1. TIPOS DE RAM:
MEMORIAS SIMMS (RAM)
Los SIMM (módulosde memoriaenlíneaúnicos) sonunestilode embalajemásantiguo
para ram. Los SIMMS sonlas primerastarjetasde memoriaque se produjeronenmasa.
Los SIMM comenzaron enun formato pequeñode 30 pines/8bits, que posteriormente
se actualizaron a un formato de 72 pines/32 bits. Los SIMM de 30 pinestienen
aproximadamente 3,5" de largo y 0,75" de alto, por lo general,con ocho chips DE SOJ
(diseñopequeñocondiseñoJ). Los SIMM de 72 pinesson de 4,25" de largo y 1" de alto
con 8 a 16 chipsSOJ.
Antesde los SIMM,la mayoría de la memoriase instalaba directamente enla placa base
y no había mucho espaciopara la actualización. Los distintostiposde SIMM incluyen: no
paridad,paridad,página rápida y EDO.
La no paridad es solo memoria cruda para almacenamiento y recuperación
temporales.
La memoria de paridad ofrece la comprobación de errores de los datos
almacenados para asegurarse de que no cambien o se dañen antes de utilizarlos.
La página rápida aumentó el rendimiento de la memoria mediante la optimización
de la función de paginación de la memoria.
EDO mejoró aún más el rendimiento de la memoria, ya que permite que la
memoria se escriba y lea al mismo tiempo.
Velocidad
La velocidad de los SIMM se mide en nanosegundos (abreviados "ns" o "nsec"), por lo
general, 15 ns o menos. Consulte la documentación del sistema para determinar las
especificaciones de RAM del sistema.
DIMM (SDRAM)
Los MÓDULOS DIMM (módulodoble de memoriaenlínea) fueronla siguientemejoraimportante
enla tecnologíade memoriadespuésde SIMM.Los DIMM cuentancon 168 clavijasyofrecenun
ancho de banda de 64 bits,loque eliminalanecesidadde instalarlamemoriaSIMMen parespara
lossistemasPentium.(Figura1) Los DIMM son de 5,375" de largoy 1,5" de alto con 8 a 16 de los
chipsTSOP (paquete delgadode contornopequeño) máspequeños.
2. Figura 1: DIMM: SDRAMde 168 pines.
SDRAM
DIMM evolucionómástarde paraconvertirse enSDRAM(DRAMsíncrona),que era un derivadode
la RAMde gráficossíncronas (SGRAM),un tipode memoriade tarjetade videomuyrápidopero
costoso.SdRAMviene enformatoECCy noECC. La memoriaECCes similar ala paridad,yaque
compruebay captura erroresde memoria.ECCtiene lafuncionalidadadicional de corregir
pequeñoserrores,loque permite que el sistemacontinúe,mientrasque lamemoriade paridad
detiene el sistematanprontocomose descubre unerror.
Velocidad
La SDRAMse sincronizóconlavelocidadde busdel FSB(busfrontal) del sistema,loque causóun
saltodel 25 % enel rendimiento.Lavelocidadse mide porfrecuenciaenmegahercios(MHz).Por
logeneral,laSDRAMse fabrica comoPC100 o PC133 (100 MHz y 133 MHz, respectivamente).No
esuna buenaideacombinarSDRAMPC100 y PC133. Consulte ladocumentacióndel sistemapara
determinarlasespecificacionesdel sistema.
Información sobre la memoria DEM (RDRAM y CRIMM)
Los DIMM (módulo de memoria en línea Rambus) se convirtieron brevemente en la
memoria preferida en sistemas de gama alta a principios de 2000 (Figura 1).
Figura 1: MTM (módulode memoriaenlíneaRambus) DesarrolladoporRambus,Inc.,esta
arquitecturade memoria(tambiénconocidacomoRDRAM) tiene el potencial de superarel
rendimientode DRAMhasta enun 1000 %,perono hasta que lasvelocidadesdel busfrontal
lateral alcancenmásde 200 MHz. Además,RDRAMsolofuncionaráensistemasdiseñadospara
RDRAM.
Hay dos tiposde sistemasRambus.Inicialmente,lossistemasse envíanconunaconfiguraciónde
canal único.Lossistemasposterioresutilizanunaconfiguraciónde doble canal que estámejor
optimizadaparaun rendimientomásrápido.Enlossistemasde doble canal,se requierendos
MDM idénticosporbancode canal para obtenerel mejorrendimiento,perolossistemas
funcionaránconconfiguracionesúnicasomixtasconunrendimientoreducido.RDRAMtambién
viene enformatoECCy no ECC
3. .
La memoria ECC es similar a la paridad, ya que comprueba y captura errores de
memoria. ECC tiene la funcionalidad adicional de corregir pequeños errores, lo que permite
que el sistema continúe, mientras que la memoria de paridad detiene el sistema tan pronto
como se descubre un error.
A diferencia de sdRAM, RDRAM funciona en un circuito serie, lo que significa que
todas las ranuras de memoria deben estar ocupadas para que el circuito se cierre y que la
memoria sea accesible. Si solo se utiliza un DIMM, las otras ranuras se deben ocupar
con un CRIMM (módulo de memoria en línea Rambus de continuidad), que es solo un
módulo sin memoria (Figura 2).
