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INTRODUCCIÓN DE SEMICONDUCTOR Y MATERIALES
               SEMICONDUCTORES
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
   dependiendo de diversos factores, un ejemplo es el campo eléctrico
   o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura
   del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
   semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla 1.1.


El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el
   germanio.
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECOS
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante
porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía
térmica.

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque
la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía
térmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay
tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.
En esta grafica podemos ver en que dirección
se mueven los electrones y los huecos en un
semiconductor intrínseco.
ESTRUCTURA CRISTALINA EN UN
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Compuesta por átomos de silicio
(Si) que forman una celosía. Como
se puede observar en la ilustración,
los átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de valencia),
se    unen     formando     enlaces
covalente para completar ocho
electrones y crear así un cuerpo
sólido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se
comportará igual que si fuera un
cuerpo aislante.
DOS PRINCIPALES SEMICONDUCTORES SI , GE


                      Como vemos los
                      semiconductores se
                      caracterizan por tener una
                      parte interna con carga + 4 y 4
                      electrones de valencia.
DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
Cuando a la estructura molecular
cristalina del silicio o del germanio se le
introduce     cierta     alteración,  esos
elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer
posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los
átomos de silicio o de germanio con
pequeñas cantidades de átomos de otros
elementos o "impurezas".

Para aumentar la conductividad en pocas
palabras que sea más conductor de un
Semiconductor, se le suele dopar o
añadir átomos de impurezas a un
semiconductor       intrínseco,    este
semiconductor      dopado       es   un
semiconductor extrínseco.
Impurezas de valencia 5 (Arsénico,
Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de
Silicio dopado con átomos de valencia 5.

Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de
más, así con una temperatura no muy
elevada (a temperatura ambiente por
ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre.
Esto es, como solo se pueden tener 8
electrones en la órbita de valencia, el átomo
pentavalente suelta un electrón que será
libre.
Siguen dándose las reacciones anteriores. Si
metemos 1000 átomos de impurezas
tendremos 1000 electrones más los que se
hagan libres por generación térmica (muy
pocos).
A estas impurezas se les llama "Impurezas
Donadoras". El número de electrones libres
se llama n (electrones libres/m3).




EJEMPLOS 1 DE DOPADO
Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro,
             Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado
             con átomos de valencia 3.

             Los átomo de valencia 3 tienen un electrón
             de menos, entonces como nos falta un
             electrón tenemos un hueco. Esto es, ese
             átomo trivalente tiene 7 electrones en la
             orbita de valencia. Al átomo de valencia 3 se
             le llama "átomo trivalente" o "Aceptor".
             A estas impurezas se les llama "Impurezas
             Aceptoras". Hay tantos huecos como
             impurezas de valencia 3 y sigue habiendo
             huecos de generación térmica (muy pocos).
             El número de huecos se llama p
             (huecos/m3).




EJEMPLOS 2 DE DOPADO
Hay dos tipos de semiconductores que están
dopados, esto es que tienen impurezas y
dependen de que tipo de impurezas tengan.




SEMICONDUCTORES TIPO N Y P
Es el que está impurificado con
                                              impurezas    "Donadoras",    que    son
                                              impurezas pentavalentes. Como los
                                              electrones superan a los huecos en un
                                              semiconductor tipo n, reciben el nombre
                                              de "portadores mayoritarios", mientras
                                              que a los huecos se les denomina
                                              "portadores minoritarios".

                                              Al aplicar una tensión al semiconductor
                                              de la figura, los electrones libres dentro
                                              del semiconductor se mueven hacia la
                                              izquierda y los huecos lo hacen hacia la
Los electrones libres de la figura circulan   derecha. Cuando un hueco llega al
hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia      extremo derecho del cristal, uno de los
el positivo de la batería.                    electrones del circuito externo entra al
                                              semiconductor y se recombina con el
                                              hueco.




SEMICONDUCTORES TIPO N
Es el que está impurificado con
                                          impurezas      "Aceptoras",  que     son
                                          impurezas trivalentes. Como el número
                                          de huecos supera el número de
                                          electrones libres, los huecos son los
                                          portadores mayoritarios y los electrones
                                          libres son los minoritarios.

En el circuito hay también un flujo       Al aplicarse una tensión, los electrones
de portadores minoritarios. Los           libres se mueven hacia la izquierda y los
electrones    libres    dentro      del
semiconductor circulan de derecha a       huecos lo hacen hacia la derecha. En la
izquierda. Como hay muy pocos             figura, los huecos que llegan al extremo
portadores minoritarios, su efecto es     derecho del cristal se recombinan con
casi despreciable en este circuito.
                                          los electrones libres del circuito externo.




       SEMICONDUCTORES TIPO P

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  • 1.
  • 2. INTRODUCCIÓN DE SEMICONDUCTOR Y MATERIALES SEMICONDUCTORES Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, un ejemplo es el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla 1.1. El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio.
  • 3. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECOS Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. En esta grafica podemos ver en que dirección se mueven los electrones y los huecos en un semiconductor intrínseco.
  • 4. ESTRUCTURA CRISTALINA EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO Compuesta por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.
  • 5. DOS PRINCIPALES SEMICONDUCTORES SI , GE Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con carga + 4 y 4 electrones de valencia.
  • 6. DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". Para aumentar la conductividad en pocas palabras que sea más conductor de un Semiconductor, se le suele dopar o añadir átomos de impurezas a un semiconductor intrínseco, este semiconductor dopado es un semiconductor extrínseco.
  • 7. Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5. Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre. Siguen dándose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 átomos de impurezas tendremos 1000 electrones más los que se hagan libres por generación térmica (muy pocos). A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras". El número de electrones libres se llama n (electrones libres/m3). EJEMPLOS 1 DE DOPADO
  • 8. Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 3. Los átomo de valencia 3 tienen un electrón de menos, entonces como nos falta un electrón tenemos un hueco. Esto es, ese átomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al átomo de valencia 3 se le llama "átomo trivalente" o "Aceptor". A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generación térmica (muy pocos). El número de huecos se llama p (huecos/m3). EJEMPLOS 2 DE DOPADO
  • 9. Hay dos tipos de semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas y dependen de que tipo de impurezas tengan. SEMICONDUCTORES TIPO N Y P
  • 10. Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la Los electrones libres de la figura circulan derecha. Cuando un hueco llega al hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia extremo derecho del cristal, uno de los el positivo de la batería. electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. SEMICONDUCTORES TIPO N
  • 11. Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. En el circuito hay también un flujo Al aplicarse una tensión, los electrones de portadores minoritarios. Los libres se mueven hacia la izquierda y los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a huecos lo hacen hacia la derecha. En la izquierda. Como hay muy pocos figura, los huecos que llegan al extremo portadores minoritarios, su efecto es derecho del cristal se recombinan con casi despreciable en este circuito. los electrones libres del circuito externo. SEMICONDUCTORES TIPO P