El documento describe las características y generaciones de las memorias USB, SD y SSD. Detalla los componentes de las memorias USB, SD y SSD y explica los diferentes tipos, capacidades, clases, velocidades y aplicaciones de las memorias SD y microSD.

2. Integrantes del Grupo
• Nombres: Clave
• Oseida Edwin 18
• José Rivas 4
• Jarol Hernández 11
• Axel González 12

4. Memoria USB
USB es la sigla de Universal Serial Bus (Bus Universal
en Serie, en castellano). Se trata de un concepto de la
informática para nombrar al puerto que permite
conectar periféricos a una computadora.

5. • La creación del USB se remonta a 1996, cuando un grupo de
siete empresas (entre las que se encontraban IBM, Intel y
Microsoft) desarrolló el formato para mejorar la capacidad
de interconexión de los dispositivos tecnológicos.

6. El USB está capacitado para detectar e instalar el
software necesario para el funcionamiento de los
dispositivos. A diferencia de otro tipo de puertos (como
PCI), no cuenta con un gran ancho de banda para la
transferencia de datos, lo que supone una desventaja en
ciertos casos.

7. Componentes de la Memoria USB
1. Conector USB
2.Dispositivo de control de almacenamiento masivo
USB
3.Puntos de prueba
4. Circuito de memoria flash
5. Oscilador de cristal
6. Led
7. Interruptor de seguridad contra escrituras
8. Espacio disponible para un segundo circuito de
memoria flash

9. • Las empresas Trek Technology
e IBM comenzaron a vender las primeras
unidades de memoria USB en el año 2000
CAPACIDADES
8MB 16MB 32MB 64MB

11. Segunda Generación
• El rendimiento de la primer generación fue
muy bueno alcanzando los 87MB en lectura y
60 en escritura. Este nuevo modelo promete
incrementar el rendimiento hasta los 100MB
en lectura y 79 en escritura

13. Tercera Generación
La norma USB 3.0 ofrece tasas de cambio
de datos mejoradas enormemente en
comparación con su predecesor, además
de compatibilidad con los puertos
USB 2.0. La norma USB 3.0

15. • Presentado en el año 2008. Está en pleno auge de
transición entre dispositivos USB 2.0 y USB 3.0. La
principal novedad técnica del puerto USB 3.0 es
que eleva a 4,8 Gbit/s (600 MB/s) la capacidad de
transferencia que en la actualidad es de
480 Mbit/s. Se mantendrá el cableado interno de
cobre para asegurarse la compatibilidad con las
tecnologías USB 1.0 y 2.0
USB 3.0

16. Memorias SD
• Es una tarjeta de memoria para
almacenar contenidos en dispositivos
portátiles, como teléfonos móviles,
cámaras digitales, tablets o navegadores
GPS

17. • Tarjeta SD (estándar): el modelo que apareció primero
en el mercado, de 32 mm de alto x 24 mm de ancho x 21
mm de grosor. Es el formato más común en cámaras
digitales y grabadoras de audio.
• Tarjeta mini SD: aparecieron posteriormente y su
tamaño es de 21,5 mm de alto x 20 mm de ancho x 14
mm de grosor.
• Tarjeta micro SD: el formato más habitual en los
dispositivos pequeños como teléfonos móviles o
tablets. Su tamaño es de 15 mm de alto x 11 mm de
ancho x 10 mm de grosor.

18. Tipos y Capacidades de
Almacenamiento Memoria SD
• SD SC (Standard Capacity) o simplemente SD:
con capacidad para almacenar hasta 2GB de
datos.
• SD HC (High Capacity): permiten guardar
hasta 32GB.
• SD XC (eXtended Capacity): pueden
almacenar hasta 2TB (2.000GB)

19. Clases velocidades y Aplicaciones
Memorias SD
CLASE
VELOCIDAD
MÍNIMA
APLICACIONES
Clase 2 2 MB/s Hacer fotos y grabar vídeos estándar
Clase 4 4 MB/s
Grabar vídeo de alta definición (HD) incluyendo Full HD (de 720p
hasta 1080p/1080i)
Clase 6 6 MB/s
Grabar vídeo de alta definición (HD) incluyendo Full HD (de 720p
hasta 1080p/1080i)
Clase 10 10 MB/s
Grabar video Full HD (1080p) y tomar fotos HD (Bus de Alta
Velocidad)
UHS Clase 1
(U1)
10 MB/s
Grabación en tiempo real y vídeos largos de alta definición (Bus de
Ultra Alta Velocidad)
UHS Clase 3
(U3)
30 MB/s Archivos de vídeo de resolución 4K (Bus de Ultra Alta Velocidad)

