato
de dirección y el dato a grabar y pulsando simultáneamente el pulsador del Mindip y el de
escritor de la memoria se procede a registrar todos los siguientes datos en las memorias.
DIRECCIÓN DATO
1. 00000000 00001100
2. 00011001 11100001
3. 00100101 00001111
4. 101100110 11001010
5. 00000100 00001000
6. 00000101 00001101

7. Figura 3 Se procede a colocar en la dirección00000000 el dato de 00001100 y se pulsa el botón
Minidip y de escribir el registro.
Figura 4 Luego de colocar en la dirección 00000000 el dato de 00001100 y se pulsa el botón
de leer registro para determinar si se grabó el dato.
MEMORIA
RAM 6116
REGISTRO
00000000
DATO
00001100
LEER
REGISTRO
REGISTRO
0000000
DATO
00001100
MINIDIP
Escribir
registro en la
dirección
REGISTRO
00000000
DATO
00001100
REGISTRO
0000000
DATO
00001100

8. 1
Figura 5 Se repite el procedimiento de escribir el dato en la dirección pulsando simultáneamente
el minidip y escribir el dato en el registro y luego se procede a colocar en la dirección000011001
el dato de 11100001 y se pulsa el botón de leer registro para determinar si se grabó el dato.
Figura 6 se repite el proceso de escritura y se procede a colocar en la dirección 001001010 el
dato de 00001111 y se pulsa el botón de leer registro para determinar si se grabó el dato.
REGISTRO
00011001
DATO
11100001
REGISTRO
001000101
DATO
00001111
LEER
REGISTRO
LEER
REGISTRO
REGISTRO
001000101
DATO
00001111
REGISTRO
00011001
DATO
11100001

9. 2
Figura 7 se repite el proceso de escritura y se procede a colocar en la dirección 10110100 el
dato de 11001010 y se pulsa el botón de leer registro para determinar si se grabó el dato.
Figura 8 se repite el proceso de escritura y se procede a colocar en la dirección 00001000 el
dato de 00000100 y se pulsa el botón de leer registro para determinar si se grabó el dato.
REGISTRO
10110100
DATO
11001010
LEER
REGISTRO
REGISTRO
00000100
DATO
00001000
LEER
REGISTRO
REGISTRO
00000100
DATO
00001000
REGISTRO
10110100
DATO
11001010

10. 3
Figura 9 se repite el proceso de escritura y se procede a colocar en la dirección 00000101 el
dato de 00001101 y se pulsa el botón de leer registro para determinar si se grabó el dato.
9. ANÁLISIS DE RESULTADOS
Se pudo registrar en cada dirección de las seis direcciones un dato y este se pudo revisar que
se encontraba según como se registró se coloca la direccióny con el botón leer el dato se puede
observar el listado de datos en cada dirección de las seis registradas:
DIRECCIÓN DATO
1. 00000000 00001100
2. 00011001 11100001
3. 00100101 00001111
4. 101100110 11001010
5. 00000100 00001000
6. 00000101 00001101
El tiempo de acceso de los datos en las diferentes direcciones de las memorias es muy rápido
con tan solo un toque del botón de escritura se graba y se borran las memorias al apagar el
circuito de proteus.
10. CONCLUSIONES
Se pudo estudiar las características básicas de las memorias SRAM y construir un
circuito con una memoria SRAM (memoria 6116) y comprobar su correcto funcionamiento. Se
pudo almacenar en la memoria 6 registros y demostrando que esta memoria tiene la capacidad
de almacenar una capacidad de 2.048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática de
alta velocidad, está fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación
de bajo voltaje es decir de +5.0 Volts y está dispuesta en una pastilla de 24 terminales. Esta
REGISTRO
000000101
DATO
00001101
LEER
REGISTRO
DATO
00001101
REGISTRO
000000101

11. 4
memoria se borra al apagar el circuito, que es una característica de la memoria RAM. Y se
puede grabar rápidamente en esta memoria