1. Transistores :
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de ampliador ,oscilador , conmutador o
rectificador . El termino» transistor »el la contratación en
ingles de transfer resistor («resistencia de
trasferencia»)actualmente se encuentran en los estados en
todo los aparatos electrónicos de uso diario :televisión
,radios, computadoras cuarzo ,lámparas fluorescentes
,tomógrafos ,celulares teléfonos, etc.
2. Tipo de Transitores:
Transistor JFET:
El transistor JFET( juntan Field efectivo transistor , que se traduce como
transistor de efecto de campo )es un dispositivo electrónico activo
unipolar.
Funcionamiento básico:
Tienen tres terminales ,denominas puertas (gate),drenador (drain)y
fuente( source) la puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlando por tensión ,donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre dren ador y fuente.
3. Característica:
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar .
La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de
fuentes (Vdd)y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la
fuente (.Vgg) Al hacer un barrido en corriente directa se obtienen las curvas
características del transistor JFET.
Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la
imagen ,nótese que se distinguen tres zonas importantes :
• La zona óhmica.
• La zona de corte.
• La zona de saturación.
4. Transistor MOSFET:
Son las siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR,
Consístete en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS es
el transistor mas utilizado en la industria microelectrica .la practica totalidad de
los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Utilización:
Una transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor
dopado en el que, mediante técnica de difusión de dopantes , se crean dos islas
de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de
dieléctrico culminada por una capa de conductor.
5. Características :
Son dos características o tipo de transistores MOS:
1. MOSFET de canal N o NMOS.
2. MOSFET de cana P o PMOS.
A su vez estos transistores pueden ser de acumulación
(enhancement) o deflexión (deplexion);en la actualidad los
segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente
serán descritos los MOS de acumulación también conocidos
como de enriquecimiento.
6. Transistor FET:
Tienen también tres terminales que son:
1. puerta (gate).
2. Drenador (Drain ).
3. sumidero (sink).
Que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
7. Características :
Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.
- La figura muestra un esquema que ayudara a comprender el
funcionamiento de un FET. en este caso se ha supuesto que el canal es de
material de tipo N.
- La puerta esta polarizada negativamente respecto al a fuente ,por lo
quela unión P N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe
una capa decirla .
- Si el material de la puerta esta mas dopado que el de canal ,la mayor
parte de la capa estará formada por el canal.
- Si al tensión de la puerta es cero y VDS-o las capas desiertas profundizar
poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
8. Transistor bipolar de unión(BJT):
El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junción transistor es
un dispositivo eléctrico de estado solido consiste en dos unión es PN
muy cercanas entre si ,que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales .la denominación de gracias al
desplazamiento de portadores de dos electrones polarizadas(huecos
positivos y eléctricos negativos),y son de gran utilidad en gran
numero de aplicaciones :
Pero tienen cierto inconvenientes , entre ellos su impudencia de
entrada bastante baja.
9. Características :
Los transistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan
generalmente en eléctrica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de eléctrica digital ,como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductores
dopadas :
La región del emisor ,la región de la base y la región del colector ,estas
regiones son respectivamente
• Tipo P
• Tipo N
• Tipo de trasmisor se unión bipolar
• 1. PNP .
• 2. NPN: