1. TRANSISTORES
• Introducción y tipo de transistores
Alumno: Flores Díaz Francisco James

2. TRANSISTORES
 Un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador, o
rectificador.
 Es El transistor es el primer componente que tiene tres
terminales
 Funciona como un interruptor, por la corriente que
entra por una de sus patas.
 Los más utilizados son los unión o BJT, cuyo terminal
se llama base (b), emisor (e), y colector (c)

3. TRANSISTORES
TIPO DE TRANSISTORES

4. TRANSISTOR
Transistor
de
contacto puntual
llamado también transistor de
punta de contacto, fue el
primer transistor Fabricado en
el año de 1947, en los
laboratorios Bell, por los
científicos, William Bradford
Shockley, John Bardeen y
Walter Houser Brattain

5. TRANSISTORES
Transistores Bipolar
 son dispositivos electrónicos de estado sólido consiste
en dos uniones PN muy cerca entre sí, que permiten el
paso de corriente en función de la otra.
 Son los transistores más conocidos y son de dos clases
PNP y NPN, llamados así porque la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades
(huecos
positivos
y
electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre
los que se encuentra su impedancia de entrada
bastante baja

6. TRANSISTORES
Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de
transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del
transistor.
La mayoría de los transistores
bipolares usados hoy en día son
NPN, debido a que la movilidad del
electrón es mayor que la movilidad
de
los
"huecos"
en
los
semiconductores,
permitiendo
mayores corrientes y velocidades de
operación
La flecha en el símbolo
del transistor NPN está en
la terminal del emisor y
apunta en la dirección en
la que la corriente
convencional
circula
cuando el dispositivo está
en funcionamiento activo

7. TRANSISTORES
Transistores PNP
• el otro tipo de transistor de unión bipolar es el
PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor
• Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado “N” entre dos
capas de material dopado “P”.
• Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando
desde la base permite que una corriente mucho
mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La
flecha
en
el
transistor PNP está en
el terminal del emisor y
apunta en la dirección
en la que la corriente
convencional
circula
cuando el dispositivo
está en funcionamiento
activo

8. TRANSISTORES
Transistor de unión unipolar o de
efecto de campo
 El transistor de unión unipolar
llamado también de efecto de campo
de unión (JFET) fu el primer
transistor de efecto de campo en la
practica.
 Esta formada por una barra
semiconductor, de silicio de tipo N o
P , en los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico

9. TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo o FET,
Controlan la corriente en función de una tención, tiene
alta impedancia de entrada

10. TRANSISTORES
TRANSISTORES MOSFET.
 Los
transistores
MOSFET
o
Metal-OxidoSemiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de
campo que utilizan un campo eléctrico para crear una
canal de conducción
 Son dispositivos más importantes que los JFET ya que
la mayor parte de los circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnología MOS

11. TRANSISTORES
 Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de
canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su
vez, estos transistores pueden ser de acumulación
(enhancement) o deplesión (deplexion)

12. TRANSISTORES
 estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales:
puerta, drenador, fuente y substrato; normalmente el sustrato se
encuentra conectado a la fuente.
 La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un
dieléctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un
condensador.
 Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas
(capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de
conducción entre los terminales drenador y fuente.
La tensión mínima para crear ese capa de
inversión se denomina tensión umbral o
tensión de threshold (VT) y es un
parámetro característico del transistor. Si
la VGS<VT, la corriente de drenador fuente es nula; valores típicos de esta
tensión son de 0.5 V a 3 V.