2. Transistores
 El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

3. Transistores

4. TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de Contacto Puntual
 Llamado también transistor de punta de contacto, fue
el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido
de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector.
La corriente de base es capaz de modular la resistencia
que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer
resistor». Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor
de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho
de banda. En la actualidad ha desaparecido.

5. Transistor de Contacto Puntual

6. Transistor de unión bipolar
 El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction
Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
 Los transistores bipolares son los transistores más conocidos
y se usan generalmente en electrónica analógica aunque
también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.

7. Transistor de unión bipolar
 Un transistor de unión bipolar está formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
a) Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor
de portadores de carga.
b) Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor
del colector.
c) Colector, de extensión mucho mayor.

8. Transistor de unión bipolar
 Tipos de Trasmisor de unión bipolar
a) NPN
b) PNP

9. Transistores Bipolares NPN
 NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación.
 Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material
dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
 La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

10. Transistores Bipolares NPN
Símbolo de transmisor
NPN

11. Transistores Bipolares PNP
 El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P"
y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.
 El símbolo de un transistor PNP.
 Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación
a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
 La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo

12. Transistores Bipolares PNP
Símbolo de transmisor
PNP

13. Transistor de Efecto de Campo
 El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.

14. Transistor de Efecto de Campo
 El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en
inglés, que controla la corriente en función de una
tensión; tienen alta impedancia de entrada.
a) Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido
mediante una unión PN.
b) Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET,
en el que la compuerta se aísla del canal mediante un
dieléctrico.
c) Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.

15. Transistores JFET
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español
transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un
dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según
unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores
de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la
tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.
Según este valor, la salida del transistor presentará una
curva característica que se simplifica definiendo en ella
tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y
saturación.

16. Transistores JFET
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español
transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un
dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según
unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores
de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la
tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.
Según este valor, la salida del transistor presentará una
curva característica que se simplifica definiendo en ella
tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y
saturación.

17. Transistores JFET
 Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está
formado por una pastilla de semiconductor tipo P en
cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador
y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo
N en las que se conectan dos terminales conectados
entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva VGS entre
puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas
zonas en las que el paso de electrones (corriente ID)
queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta
VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de
exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de VGS se le
denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la
corriente para tensiones menores que Vp.

18. Transistores JFET
Esquema interno del transistor JFET

19. Transistores IGFET
 Transistor de efecto de
campo con electrodo de
control aislado o "Insulated
Gate FET" (IGFET), se
caracteriza por tener el
gate aislado del canal por
una capa de oxido de
silicio.

20. Transistores IGFET
Actualmente se fabrican entre otros, los siguientes
dispositivos IGFET:
 MOSFET o "MOS" ("Metal
Oxide Semiconductor
FET"), cuyo nombre
deriva de los tres
materiales que aparecen
al realizar un corte
vertical en su estructura,
según puede observarse
en la figura.
 Hasta hace poco los
términos IGFET y MOS
eran sinónimos.

21. Transistores IGFET
 SILICON GATE FET,
difiere de MOS en que el
gate es de silicio
policristalino, en lugar de
ser metálico. Se
consigue así controlar la
conductividad del canal a
partir de tensiones de
gate mas bajas

22. Transistores IGFET
 SOS("Silicon On Saphire
FET"), en el cual el canal
semiconductor de silicio esta
depositado sobre un sustrato
aislante de zafiro, en lugar de
un sustrato semiconductor de
silicio. De esta manera se
alcanzan velocidades de
conmutación mas altas.
 DMOS (MOS de Doble
Difusión), que presenta un
canal de corta longitud para
permitir muy altas velocidades
de conmutación, gracias al
breve tiempo de transito de
los portadores por el citado
canal.

23. Fototransistor
 Los fototransistores son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz
visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor
es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo
que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
a) Como un transistor normal con la corriente de base (IB)
(modo común);
b) Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminación).

