CENTRO DE BACHILLERATO
TECNOLOGICO AGROPECUARIO
NO.109
PRCESO DE FABRICACION DLOS
CIRCUITOS INTEGRADOS
SUBMODULO 1,2
DOCENTE JOSUE ARREORTUA
MATINEZ
ALUMNO: Jonathan Matías Mendoza
 Es un proceso complejo y
en el que intervienen
numerosas etapas de
fotolitografía y procesado
químico, durante las cuales
los circuitos se generan
sobre una oblea hecha de
materiales puramente
semiconductores. Para ello
se emplea mayoritariamente
el silicio.
 El silicio puede ser refinado por medio de
técnicas bien establecidas de purificación y
crecimiento de cristales. Este elemento químico
también exhibe propiedades físicas apropiadas
para la fabricación de dispositivos activos .
FABRICACION DE OBLEA.
el material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de
muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color
gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de
longitud . este cristal se rebana para producir obleas circulares de
400 μm a 600 μm de espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros).
Oxidación
 . El Dióxido de Silicio es una película delgada, transparente y su superficie es
altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la
interferencia constructiva y destructiva hará que ciertos colores se reflejen.
DIFUCION
 Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta
concentración a una de baja a través del cristal semiconductor a altas
temperaturas (1000 a 1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado
 Deposición por medio de vapor químico
 Es un proceso mediante el cual gases o vapores se
hacen reaccionar químicamente, lo cual conduce a
la formación de sólidos en un sustrato. Las
propiedades de la capa de óxido que se deposita
por medio de vapor químico no son tan buenas
como las de un óxido
 Fotoligrafia
 . La capa fotosensible puede utilizarse para
proteger por debajo los materiales contra el ataque
químico en húmedo o contra el ataque químico de
iones reactivos. Este requerimiento impone
restricciones mecánicas y ópticas muy críticas en el
equipo de fotolitografía
Empacado . Después de haber probado los circuitos eléctricamente se
separan unos de otros (rebanándolos) y los buenos
(“pastillas”) se montan en cápsulas (“soportes”).
Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las
terminales del paquete al patrón de metalización en la
pastilla; por último, se sella el paquete con plástico o resina
epódica al vacío o en una atmósfera inerte.

Circuitos integrados

  • 1.
    CENTRO DE BACHILLERATO TECNOLOGICOAGROPECUARIO NO.109 PRCESO DE FABRICACION DLOS CIRCUITOS INTEGRADOS SUBMODULO 1,2 DOCENTE JOSUE ARREORTUA MATINEZ ALUMNO: Jonathan Matías Mendoza
  • 2.
     Es unproceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas de fotolitografía y procesado químico, durante las cuales los circuitos se generan sobre una oblea hecha de materiales puramente semiconductores. Para ello se emplea mayoritariamente el silicio.
  • 3.
     El siliciopuede ser refinado por medio de técnicas bien establecidas de purificación y crecimiento de cristales. Este elemento químico también exhibe propiedades físicas apropiadas para la fabricación de dispositivos activos .
  • 4.
    FABRICACION DE OBLEA. elmaterial inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud . este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 μm a 600 μm de espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros).
  • 5.
    Oxidación  . ElDióxido de Silicio es una película delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva hará que ciertos colores se reflejen. DIFUCION  Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor a altas temperaturas (1000 a 1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado
  • 6.
     Deposición pormedio de vapor químico  Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar químicamente, lo cual conduce a la formación de sólidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de óxido que se deposita por medio de vapor químico no son tan buenas como las de un óxido
  • 7.
     Fotoligrafia  .La capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque químico en húmedo o contra el ataque químico de iones reactivos. Este requerimiento impone restricciones mecánicas y ópticas muy críticas en el equipo de fotolitografía
  • 8.
    Empacado . Despuésde haber probado los circuitos eléctricamente se separan unos de otros (rebanándolos) y los buenos (“pastillas”) se montan en cápsulas (“soportes”). Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrón de metalización en la pastilla; por último, se sella el paquete con plástico o resina epódica al vacío o en una atmósfera inerte.