1. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
TRANSISTOR UNIPOLAR JFET MOSFET
Alumno: Trinidad Flores Ricardo Pablo
Código: 20152200G
Profesor: Lazo Ochoa Pedro Domingo
Curso: EE418-O
LIMA -2021
2. TRANSITOR UNIPOLAR TECNOLOGÍA CMOS
(Semiconductor complementario de óxido metálico)
Cada uno tiene dos canales
DEL VACÍO CMOS
El transistor deunión.
Polarización
El amplificador
Modelos
El transistor d efecto campo
El JFET
El MOSFET
3. TRANSISTORES EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JEFT)
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN (JFET)
PARA EL CANAL P ES N
PARA EL CANAL N ES P
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN (JFET)
4. REPRESENTACIÓN SIMBÓLICA Y VARIABLES
CANAL N
ENTRE SURTIDOR YCOMPUERTA
ES 0
EL CANAL SE ESTRECHA DEBIDO
AL INCREMENTO DE
POLARIZACIÓNINVERSA DELA
UNIÓNP-N
TRANSISTORES DEEFECTO DE CAMPO DEUNIÓN
GRÁFICAMENTE VP; VOLTJE DE ESTRECHAMIENTO, ESTRANGULAMIENTO.
ID=IDSS (1-VGS)2
VP
5. Cuando se aumenta la
tensión entre el Drenador
y la Fuente VSD, entonces
la intensidad ID aumenta.
Finalmente:
El pasillo se cierra para
VDS=VP
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN (JFET)
En el proceso de mantener nula la tensión de la fuente y G, VGS,
Seguidamente entre el Drenador y Fuente VDS, la intensidad ID aumenta,
Al tiempo que se estrecha el pasillo debido al incremento de las uniones p-n
Y finalmente la ampliación de la región de agotamiento
ESTRECHAMIENTO DEL CANAL
Sirvepara encontrar resistencias constantes
