El documento presenta los resultados de una práctica de simulación en Proteus de un circuito de electrónica de potencia. Se comparan los datos obtenidos en cálculos teóricos de la corriente de saturación (Is) e inversa (Ib) de un transistor bipolar con los datos obtenidos en la simulación, encontrando valores similares aunque ligeramente menores en la simulación.

1. Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería
Mecánica y Eléctrica
Electrónica de potencia aplicada
“Practica 2-3”
Grupo: 5MV4
Alumno:
Cazares Diego Braulio Ivan
Fecha de entrega: 26 de octubre de 2021

2. Practica 2-3
Practica en simulador Proteus

3. Comparación
Datos obtenidos en cálculos Datos obtenidos en la
simulación
Is 786.66 mA 686 mA
Ib 7.86 mA 7.16 mA