20. MicroSD
• Fue desarrollada por SanDisk, y en julio de
2005 fue adoptada por la Asociación de
Tarjetas SD con el nombre microSD.
• Mide tan solo 15×11×1 milímetros, con un
área de 165 mm².

21. • Sandisk han trabajado en ello, llegando
a versiones que alcanzan velocidades de
lectura de hasta 10 Mb/s.
• Panasonic ha fabricado tarjetas microSD
que alcanzan los 90 Mb/s de lectura y
los 80 Mb/s de escritura.
Transferencias Micro SD

22. microSD microSDHC microSDXC
•16 MB
•32 MB
•64 MB
•128 MB
•256 MB
•512 MB
•1 GB
•2 GB
•4 GB
•8 GB
•16 GB
•32 GB
•4 GB
•8 GB
•16 GB
•32 GB
•64 GB
•128 GB
•200 GB

23. Características microSD
Ancho (mm) 11
Largo (mm) 15
Grosor (mm) 1
Volumen de la tarjeta (mm³) 165
Peso (g) 0,258
Voltaje de funcionamiento (V) 2,7 - 3,6
Interruptor de protección contra escritura No
Protectores de terminal No
Cantidad de pines 8

24. Adaptadores Micro SD

25. SSD
• Dispositivo de estado sólido o SSD (acrónimo
inglés de Solid-State Drive). Estas nuevas
unidades de almacenamiento intercambian el
disco giratorio por pequeños chips de
memoria flash para entregar capacidad,
siendo innecesario un cabezal para leer datos
ya que todo se hace electrónicamente
mediante una controladora.

26. Antes de 2005 las capacidades de estas tarjetas
oscilaban entre los 16, 32 y 64 mebibytes (MiB). En
2005, las capacidades típicas de una tarjeta SD eran
de 128, 256 y 512 MiB, y 1, 2 y 4 gibibytes (GiB).
En 2006, se alcanzaron los 8 GiB, y en 2007, los 16
GiB. El 22 de agosto de 2007 Toshiba anunció que para
2008 empezaría a vender memorias de 32 GiBy 64GiB

27. Componentes de la Memoria SSD
• Controladora: es un procesador electrónico que se encarga de
administrar, gestionar y unir los módulos de memoria NAND con
los conectores en entrada y salida. Ejecuta software a nivel de
Firmware y es con toda seguridad, el factor más determinante
para las velocidades del dispositivo.
• Caché: un dispositivo SSD utiliza un pequeño dispositivo de
memoria DRAM similar al caché de los discos duros. El directorio
de la colocación de bloques y el desgaste de nivelación de datos
también se mantiene en la memoria caché mientras la unidad está
operativa.
• Condensador: es necesario para mantener la integridad de los
datos de la memoria caché, si la alimentación eléctrica se ha
detenido inesperadamente, el tiempo suficiente para que se
puedan enviar los datos retenidos hacia la memoria no volátil.

29. Celda de nivel individual
• Este proceso consiste en cortar las obleas de
silicio y obtener chips de memoria. Este
proceso monolítico tiene la ventaja de que
los chips son considerablemente más rápidos
que los de la tecnología opuesta (MLC),
mayor longevidad, menor consumo, un
menor tiempo de acceso a los datos.

30. Celda de nivel múltiple
• Este proceso consiste en apilar varios moldes
de la oblea para formar un sólo chip. Las
principales ventajas de este sistema de
fabricación es tener una mayor capacidad por
chip que con el sistema SLC y por tanto, un
menor precio final en el dispositivo. A nivel
técnico es menos fiable, durable, rápido y
avanzado que las SLC.

31. Triple bit por celda
• Nuevo proceso en el que se mantienen tres
bits por cada celda. Su mayor ventaja es la
considerable reducción de precio. Su mayor
desventaja es que solo permite 1000
escrituras.