Figura 2: La velocidadde RDRAMde velocidadde CRIMM
se mide enmegaherciosyRambus se denominade acuerdoconla velocidad.Porlotanto,RDRAM
PC800 funcionaa 800 MHz. Al igual que con SDRAM,no es unabuenaideacombinarvelocidades
de RDRAM.
La mayoríade lasespecificacionesycaracterísticasde RDRAM se basanen RDRAMPC800.
RDRAM tambiénestádisponible enPC600y PC700.
Información sobre la memoria SDRAM DDR
La SDRAM DDR (SDRAM de velocidad de datos doble) es prácticamente la tecnología
de memoria más avanzada disponible actualmente (Figura 1). Al igual que SDRAM, la
DDR surgió a partir de los rápidos avances en arquitectura de gráficos, que se introdujo con
la primera tarjeta de video GeForce256 de NVIDIA.
Figura 1: DIMM: DDR-SDRAMde 184 pinesA diferenciade
la SDRAM,que realizósusfuncionesde lectura/escrituraenel aumentode cadareloj del sistema,
la memoriaDDRrealizasusfuncionesde lectura/escrituraenel borde ascendenteydescendente
de cada reloj del sistema,loque duplicaeficazmente el rendimientode lamemoriaparaotrogran
saltoenel rendimientogeneral.
Velocidad
La velocidadse mide enmegahercios(MHz).DDR-DSRAMestádisponible enunacantidad
4. creciente de velocidadesque vandesde 100 MHz o PC1600 hasta 566 MHz o PC4500 con
velocidadesposiblemente másrápidasque finalmente se agreganconel tiempo.
¿Qué es la memoria DDR2?
LA SDRAM DDR2 es una interfaz de memoria dinámica de acceso aleatorio síncrona
de velocidad de datos doble. Reemplaza la especificación de SDRAM DDR original y
se ha reemplazado por la SDRAM DDR3. DDR2 no es compatible con versiones
anteriores ni hacia delante ni con DDR3. (Los módulos tienen una clave diferente para
evitar que se instalen módulos incorrectos)
¿Qué es la memoria DDR3?
DDR3 continúa la evolución en la tecnología de memoria y proporciona varias
mejoras a la arquitectura DDR2 existente. El beneficio principal es un aumento en
la velocidad del bus de I/O, que funciona a cuatro veces la velocidad de los módulos
de memoria que contiene. Ddr3 también permite capacidades de chip de 512 MB a
8 GB. Esto permite tamaños de módulos de memoria de hasta 16 GB.
https://www.dell.com/support/kbdoc/es-co/000148441/what-is-memory-ram
5. TIPOS DE ROM:
ROM: Es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos
electrónicos, que permite solo la lectura de la información y no su escritura,
independientemente de la presencia o no de una fuente de energía.
PROM: La memoria de solo lectura programable PROM, o la ROM programable una sola
vez (OTP) (ONE-TIME PROGRAMMABLE PROGRAMABLE UNA SOLA VEZ), pueden ser
escritas o programadas a través de un dispositivo especial llamado un programadorPROM.
Normalmente, este dispositivo utiliza alto voltaje para destruir o crear permanentemente
enlaces internos (fusibles o anti fusibles) dentro del chip. En consecuencia, una PROM
solo puede programarse una vez.
EPROM: «Electrically Programmable ROM», y es parecida a la PROM, pero permite
que los datos se eliminen en condiciones específicas (esencialmente exponiéndola a
luz ultravioleta de alta intensidad).
6. EEPROM: significa «Electrically Erasable Programmable ROM», y es el tipo de
memoria ROM más usado porque permite que los datos se eliminen y reescriban un
número ilimitado de veces.
La memoria de solo lectura eléctricamente alterable (EAROM) es un tipo
de EEPROM que se puede modificar un bit cada vez. La escritura es un proceso muy
lento y necesita de nuevo un voltaje más alto (generalmente alrededor de 12 V) del que se
utiliza para el acceso de lectura. EAROMs están destinados para aplicaciones que
requieren reescritura poco frecuente y sólo parcial. EAROM puede ser utilizado como
almacenamiento no volátil para obtener información de configuración del sistema crítico;
en muchas aplicaciones, EAROM ha sido suplantada por la RAM CMOS suministrada por
la red eléctrica y apoyada con una batería de litio.
7. La memoria flash (o simplemente flash) es un tipo moderno de EEPROM inventado en
1984. La memoria flash se puede borrar y volver a escribir más rápidamente que la
EEPROM ordinaria, y los nuevos diseños cuentan con muy alta resistencia (superior a
1.000.000 de ciclos). La Flash NAND moderna hace uso eficiente de área de chip de
silicio, lo que resulta en circuitos integrados individuales con una capacidad de hasta 32
GB a partir de 2007; esta característica, junto con su resistencia y durabilidad física, ha
permitido el flash NAND reemplazar magnético en algunas aplicaciones (como las
unidades flash USB). La memoria flash es a veces llamado flash ROM o Flash
EEPROM cuando se usa como un reemplazo para los tipos de ROM viejos, pero no en
aplicaciones que aprovechan su capacidad de ser modificado rápidamente y con
frecuencia.