Transistores : 
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple 
funciones de ampliador ,oscilador , conmutador o 
rectificador . El termino» transistor »el la contratación en 
ingles de transfer resistor («resistencia de 
trasferencia»)actualmente se encuentran en los estados en 
todo los aparatos electrónicos de uso diario :televisión 
,radios, computadoras cuarzo ,lámparas fluorescentes 
,tomógrafos ,celulares teléfonos, etc.
Tipo de Transitores: 
Transistor JFET: 
El transistor JFET( juntan Field efectivo transistor , que se traduce como 
transistor de efecto de campo )es un dispositivo electrónico activo 
unipolar. 
Funcionamiento básico: 
Tienen tres terminales ,denominas puertas (gate),drenador (drain)y 
fuente( source) la puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. 
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor 
controlando por tensión ,donde el voltaje aplicado a la puerta permite 
hacer que fluya o no corriente entre dren ador y fuente.
Característica: 
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar . 
La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de 
fuentes (Vdd)y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la 
fuente (.Vgg) Al hacer un barrido en corriente directa se obtienen las curvas 
características del transistor JFET. 
Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la 
imagen ,nótese que se distinguen tres zonas importantes : 
• La zona óhmica. 
• La zona de corte. 
• La zona de saturación.
Transistor MOSFET: 
Son las siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR, 
Consístete en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS es 
el transistor mas utilizado en la industria microelectrica .la practica totalidad de 
los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. 
Utilización: 
Una transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor 
dopado en el que, mediante técnica de difusión de dopantes , se crean dos islas 
de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de 
dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Características : 
Son dos características o tipo de transistores MOS: 
1. MOSFET de canal N o NMOS. 
2. MOSFET de cana P o PMOS. 
A su vez estos transistores pueden ser de acumulación 
(enhancement) o deflexión (deplexion);en la actualidad los 
segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente 
serán descritos los MOS de acumulación también conocidos 
como de enriquecimiento.
Transistor FET: 
Tienen también tres terminales que son: 
1. puerta (gate). 
2. Drenador (Drain ). 
3. sumidero (sink). 
Que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el 
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
Características : 
Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N. 
- La figura muestra un esquema que ayudara a comprender el 
funcionamiento de un FET. en este caso se ha supuesto que el canal es de 
material de tipo N. 
- La puerta esta polarizada negativamente respecto al a fuente ,por lo 
quela unión P N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe 
una capa decirla . 
- Si el material de la puerta esta mas dopado que el de canal ,la mayor 
parte de la capa estará formada por el canal. 
- Si al tensión de la puerta es cero y VDS-o las capas desiertas profundizar 
poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
Transistor bipolar de unión(BJT): 
El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junción transistor es 
un dispositivo eléctrico de estado solido consiste en dos unión es PN 
muy cercanas entre si ,que permite controlar el paso de la corriente a 
través de sus terminales .la denominación de gracias al 
desplazamiento de portadores de dos electrones polarizadas(huecos 
positivos y eléctricos negativos),y son de gran utilidad en gran 
numero de aplicaciones : 
Pero tienen cierto inconvenientes , entre ellos su impudencia de 
entrada bastante baja.
Características : 
Los transistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan 
generalmente en eléctrica analógica aunque también en algunas 
aplicaciones de eléctrica digital ,como la tecnología TTL o BICMOS. 
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductores 
dopadas : 
La región del emisor ,la región de la base y la región del colector ,estas 
regiones son respectivamente 
• Tipo P 
• Tipo N 
• Tipo de trasmisor se unión bipolar 
• 1. PNP . 
• 2. NPN:
Información: 
•http://transitoresfetgoleoncom /dos htm 
• http://www.unicrom .com/ fut_ transitores _MOSFET

Transistores

  • 1.
    Transistores : Esun dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de ampliador ,oscilador , conmutador o rectificador . El termino» transistor »el la contratación en ingles de transfer resistor («resistencia de trasferencia»)actualmente se encuentran en los estados en todo los aparatos electrónicos de uso diario :televisión ,radios, computadoras cuarzo ,lámparas fluorescentes ,tomógrafos ,celulares teléfonos, etc.
  • 2.
    Tipo de Transitores: Transistor JFET: El transistor JFET( juntan Field efectivo transistor , que se traduce como transistor de efecto de campo )es un dispositivo electrónico activo unipolar. Funcionamiento básico: Tienen tres terminales ,denominas puertas (gate),drenador (drain)y fuente( source) la puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlando por tensión ,donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre dren ador y fuente.
  • 3.
    Característica: Este tipode transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar . La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuentes (Vdd)y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (.Vgg) Al hacer un barrido en corriente directa se obtienen las curvas características del transistor JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen ,nótese que se distinguen tres zonas importantes : • La zona óhmica. • La zona de corte. • La zona de saturación.
  • 4.
    Transistor MOSFET: Sonlas siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR, Consístete en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS es el transistor mas utilizado en la industria microelectrica .la practica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Utilización: Una transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnica de difusión de dopantes , se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
  • 5.
    Características : Sondos características o tipo de transistores MOS: 1. MOSFET de canal N o NMOS. 2. MOSFET de cana P o PMOS. A su vez estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deflexión (deplexion);en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
  • 6.
    Transistor FET: Tienentambién tres terminales que son: 1. puerta (gate). 2. Drenador (Drain ). 3. sumidero (sink). Que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
  • 7.
    Características : Disposiciónde las polarizaciones para un FET de canal N. - La figura muestra un esquema que ayudara a comprender el funcionamiento de un FET. en este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. - La puerta esta polarizada negativamente respecto al a fuente ,por lo quela unión P N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe una capa decirla . - Si el material de la puerta esta mas dopado que el de canal ,la mayor parte de la capa estará formada por el canal. - Si al tensión de la puerta es cero y VDS-o las capas desiertas profundizar poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
  • 8.
    Transistor bipolar deunión(BJT): El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junción transistor es un dispositivo eléctrico de estado solido consiste en dos unión es PN muy cercanas entre si ,que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales .la denominación de gracias al desplazamiento de portadores de dos electrones polarizadas(huecos positivos y eléctricos negativos),y son de gran utilidad en gran numero de aplicaciones : Pero tienen cierto inconvenientes , entre ellos su impudencia de entrada bastante baja.
  • 9.
    Características : Lostransistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan generalmente en eléctrica analógica aunque también en algunas aplicaciones de eléctrica digital ,como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductores dopadas : La región del emisor ,la región de la base y la región del colector ,estas regiones son respectivamente • Tipo P • Tipo N • Tipo de trasmisor se unión bipolar • 1. PNP . • 2. NPN:
  • 10.
    Información: •http://transitoresfetgoleoncom /doshtm • http://www.unicrom .com/ fut_ transitores _MOSFET