1. Ejercicios de transistores 4ºESO ELECTRÓNICA ANALÓGICA
1º. En el circuito de la figura calcular:
Vcc=10 v
a) Corriente de base.
b) Tensión en el colector – emisor
c) Potencia disipada. Rc=820Ω
Rb=330 K
β=200
Vcc=10 v
2º. En el circuito de la figura se utiliza un transistor de las siguientes características: VBesat=0,8 v;
β=100 ; VCesat=0,2 v. Hallar el valor de la resitencia mínima del colector para la que el transistor
se satura.
Vcc=10 v
Rc
Rb=200 K
Vcc=5 v
3º. En el circuito de la figura obtener el valor mínimo de Vi necesaria para saturar el transistor.
Vcc=8 v
Rc=4 K
Rb= 10 K
β= 40
Vi
4º. Dado el circuito calcular los valores de las resistencias para que el transistor trabaje en
conmutación. Datos: ICsat= 10 mA, β=100 ,
5v
R1 R2
VCE
S1

2. 5º. Diseñar un circuito con transistor, que trabajando en saturación, al aplicarle a su base 2,7 v ,
conduzca una corriente de 20 mA para activar un diodo LED que absorbe 1,7 v. La alimentación
es de 6 v y β = 90.
RC
Vc=6 v
Rb
Vb
6º. El circuito de la figura formado por un divisor de tensión se desea dimensionar las
resistencias para que el transistor funcionando en saturación, circule por su colector 60 mA.
Dibujar la recta de carga y la curva de máxima potencia. Calcular la resistencia mínima del
colector que podemos poner sin que se destruya el transistor.
Transistor: NPN BC547 Vcc=12 v
ICmax=100 mA
Rc
β=250 ( ICsat= 60 mA) R1=20K
VBE=0,7 v
VCesat=0,2 v
P max=250 mW Rb
R1=60K