El documento describe la estructura cristalina de un semiconductor intrínseco compuesto solo por átomos de silicio que forman una red. Los átomos de silicio se unen mediante enlaces covalentes para completar ocho electrones y formar un sólido semiconductor. En este estado puro, la cantidad de huecos dejados por los electrones al atravesar la banda prohibida es igual a la cantidad de electrones libres en la banda de conducción.

2. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía.
Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de
valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En
esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

3. Se dice que un semiconductor es
“intrínseco” cuando se encuentra
en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni
átomos de otro tipo dentro de su
estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia
al atravesar la banda prohibida
será igual a la cantidad de
electrones libres que se
encuentran presentes en la banda
de conducción.

4. Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una posición vacante, y si aplicamos un campo
eléctrico al semiconductor, este “hueco” puede ser ocupado por otro electrón de valencia, que deja a su vez otro hueco.
Este efecto es el de una carga +e moviéndose en dirección del campo eléctrico. A este proceso le llamamos „generación
térmica de pares electrón-hueco‟.

5. Semiconductores Intrínsecos
• Cristales sin impurezas ni defectos en
la red
(idealmente, claro)
• Conforme la temperatura aumenta,
hay generación de
pares electrón-hueco
• Obviamente,
• ni varía exponencialmente con la
temperatura
10 Metal típico 29 m-3
1.61*10 Semiconductor 16 m-3

6. i aplicamos un campo eléctrico al material, nos encontramos con una
situación como la de la parte derecha de la Figura 4: las bandas se
inclinan, tanto más cuanto más intenso sea el campo eléctrico que se
aplica. Ante este campo eléctrico, ¿cómo reaccionan electrones y
huecos? Pues de una forma que se entiende muy bien utilizando una
analogía muy intuitiva. Los electrones se comportan como unas canicas
en una cuesta, y ruedan cuesta abajo. Los huecos reaccionan como las
burbujas de un refresco (o de una cerveza, sí, también) y van subiendo
hacia arriba en el diagrama.

7. Semiconductor dopaje es el proceso que cambia un semiconductor intrínseco para un semiconductor extrínseco.
Durante el dopaje, átomos de impurezas se introducen a un semiconductor intrínseco. Átomos de impurezas son
átomos de un elemento diferente de los átomos del semiconductor intrínseco. Átomos de impurezas actúan como
donantes o aceptores para el semiconductor intrínseco, el cambio de las concentraciones de electrones y huecos del
semiconductor. Átomos de impurezas se clasifican como átomos donantes o aceptor basado en el efecto que tienen en
el semiconductor intrínseco.