2. TRANSISTORES
el transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada. cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. el
término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor actualmente se encuentran prácticamente en todos
los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos,
teléfonos celulares, entre otros.
3. TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de contacto puntual.
Transistor de unión bipolar.
JFET.
MOSFET
Fototransistor.
4. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
llamado también «transistor de punta de
contacto», fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por john
bardeen y walter brattain. consta de una base
de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. la corriente de base es capaz de modular
la resistencia que se ve en el colector, de ahí el
nombre de transfer resistor.
5. CARACTERÍSTICAS
• Llamada tambien transistor de punta de contacto.
Consta de una base de germanio, semiconductor
para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-oxido de cobre, sobre la que apoyan, muy
juntas, dos puntas metálicas que constituyen el
emisor y el colector. La corriente de base es capaz
de modular la resistencia que se ve en el colector,
de ahí nace el nombre de transfer resistor.
6. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
el transistor de unión bipolar es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. la denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades, y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
7. CARACTERÍSTICAS
la zona N con elementos donantes de electrones y la zona P
de aceptadores o huecos. normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al indio (In), aluminio (Al)
o galio (Ga) y donantes N al arsénico (As) o fósforo (P).
la configuración de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de
signo contrario a la base, tienen diferente contaminación
entre ellas. el mecanismo que representa el comportamiento
semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la
geometría asociada y de tipo de tecnología de contaminación
y del comportamiento cuántico de la unión.
8. JFET
el transistor de efecto de campo de unión (JFET),
fue el primer transistor de efecto de campo en la
práctica. lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. en los
terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica.
la mayoría de los FET están hechos usando
las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea
monocristalina semiconductora como la región
activa o canal. la región activa de los TFT es una
9. CARACTERÍSTICAS
si se difunden dos regiones p en una barra de
material n y se conectan externamente entre sí,
se producirá una puerta. a uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.
10. el transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar señales electrónicas. es
el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue
mucho más popular en otro tiempo. prácticamente
la totalidad de los microprocesadores comerciales
están basados en transistores MOSFET.
11. CARACTERISTICAS
constructiva común a todos los tipos de
transistor MOS es que el terminal de
puerta (G) está formado por una
estructura de tipo
metal/óxido/semiconductor. el óxido es
aislante, con lo que la corriente de puerta
es prácticamente nula, mucho menor que
en los JFET. por ello, los MOS se emplean
para tratar señales de muy baja potencia.
12. FICHA TÉCNICA
• El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado
en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar
fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.
13. los fototransistores son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de
la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. un fototransistor
es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo
que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
como un transistor normal con la corriente de base (IB)
(modo común).
como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminación).
puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente,
aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el
pin de la base sin conectar.