24. Fototransistor
 En el mercado se encuentran fototransistores tanto con
conexión de base como sin ella y tanto en cápsulas
plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una
lente.
 Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas
perforadas, lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con
fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-
i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos
cercanos cuando forman parte de un sensor de
proximidad.

25. Fototransistor
 Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente
con un LED, formando interruptores ópticos (opto-
switch), que detectan la interrupción del haz de luz por
un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de
reflexión.
 Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor,
basta agregar a un transistor común un fotodiodo,
conectando en el colector del transistor el catodo del
fotodiodo y el ánodo a la base. .

26. Fototransistor
Símbolo Electrónico Fototransistor

27. ESPECIFICACIONES TECNICAS
TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 - 2N5638RLRAG
Especificaciones Técnicas
Technical/Catalog Information 2N5638RLRAG
Vendor ON Semiconductor
Category Discrete Semiconductor Products
Mounting Type Through Hole
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Drain (Idss) @ Vds
50mA @ 20V
(Vgs=0)
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 10pF @ 12V (VGS)
Power - Max 310mW
Packaging Tape & Reel (TR)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Package / Case
Formed Leads
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id -
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35V
Resistance - RDS(On) 30 Ohm
Current Drain (Id) - Max -
Lead Free Status Lead Free
RoHS Status RoHS Compliant
Other Names 2N5638RLRAG

28. TRANSISTOR 350V DE 5KA 5X7.6M M
Especificaciones Técnicas
Tubo de
Modelo
descarga de gas
Con el alambre
ZM 576 3R 350B
de plomo
Tipo: ZM 576 3R 350B Con el alambre
ZM 576 3R 350BF ZM 576 3R de plomo, a
350BF prueba de
averías
Diámetro: 5m m
±0.2mm
Ø 5mmX7.5m mde la dimensión Longitud: 7.5m
±0.2mm
m
Nominal. C.C. chispear-sobre voltaje 350 V
Tolerancia de CONTRA ±20 %
Impluse chispear-sobre voltaje en los μs 1KV/ ≤900 V
Corriente derivada de Impluse (onda 8/20μs) 5 KA
Corriente derivada del impulso 10/1000μs 100 A/Time
Corriente derivada de alternancia (50HZ, 10 veces) 5 A
Resistencia de aislamiento >109 Ω
Capacitancia en 1MHz ≤1.5 Picofaradio
del
Voltaje 135 VDC
mantenimiento

29. TRANSISTOR BLF278 MOSFET
Especificaciones
Técnicas
Datasheets BLF278
Category Discrete Semiconductor Products
Family RF FETs
Series -
Transistor Type 2 N-Channel (Dual)
Frequency 108MHz
Gain 22dB
Voltage - Test 50V
Current Rating 18ª
Noise Figure -
Current - Test 100mA
Power - Output 300W
Voltage - Rated 125V
Package / Case SOT-262A1
Supplier Device
CDFM4
Package
Other Names 568-2412 / 933978520112 / BLF278 /
BLF278-ND

30. TRANSISTOR NPN 40V 500MA
16-SOIC
Especificaciones Técnicas
Category Discrete Semiconductor
Products
Family Transistors (BJT) - Arrays
Series -
Transistor Type 4 NPN (Quad)
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter
40V
Breakdown (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @
100 @ 150mA, 10V
Ic, Vce
Power - Max 1W
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 16-SOIC (0.154", 3.90mm
Width)
Supplier Device Package 16-SOIC
Other Names MMPQ2222ATR

31. TRANS ARRAY PNP/N-CH 40V
SOT363
Especificaciones Técnicas
Category Discrete Semiconductor
Products
Family Transistors - Special Purpose
Series -
Transistor Type PNP, N-Channel
Applications General Purpose
Voltage - Rated 40V PNP, 60V N-Channel
Current Rating 600mA PNP, 115mA N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device
SOT-363
Package
Other Names CTA2P1N-FDITR