2.  El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador
 El término «transistor» es la contracción
en inglés de transfer resistor («resistencia
de transferencia»).

3.  Vienen a sustituir a las antiguas válvulas
termoiónicas de hace unas décadas.
 Antes de aparecer los transistores, los
aparatos a válvulas tenían que trabajar
con tensiones bastante altas, tardaban
más de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningún caso podían
funcionar a pilas, debido al gran consumo
que tenían.

4.  Los transistores tienen multitud de
aplicaciones, entre las que se encuentran:
• Amplificación de todo tipo
(radio, televisión, instrumentación)
• Generación de señal (osciladores, generadores de
ondas, emisión de radiofrecuencia)
• Conmutación, actuando de interruptores (control de
relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de
lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
• Detección de radiación luminosa (fototransistores)

5.  Lostransistores de unión (uno de los tipos
más básicos) tienen 3 terminales llamados
Base, Colector y Emisor, que dependiendo
del encapsulado que tenga el transistor
pueden estar distribuidos de varias
formas.

7.  Es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el
paso de la corriente a través de sus
terminales.
 La denominación de bipolar se debe a que
la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos)

8.  Los transistores bipolares son los
transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica
 También en algunas aplicaciones de
electrónica digital, como la tecnología TTL
o BICMOS.

9.  Un transistor de unión bipolar está
formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una
región muy estrecha.
 De esta manera quedan formadas tres
regiones:

10.  Emisor,que se diferencia de las otras dos
por estar fuertemente
dopada, comportándose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de
carga.

11.  Base, la intermedia, muy estrecha, que
separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

12.  Existen 2 tipos:
• Unión PNP
• Unión NPN

13. Unión PNP
 Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos capas
de material dopado P
 Los transistores PNP son comúnmente operados
con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa.
 Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.

14. Unión NPN
 Los transistores NPN consisten en una capa de
material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N.
 Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la
salida del colector.
 La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la
terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.

15. 

17.  Es una familia de transistores que se
basan en el campo eléctrico para controlar
la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor.
 Pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

18.  Tienen tres terminales, denominadas puerta
(gate), drenador (drain) y fuente (source).
 La puerta es la terminal equivalente a la base
del BJT.
 El transistor de efecto de campo se comporta
como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.

19. Tipo de transistores
 El canal de un FET es dopado para producir
tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
 El drenador y la fuente deben estar dopados
de manera contraria al canal en el caso de
FETs de modo mejorado, o dopados de
manera similar al canal en el caso de FETs
en modo agotamiento

20. Podemos clasificar los transistores de efecto
campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:
 El MOSFET
 El JFET
 El MESFET
 En el HEMT
 Los IGBT
 Los DNAFET

21.  El transistor de efecto de campo metal-
óxido-semiconductor es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas.
 Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica
 Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.

22. Transistores MOSFET

23.  Existen distintos símbolos que se utilizan
para representar el transistor MOSFET
 El diseño básico consiste en una línea
recta para dibujar el canal, con líneas que
salen del canal en ángulo recto y luego
hacia afuera del dibujo de forma paralela
al canal, para dibujar el surtidor y el
drenador.

24.  En algunos casos, se utiliza una línea
segmentada en tres partes para el canal
del MOSFET de enriquecimiento, y una
línea sólida para el canal del MOSFET de
empobrecimiento.
 Otra línea es dibujada en forma paralela al
canal para destacar la compuerta.

25.  Símbolos

26. Transistores MOSFET

27.  Existen
dos tipos de transistores MOSFET,
ambos basados en la estructura MOS.
• Los MOSFET de enriquecimiento
• Los MOSFET de empobrecimiento

28.  Se basan en la creación de un canal entre
el drenador y el surtidor, al aplicar una
tensión en la compuerta.
 La tensión de la compuerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de
manera que se forma una región de
inversión, es decir, una región con dopado
opuesto al que tenía el sustrato
originalmente.

29.  El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región
correspondiente al canal.
 De este modo un transistor NMOS se
construye con un sustrato tipo p y tiene un
canal de tipo n, mientras que un transistor
PMOS se construye con un sustrato tipo n y
tiene un canal de tipo p.

30.  Tienenun canal conductor en su estado
de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicación de la
tensión eléctrica en la compuerta, lo cual
ocasiona una disminución de la cantidad
de portadores de carga y una disminución
respectiva de la conductividad.

32.  Es un dispositivo electrónico, un circuito
que, según unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos valores de
salida.
 En el caso de los JFET, al ser transistores
de efecto de campo eléctrico, estos
valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los
terminales S (fuente) y G (puerta)

33.  Símbolos del JFET

34.  Físicamente, un JFET de los denominados
"canal P" está formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos
se sitúan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con
dopaje de tipo N en las que se conectan
dos terminales conectados entre sí
(puerta).

35.  Alaplicar una tensión positiva VGS entre
puerta y fuente, las zonas N crean a su
alrededor sendas zonas en las que el paso
de electrones (corriente ID) queda cortado,
llamadas zonas de exclusión.

36.  Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se
extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador
queda completamente cortado.

37. A ese valor de VGS se le denomina Vp.
Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son
negativas, cortándose la corriente para
tensiones menores que Vp

38.  Esun dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de
potencia.

39.  Estedispositivo posee la características
de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para
la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo.

40.  Elcircuito de excitación del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como
las del BJT.

41. Transistor IGBT

42.  ElIGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 20 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
 Es usado en aplicaciones de altas y
medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en
motores y cocina de inducción.

43.  Grandes módulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo
que pueden manejar altas corrientes del
orden de cientos de amperios con voltajes
de bloqueo de 6.000 voltios.
 Se puede concebir el IGBT como un
transistor Darlington híbrido.

44.  Tiene la capacidad de manejo de corriente
de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en
conducción.
 Sin embargo las corrientes transitorias de
conmutación de la base pueden ser
igualmente altas. En aplicaciones de
electrónica de potencia es intermedio
entre los tiristores y los MOSFET.

45.  Maneja más potencia que los segundos
siendo más lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros.
 Este es un dispositivo para la conmutación
en sistemas de alta tensión
 La tensión de control de puerta es de unos
15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar
sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta

46.  Símbolo e imagen:

47.  http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignat
uras/curso03-
04/cce/practicas/encapsulados/encapsulad
os.htm
 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_u
ni%C3%B3n_bipolar
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/ele
c_basica/tema6/Paginas/Pagina6.htm