CIRCUITO

1. A0
10
A1
9
A2
8
A3
7
A4
6
A5
5
A6
4
A7
3
A8
25
A9
24
A10
21
A11
23
A12
2
A13
26
A14
27
CE
20
OE
22
VPP
1
D0
11
D1
12
D2
13
D3
15
D4
16
D5
17
D6
18
D7
19
U1
27C256
SW1
SW-SPDT
GND
OFFON
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DSW2
DIPSW_8
GND
R3
10k
R4
10k
R5
10k
R6
10k
R7
10k
R8
10k
R9
10k
R10
10k
A0
2
A1
4
A2
6
A3
8
OE
1
Y0
18
Y1
16
Y2
14
Y3
12
U2:A
74LS244
A0
11
A1
13
A2
15
A3
17
OE
19
Y0
9
Y1
7
Y2
5
Y3
3
U2:B
74LS244
A0
2
A1
4
A2
6
A3
8
OE
1
Y0
18
Y1
16
Y2
14
Y3
12
U3:A
74LS244
A0
11
A1
13
A2
15
A3
17
OE
19
Y0
9
Y1
7
Y2
5
Y3
3
U3:B
74LS244
12V
5V
5V
12V
R11
10k
R12
10k
R13
10k
R14
10k
R15
10k
R16
10k
R17
10k
R18
10k
OFFON
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DSW3
DIPSW_8
GND
5V
5V
GND
5V
5V
R19
10k
R20
10k
R21
220R
R22
220R
R23
220R
R24
220R
R25
220R
R26
220R
R27
220R
R28
220R
GND
GND
BAT1
5V
BAT2
12V
SW2
SW-SPDT
Ing. Genaro Alfredo Alcázar Marín 19/11/2014V 1.3Instituto Tecnológico de Cuautla
PROGRAMADOR/LECTOR MANUAL DE MEMORIAS UV-EPROM 27C128, 256 Y 512
(B+ )Bit más significativo
Bit menos significativo
Salida de datos
Entrada de datos
B+ B -
B+ B -
Entrada de datos
Salida de datos
Localidad de la memoria (8 bits)
B+ B -
(B- )
B -
B+
Vpp
B -
B+
(SÓLO LAS LOCALIDADES 0 - 255)