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A L U M N O : M A R C O S R I V E R O S R .
TRANSISTOR
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.
TIPOS DE TRANSISTORES
 TRANSISTOR JFET
 TRANSISTOR MOSFET
 FOTOTRANSISTOR
 TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
TRANSISTOR JFET
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.
Según este valor, la salida del transistor presentará una curva cara
CURVA CARACTERISTICA
 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
FICHA TECNICA
TRANSISTOR MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas ,es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.
CARACTERISTICAS
Constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de
puerta (G) está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de
puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS
se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
FICHA TECNICA
FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética enfrecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo decorriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Unfototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal, sólo quepuede trabajar de 2 maneras
diferentes: Como un transistor normal con lacorriente de base (IB) (modo
común).Como fototransistor, cuando la luzque incide en este elemento hace
las veces de corriente de base. (IP)(modo de iluminación).
CARACTERISTICAS
FICHA TECNICA
TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistorcapaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W.Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entoncesmejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre,
sobre la que seapoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y
elcolector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se"ve" en el
colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".
CARACTERISTICAS
Consta de una base de germanio , semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinación cobre óxido de cobre , sobre la que se apoyan , muy juntas
, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector . La corriente
de base es capaz de modular la resistencias que se “ve “ en el colector , de ahí
el nombre de “transfer resistor” .
FICHA TECNICA
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos unionesPN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente através de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que laconducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dospolaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de granutilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertosinconvenientes, entre ellos su impedancia de
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Transistores

  • 1. A L U M N O : M A R C O S R I V E R O S R .
  • 2. TRANSISTOR Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
  • 3. TIPOS DE TRANSISTORES  TRANSISTOR JFET  TRANSISTOR MOSFET  FOTOTRANSISTOR  TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL  TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
  • 4. TRANSISTOR JFET Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva cara
  • 5. CURVA CARACTERISTICA  Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).  No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador(interruptor).  Hasta cierto punto es inmune a la radiación.  Es menos ruidoso.  Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
  • 7. TRANSISTOR MOSFET Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas ,es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
  • 8. CARACTERISTICAS Constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
  • 10. FOTOTRANSISTOR Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética enfrecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo decorriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Unfototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo quepuede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con lacorriente de base (IB) (modo común).Como fototransistor, cuando la luzque incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP)(modo de iluminación).
  • 13. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistorcapaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W.Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entoncesmejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que seapoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se"ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".
  • 14. CARACTERISTICAS Consta de una base de germanio , semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre óxido de cobre , sobre la que se apoyan , muy juntas , dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector . La corriente de base es capaz de modular la resistencias que se “ve “ en el colector , de ahí el nombre de “transfer resistor” .
  • 16. TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos unionesPN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente através de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que laconducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dospolaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de granutilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertosinconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.